文章分類： 氮化鎵GaN

氧化鎵：10年后將直接與碳化硅競爭

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 19 日 14:09 |
| 分類: 氮化鎵GaN
以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借耐高溫、抗高壓、開關(guān)速度快、效率高、節(jié)能、壽命長等特點(diǎn)，近年來被國內(nèi)外相關(guān)企業(yè)持續(xù)關(guān)注和布局，相信這股熱潮將會(huì)一路延續(xù)到2023年。 然而，在寬禁帶半導(dǎo)體材料發(fā)展勢如破竹的同時(shí)，學(xué)術(shù)界和科研界不約而同地展望下一代半...  [詳內(nèi)文]

美國國家儀器NI考慮出售

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 17 日 17:06 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)外媒報(bào)道，美國國家儀器有限公司NI（National Instruments Corp.）正在考慮出售。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 根據(jù)1月13日的聲明顯示，NI已經(jīng)請(qǐng)專家對(duì)一系列方案進(jìn)行評(píng)估，也包含了解潛在收購方及其他交易伙伴的興趣，其中，部分人已經(jīng)接洽了NI。 除此之外，...  [詳內(nèi)文]

投資90億新臺(tái)幣！臺(tái)亞積極布局氮化鎵

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 16 日 16:17 |
| 分類: 氮化鎵GaN
1月13日，投資中國臺(tái)灣事務(wù)所召開“歡迎臺(tái)商回臺(tái)投資行動(dòng)方案”聯(lián)審會(huì)議，臺(tái)亞半導(dǎo)體斥資近90億臺(tái)幣擴(kuò)大投資臺(tái)灣的方案獲通過。 根據(jù)投資方案，臺(tái)亞半導(dǎo)體將在竹科廠房興建無塵室，并增設(shè)智慧化產(chǎn)線、導(dǎo)入生產(chǎn)監(jiān)控?cái)?shù)位系統(tǒng)。此舉是為了深耕氮化鎵化合物半導(dǎo)體的研發(fā)與制造，并開拓全球市場。預(yù)計(jì)...  [詳內(nèi)文]

湖南三安：SiC出貨量破億，訂單超65億

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 13 日 16:49 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據(jù)湖南三安官方微信公眾號(hào)消息，2022年，湖南三安車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)SiC功率半導(dǎo)體出貨突破1億顆，新進(jìn)訂單及長期供應(yīng)協(xié)議累計(jì)金額超65億。從產(chǎn)品應(yīng)用來看，湖南三安的SiC產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)在汽車、工業(yè)、光伏等多個(gè)領(lǐng)域應(yīng)用。 新能源汽車方面，湖南三安的SiC二極管產(chǎn)品已有7款產(chǎn)品通過AE...  [詳內(nèi)文]

Odyssey宣布Q1開始送樣垂直GaN功率器件

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 11 日 17:26 |
| 分類: 氮化鎵GaN
2022年9月，美國GaN高壓垂直功率開關(guān)器件供應(yīng)商Odyssey Semiconductor Technologies Inc宣布完成1200V垂直GaN功率器件的開發(fā)目標(biāo)，計(jì)劃在第四季度開展樣品開發(fā)等工作。 到了1月9日，Odyssey宣布650V、1200V GaN垂直產(chǎn)品...  [詳內(nèi)文]

年產(chǎn)10萬片，遼寧將增加10條氮化鎵外延生產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 10 日 17:26 |
| 分類: 氮化鎵GaN
日前，遼寧百思特達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“百思特達(dá)”）氮化鎵半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目傳來新進(jìn)展：該項(xiàng)目已進(jìn)入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段。 據(jù)此前披露消息，項(xiàng)目于2019年11月開工建設(shè)，總投資3億元，占地面積125畝，總建筑面積5萬余平方米。其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產(chǎn)車間、1棟芯片封裝及...  [詳內(nèi)文]

捷捷微電高端功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目進(jìn)展順利

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 06 日 17:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
1月6日，捷捷微電在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司南通“高端功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”一期進(jìn)度符合預(yù)期，主要是針對(duì)產(chǎn)能及良率來設(shè)定預(yù)期，公司生產(chǎn)的產(chǎn)品良率也在預(yù)期內(nèi)，保持在95%以上。 此前，捷捷微電稱，目前公司推出的車規(guī)級(jí)SGT MOSFETs產(chǎn)品，部分產(chǎn)品已在新能源車上實(shí)現(xiàn)車用，客...  [詳內(nèi)文]

GaN上車提速，納微、英諾賽科等12大廠商誰跑得更快？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 06 日 10:32 |
| 分類: 氮化鎵GaN
隨著世界各地脫碳行動(dòng)加速提上日程，電動(dòng)汽車行業(yè)發(fā)展如日中升。盡管短期內(nèi)，電動(dòng)汽車的銷量仍受疫情、地緣政治等不穩(wěn)定因素的影響，但部分地區(qū)得益于供需關(guān)系改善，近期汽車行業(yè)產(chǎn)銷兩旺，如中國市場。 根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示，6月中國電動(dòng)汽車滲透率為23.8%，產(chǎn)量和銷售分別是59萬輛...  [詳內(nèi)文]

多元化GaN設(shè)計(jì)，市場進(jìn)入高速成長期

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 04 日 16:33 |
| 分類: 氮化鎵GaN
功率半導(dǎo)體市場持續(xù)成長 GaN最具爆發(fā)力 全球電力設(shè)備數(shù)量與規(guī)格不斷提升，帶動(dòng)功率半導(dǎo)體需求持續(xù)成長，且在第三類半導(dǎo)體材料導(dǎo)入下，整體市場蓬勃發(fā)展；其中，全球GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計(jì)從2021年1.1億美元成長到2025年13.2億美元，CAGR達(dá)86%。因基期較低，GaN成...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體作為西部重點(diǎn)，深圳發(fā)展計(jì)劃即將發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 30 日 17:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
深圳是中國重要的電子技術(shù)中心，多年來十分重視集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，旨在培育產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，打通上下游產(chǎn)業(yè)鏈，形成產(chǎn)業(yè)協(xié)同聯(lián)動(dòng)效應(yīng)。其中，第三代半導(dǎo)體作為近幾年的新興技術(shù)，也已經(jīng)成為政府重點(diǎn)培育的產(chǎn)業(yè)之一，相關(guān)利好政策不斷出臺(tái)。 近日，深圳舉辦了2022中國（深圳）集成電路峰會(huì)，會(huì)上透露...  [詳內(nèi)文]