文章分類： 氮化鎵GaN

深圳在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 12 日 13:49 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
“深圳國資”官微消息，近期由市屬國企深重投集團與深圳市科技創(chuàng)新局聯(lián)合打造的國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。 國創(chuàng)中心首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量氮化鋁鎵/氮化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延。這一成果...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed、英諾賽科動態(tài)，涉及碳化硅、氮化鎵新品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 17:05 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，Wolfspeed與英諾賽科近日推出創(chuàng)新產(chǎn)品——Wolfspeed發(fā)布第四代1200V車規(guī)級碳化硅MOSFET，英諾賽科推出全球首款100V氮化鎵低邊驅(qū)動IC，雙雙發(fā)力，為新能源汽車動力系統(tǒng)與電池管理生態(tài)注入新動能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V車...  [詳內(nèi)文]

國際首次突破！深圳平湖實驗室攻克GaN/SiC單片集成技術(shù)瓶頸

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:52 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，深圳平湖實驗室官微宣布，深圳平湖實驗室近日在GaN/SiC集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，在國際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延。 據(jù)了解，該成果打破了大尺寸GaN與SiC材料單片集成的技術(shù)瓶頸，為GaN/SiC混合器件的發(fā)...  [詳內(nèi)文]

中芯國際：未來將配合建立SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:42 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍在業(yè)績會上表示，公司未來將根據(jù)國際客戶的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能。 這一戰(zhàn)略舉措標(biāo)志著中芯國際在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步拓展，旨在滿足國內(nèi)市場對高端半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)射頻新篇章，歐益睿芯6英寸GaN工藝平臺開放

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:39 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
隨著5G/6G通信、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星互連等高頻高功率應(yīng)用場景的快速發(fā)展，碳化硅襯底氮化鎵（GaN on SiC）技術(shù)已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭焦點。在國際廠商主導(dǎo)的市場格局下，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的自主化進(jìn)程對高可靠性、高性能、低成本的本土工藝平臺需求日益迫切。 近日，合肥歐益睿芯科技有限公...  [詳內(nèi)文]

英國這家初創(chuàng)公司，憑兩大新專利進(jìn)軍GaN與SiC市場

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:01 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
隨著寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域部分核心專利陸續(xù)到期，一場技術(shù)創(chuàng)新的浪潮正悄然興起。英國初創(chuàng)公司#柵源漏半導(dǎo)體（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住這一歷史機遇，正專注于研發(fā)新一代的專利保護型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件。該公司計劃在未來2-3年內(nèi)，推出垂直...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體透露碳化硅、氮化鎵業(yè)務(wù)進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 06 日 14:12 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，納微半導(dǎo)體公布2025年第二季度財報，同時該公司在財報會議中透露了碳化硅與氮化鎵業(yè)務(wù)進(jìn)展。 圖片來源：納微半導(dǎo)體官網(wǎng)新聞稿截圖 據(jù)悉，英偉達(dá)已經(jīng)與納微半導(dǎo)體進(jìn)行開發(fā)合作，以支持下一代 800V 數(shù)據(jù)中心。納微半導(dǎo)體將在固態(tài)變壓器（SST）、800V DC/DC以及48V...  [詳內(nèi)文]

月產(chǎn)2億顆芯片，SiC/GaN封裝工廠正式投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 04 日 14:25 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)濱海發(fā)布消息，8月1日，伯芯微電子（天津）有限公司（簡稱“伯芯微電子”）在天津經(jīng)開區(qū)微電子創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園正式投產(chǎn)。 圖片來源：濱海發(fā)布 根據(jù)預(yù)測，該項目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計月封裝芯片產(chǎn)能在2億顆以上，年收入將達(dá)到2億元以上。 公開資料顯示，伯芯微電子成立于2022年，由中科院微電子研究所...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科登榜，英偉達(dá)最新800V架構(gòu)供應(yīng)商名單！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 01 日 14:07 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
8月1日，英偉達(dá)官網(wǎng)更新800V直流電源架構(gòu)合作商名錄，氮化鎵龍頭企業(yè)英諾賽科上榜，為英偉達(dá)Kyber機架系統(tǒng)提供全鏈路氮化鎵電源解決方案，這也是名單中唯一的中國芯片企業(yè)。 據(jù)悉，英偉達(dá)與英諾賽科此次合作將推動800V直流（800 VDC）電源架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)?；瘧?yīng)用，并將...  [詳內(nèi)文]

三代半電力領(lǐng)域“大顯身手”，安森美x英偉達(dá)、英諾賽科x聯(lián)合電子、浩思動力加速布局

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 31 日 14:53 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
在全球能源轉(zhuǎn)型與科技升級的浪潮下，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)憑借高功率密度、低能耗、小體積等卓越特性，正成為驅(qū)動各行業(yè)能效提升與技術(shù)革新的核心引擎，在AI數(shù)據(jù)中心供電、新能源汽車電力電子系統(tǒng)等關(guān)鍵領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用價值，推動著相關(guān)產(chǎn)業(yè)向更高效、更綠色的方向邁進(jìn)。 ...  [詳內(nèi)文]