近期，國務(wù)院新聞辦公室在北京舉行“高質(zhì)量完成‘十四五’規(guī)劃”系列主題新聞發(fā)布會。
會上，工業(yè)和信息化部副部長辛國斌提到，“十四五”期間，國家高新區(qū)內(nèi)先后誕生了全球首臺超導量子計算機、全球首個通用人工智能系統(tǒng)原型等原創(chuàng)技術(shù)和產(chǎn)品。今年上半年，全球首個氮化鎵量子光源芯片在成都高新區(qū)正式發(fā)布、全球最快的磁懸浮試驗速度在武漢東湖高新區(qū)被成功刷新，實現(xiàn)了多項全球領(lǐng)先。
資料顯示，今年5月9日，位于成都未來科技城的天府絳溪實驗室與電子科技大學在成都聯(lián)合發(fā)布了全球首個氮化鎵量子光源芯片。這一突破性成果標志著中國在量子科技領(lǐng)域邁出了重要一步，為量子互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展提供了關(guān)鍵硬件支撐。
據(jù)悉，氮化鎵量子光源芯片的實際尺寸僅有0.14平方毫米，但其發(fā)光范圍、出射亮度、糾纏質(zhì)量等關(guān)鍵指標均處于國際先進水平。
同時，該芯片攻克了高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導側(cè)壁與表面散射損耗等技術(shù)難題，在國際上首次運用氮化鎵材料，使芯片的輸出波長范圍從25.6納米增加到100納米，并朝著單片集成方向發(fā)展。
電子科技大學教授、天府絳溪實驗室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心主任周強表示，包括氮化鎵量子光源芯片在內(nèi)的量子產(chǎn)品有望在2026年實現(xiàn)多場景技術(shù)驗證。
（集邦化合物半導體整理）
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