文章分類： 氮化鎵GaN

東科氮化鎵電源管理芯片出貨量達1億顆！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 12 日 15:51 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近期，東科半導體（安徽）股份有限公司（以下簡稱“東科”）迎來里程碑時刻——其自主設計、封測的第1億顆氮化鎵電源管理芯片正式出貨。 資料顯示，東科總部位于安徽馬鞍山經開區(qū)，成立于2011年。為搶占第三代半導體發(fā)展先機，2016年東科前瞻布局、啟動研發(fā)，在業(yè)內率先推出并量產了全合封氮...  [詳內文]

直擊SEMI-e半導體展，8/12英寸襯底、高功率GaN方案集中亮相

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 12 日 15:39 |
| 分類: 展會 , 氮化鎵GaN
2025年9月10日，備受矚目的SEMI-e深圳國際半導體展暨2025集成電路產業(yè)創(chuàng)新展在深圳國際會展中心（寶安新館）盛大開幕。 本次展會匯聚了半導體全產業(yè)鏈的核心代表力量，涵蓋芯片設計、制造、封測、材料、設備等多個關鍵領域。 其中，化合物半導體作為重要展區(qū)之一，天科合達、爍科晶...  [詳內文]

國內首款6英寸碳化硅基氮化鎵產品：下半年將有望實現(xiàn)出貨

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 09 日 18:33 |
| 分類: 氮化鎵GaN
9月8日，據(jù)立昂微在投資者互動平臺表示，立昂東芯6英寸碳化硅基氮化鎵產品通過客戶驗證，下半年將有望實現(xiàn)出貨，目前多應用在航空航天、大型通訊基站、高鐵機車、防衛(wèi)市場等領域。公司相比同行的競爭優(yōu)勢是公司的自動化產線與砷化鎵兼容，可降低成本和故障率，技術方面柔和了PED在電力電子方面的...  [詳內文]

臺積電醞釀碳化硅散熱新突破，X-FAB氮化鎵代工再升級

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 05 日 13:46 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
當傳統(tǒng)硅基半導體逐漸觸及物理極限，第三代半導體日益受到重視。碳化硅、氮化鎵等產品不僅在新能源汽車、5G通信以及光伏領域扮演關鍵角色，而且正推動產業(yè)從材料到設備、制造等領域的改革，吸引各路廠商積極布局。近期，臺積電、X-FAB兩家公司傳出新進展。 臺積電：計劃將12英寸單晶碳化硅應...  [詳內文]

GaN巨頭換帥！曾就職于瑞薩、恩智浦、仙童

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 27 日 13:53 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
8月25日，全球氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）功率半導體領域領軍企業(yè)納微半導體宣布，董事會聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執(zhí)行官，自2025年9月1日起生效，同時他將加入董事會。 圖片來源：納微半導體新聞稿截圖 此次任命標志著公司管理層順利交接，聯(lián)合創(chuàng)...  [詳內文]

華為最新披露，1200V全垂直GaN技術進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 25 日 13:38 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
華為公司與山東大學的研究團隊近日聯(lián)合宣布，他們在高壓電力電子器件領域取得了重大突破。雙方成功開發(fā)出一種1200V全垂直GaN-on-Si溝槽MOSFET，其核心技術創(chuàng)新——氟注入終端（FIT-MOS）技術——顯著提升了器件的性能，使其達到了與成本高昂的GaN襯底器件相當?shù)乃?。這...  [詳內文]

韓國650V氮化鎵功率半導體，實現(xiàn)首次量產！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 25 日 13:38 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，韓國半導體公司ChipScale宣布，已經成功量產650V氮化鎵功率半導體，成為韓國首家實現(xiàn)這一技術的公司。 ChipScale是一家韓國無晶圓廠（Fabless）半導體公司，位于京畿道，專注于氮化鎵（GaN）功率半導體的設計與開發(fā)。據(jù)悉該公司的核心技術人員來自于韓國電子通...  [詳內文]

英諾賽科第三代700V氮化鎵全面上市

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 20 日 14:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
8月18日，英諾賽科宣布其第三代(Gen3) 700V 增強型氮化鎵功率器件系列正式全面上市。 圖片來源：英諾賽科 相較Gen2.5，英諾賽科Gen3產品核心性能實現(xiàn)躍升，具體包括： 芯片面積縮減30%：通過先進的工藝優(yōu)化與結構創(chuàng)新，顯著提升硅片利用率，助力實現(xiàn)更高功率密度設計...  [詳內文]

超過碳化硅！新型氮化鎵晶體管已突破800℃高溫

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 15 日 14:27 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，由賓夕法尼亞州立大學電氣工程教授Rongming Chu領導的研究團隊，設計出了一種可在800?℃下工作的氮化鎵晶體管——足以熔化食鹽的高溫。這項技術突破不僅挑戰(zhàn)了現(xiàn)有半導體材料的物理極限，更可能重塑極端環(huán)境下電子設備的設計邏輯。 傳統(tǒng)硅基晶體管因帶隙較窄（1.12eV），...  [詳內文]

臺積電宣布退出/調整6、8英寸產能，SiC、GaN受關注！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 13 日 14:09 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圓代工龍頭臺積電（TSMC）披露，董事會已決定在未來兩年內逐步退出6英寸晶圓制造業(yè)務，并持續(xù)整并8英寸晶圓產能。此舉對第三代半導體的碳化硅和氮化鎵產生了不同程度的影響。 臺積電在聲明中指出，此項決定不會影響公司先前公布的財務目標，即2025年美元營收將增長約30...  [詳內文]