文章分類(lèi)： 氮化鎵GaN

涉及imec、英諾賽科等，氮化鎵新增兩起重磅合作！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 09 日 15:30 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
在半導(dǎo)體技術(shù)不斷革新的當(dāng)下，氮化鎵憑借其卓越性能成為行業(yè)焦點(diǎn)。近期，氮化鎵領(lǐng)域動(dòng)作頻頻，比利時(shí)微電子研究中心（imec）啟動(dòng)12英寸氮化鎵項(xiàng)目并公布首批合作伙伴，英諾賽科也攜手聯(lián)合電子與納芯微，聚焦新能源汽車(chē)功率電子領(lǐng)域展開(kāi)深度合作，這些動(dòng)態(tài)為氮化鎵技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用帶來(lái)了新的契機(jī)...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵新品密集來(lái)襲，安費(fèi)諾、氮矽科技、瑞薩電子相繼發(fā)力

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 09 日 9:22 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)的快速迭代，氮化鎵（GaN）憑借高功率密度、低能耗、耐高溫等核心優(yōu)勢(shì)，已成為消費(fèi)電子、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域技術(shù)升級(jí)的關(guān)鍵支撐。近期，全球多家半導(dǎo)體及能源科技企業(yè)集中發(fā)力，推出多款基于氮化鎵技術(shù)的創(chuàng)新產(chǎn)品。 安費(fèi)諾推出高效氮化鎵微型逆變器，開(kāi)辟商用市場(chǎng)新機(jī)遇 ...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科亮相PCIM Asia，集中呈現(xiàn)國(guó)內(nèi)氮化鎵最新成果

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 28 日 18:48 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN
9月24日至26日，PCIM Asia展會(huì)（上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)暨研討會(huì)）如火如荼召開(kāi)，全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)英諾賽科（Innoscience）呈現(xiàn)了其最新的InnoGaN產(chǎn)品系列與多行業(yè)應(yīng)用方案，吸引眾多業(yè)內(nèi)人士駐足交流。 PCIM Asia作為亞太地...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵產(chǎn)能進(jìn)一步釋放，兩家廠商迎重大進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 28 日 18:39 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
近期，氮化鎵半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁，山東鎵數(shù)智能科技有限公司與東部高科DB HiTek分別傳來(lái)重要消息。山東鎵數(shù)氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目全面達(dá)產(chǎn)，在產(chǎn)能建設(shè)與市場(chǎng)拓展方面成果顯著；與此同時(shí)，東部高科650V GaN HEMT工藝開(kāi)發(fā)進(jìn)入最終階段，并計(jì)劃推出專(zhuān)屬氮化鎵多項(xiàng)目晶圓項(xiàng)目，同時(shí)...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體大廠將進(jìn)軍氮化鎵市場(chǎng)！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 25 日 13:04 |
| 分類(lèi): 功率 , 氮化鎵GaN
在全球科技加速向清潔能源與智能化轉(zhuǎn)型的浪潮中，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正迎來(lái)新一輪技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)變革。作為行業(yè)領(lǐng)軍者，東芝電子元件近期動(dòng)作頻頻，在碳化硅（SiC）、IGBT等領(lǐng)域持續(xù)深耕并取得顯著成果后，又將戰(zhàn)略目光投向了氮化鎵（GaN）這一極具潛力的新興領(lǐng)域。 東芝電子元件將進(jìn)軍氮化鎵市...  [詳內(nèi)文]

煙山科技率先打通8英寸硅基氮化鎵MicroLED混合集成工藝

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 19 日 14:14 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
近日，莫干山基金已投項(xiàng)目煙山科技在MicroLED核心制造工藝上取得了重大突破。該公司率先在8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）平臺(tái)上完成了混合集成（Hybrid Bonding）工藝的全流程打通，并成功點(diǎn)亮了大尺寸MicroLED面板。 與傳統(tǒng)鍵合集成工藝相比，Hybrid ...  [詳內(nèi)文]

中鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)6/8英寸GaN襯底制備

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 18 日 14:26 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中鎵半導(dǎo)體”）宣布取得重大技術(shù)突破，成功攻克6英寸及8英寸氮化鎵（GaN）單晶襯底的制備技術(shù)。 圖片來(lái)源：中鎵半導(dǎo)體 這一成果依托于#中鎵半導(dǎo)體 自主研發(fā)的超大型氫化物氣相外延設(shè)備（HVPE），不僅填補(bǔ)了國(guó)際上HVPE工藝在6英寸及...  [詳內(nèi)文]

全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片獲工信部點(diǎn)名

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 17 日 15:24 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
近期，國(guó)務(wù)院新聞辦公室在北京舉行“高質(zhì)量完成‘十四五’規(guī)劃”系列主題新聞發(fā)布會(huì)。 會(huì)上，工業(yè)和信息化部副部長(zhǎng)辛國(guó)斌提到，“十四五”期間，國(guó)家高新區(qū)內(nèi)先后誕生了全球首臺(tái)超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)、全球首個(gè)通用人工智能系統(tǒng)原型等原創(chuàng)技術(shù)和產(chǎn)品。今年上半年，全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片在成都高新區(qū)正...  [詳內(nèi)文]

東科氮化鎵電源管理芯片出貨量達(dá)1億顆！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 12 日 15:51 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近期，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東科”）迎來(lái)里程碑時(shí)刻——其自主設(shè)計(jì)、封測(cè)的第1億顆氮化鎵電源管理芯片正式出貨。 資料顯示，東科總部位于安徽馬鞍山經(jīng)開(kāi)區(qū)，成立于2011年。為搶占第三代半導(dǎo)體發(fā)展先機(jī)，2016年?yáng)|科前瞻布局、啟動(dòng)研發(fā)，在業(yè)內(nèi)率先推出并量產(chǎn)了全合封氮...  [詳內(nèi)文]

直擊SEMI-e半導(dǎo)體展，8/12英寸襯底、高功率GaN方案集中亮相

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 12 日 15:39 |
| 分類(lèi): 展會(huì) , 氮化鎵GaN
2025年9月10日，備受矚目的SEMI-e深圳國(guó)際半導(dǎo)體展暨2025集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新展在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）盛大開(kāi)幕。 本次展會(huì)匯聚了半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的核心代表力量，涵蓋芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、材料、設(shè)備等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。 其中，化合物半導(dǎo)體作為重要展區(qū)之一，天科合達(dá)、爍科晶...  [詳內(nèi)文]