隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)的快速迭代，氮化鎵（GaN）憑借高功率密度、低能耗、耐高溫等核心優(yōu)勢，已成為消費(fèi)電子、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域技術(shù)升級(jí)的關(guān)鍵支撐。近期，全球多家半導(dǎo)體及能源科技企業(yè)集中發(fā)力，推出多款基于氮化鎵技術(shù)的創(chuàng)新產(chǎn)品。
安費(fèi)諾推出高效氮化鎵微型逆變器，開辟商用市場新機(jī)遇
安費(fèi)諾能源（Enphase Energy）近日在加州發(fā)布了其最新的三相微型逆變器IQ9N-3P，專為商用光伏項(xiàng)目設(shè)計(jì)。這款逆變器首次引入氮化鎵（GaN）技術(shù)，氮化鎵是一種高效能半導(dǎo)體材料，有助于提升轉(zhuǎn)換效率和降低功率損耗，具有97.5%的轉(zhuǎn)換效率。
據(jù)了解，IQ9N-3P適用于480伏的商用項(xiàng)目，能夠承受16安培的直流持續(xù)電流，峰值輸出功率可達(dá)427伏安，支持高達(dá)600瓦的組件。安費(fèi)諾表示，該產(chǎn)品不僅適合100千瓦以下的小型商用系統(tǒng)，還能擴(kuò)展至數(shù)百千瓦的大型系統(tǒng)，具備靈活性，未來擴(kuò)容時(shí)無需重新設(shè)計(jì)。
公開資料顯示，安費(fèi)諾能源（Enphase Energy）成立于2006年，2012年在納斯達(dá)克上市，總部位于加利福尼亞州弗里蒙特，主要產(chǎn)品包括太陽能微逆變器、電池儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車充電站。
氮矽科技推出TOLL封裝的增強(qiáng)型硅基氮化鎵（GaN）晶體管
近日，氮矽科技官微宣布，推出TOLL封裝的增強(qiáng)型硅基氮化鎵（GaN）晶體管。
圖片來源：氮矽科技
據(jù)介紹，DX65TA030是一款650V, 30mΩ增強(qiáng)型硅基氮化鎵（GaN）晶體管，采用TOLL封裝與寬禁帶技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高功率密度。具備開爾文連接，抗干擾能力強(qiáng)，符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，具備高可靠性，是高性能電力電子應(yīng)用的優(yōu)選方案。
氮矽科技成立于2019年，是一家專注于氮化鎵功率半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司擁有 “E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power integrated in package）和PWM GaN”四大產(chǎn)品線，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)市場、新能源汽車、航空航天等領(lǐng)域。
瑞薩發(fā)布用于功率轉(zhuǎn)換的650V GaN FET
瑞薩電子推出3款新型高壓650V GaN FET，分別為TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS。
圖片來源：Renesas瑞薩電子
這三款產(chǎn)品基于第四代增強(qiáng)型SuperGaN?平臺(tái)，該平臺(tái)采用經(jīng)實(shí)際應(yīng)用驗(yàn)證的耗盡型（d-mode）常關(guān)斷架構(gòu)，由Transphorm公司首創(chuàng)，瑞薩電子于2024年6月收購了該公司。與硅基、碳化硅（SiC）和其它GaN產(chǎn)品相比，基于低損耗耗盡型技術(shù)的產(chǎn)品具有更高的效率。
這些第四代增強(qiáng)型（Gen IV Plus）器件專為多千瓦級(jí)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，將高效GaN技術(shù)與硅兼容柵極驅(qū)動(dòng)輸入相結(jié)合，在保留硅FET操作簡便性的同時(shí)，顯著降低了開關(guān)功率損耗。
新產(chǎn)品適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型800V高壓直流架構(gòu)）、電動(dòng)汽車充電、不間斷電源電池備份設(shè)備、電池儲(chǔ)能和太陽能逆變器等領(lǐng)域。此外，在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，也能提供高可靠性、高效率的功率轉(zhuǎn)換，支持設(shè)備小型化與能效升級(jí)。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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