文章分類： 氮化鎵GaN

國(guó)內(nèi)第一，這顆6英寸氧化鎵單晶擊碎“卡脖子”

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 01 日 8:57 |
| 分類: 氮化鎵GaN
昨（27）日，中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司（中國(guó)電科）宣布，近日，中國(guó)電科46所成功制備出我國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶，達(dá)到國(guó)際最高水平。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 01、中國(guó)電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶 氧化鎵，是繼Si、SiC及GaN后的第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以β-Ga2O...  [詳內(nèi)文]

納微2022全年?duì)I收2.64億，GaN和SiC業(yè)務(wù)并進(jìn)！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 27 日 17:22 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月23日，納微半導(dǎo)體公布了2022年Q4及全年財(cái)報(bào)，回顧了2022年的“高光時(shí)刻”，并表達(dá)了對(duì)2023年業(yè)務(wù)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張、業(yè)績(jī)強(qiáng)勁增長(zhǎng)的憧憬。 2022年業(yè)績(jī)回顧 2022年，納微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3790萬(wàn)美元（約合人民幣2.64億元），同比增長(zhǎng)60%；其中，Q4實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1230萬(wàn)美元...  [詳內(nèi)文]

近60家芯片企業(yè)融資完成，透露什么？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 27 日 17:19 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2023年已過(guò)去快兩個(gè)月，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從消沉走向復(fù)蘇仍然還有一段距離，不過(guò)細(xì)分領(lǐng)域的逆勢(shì)增長(zhǎng)有望給投資市場(chǎng)或半導(dǎo)體企業(yè)打入一劑強(qiáng)心針。 據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，近期共有57家半導(dǎo)體企業(yè)完成階段融資，這些企業(yè)涉及第三代半導(dǎo)體、車規(guī)級(jí)芯片、毫米波雷達(dá)芯片、傳感器等領(lǐng)域。據(jù)披露的...  [詳內(nèi)文]

中國(guó)科大研制出氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 27 日 17:13 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺(tái)在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，分別采用氧氣氛圍退火和N離子注入技術(shù)，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 相關(guān)研究成果分別以“Enhancement-modeβ-Ga2O3U-shaped g...  [詳內(nèi)文]

Transphorm公布最新財(cái)報(bào)，高功率GaN收入占比超70%

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 27 日 16:41 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
日前，高壓功率轉(zhuǎn)換GaN供應(yīng)商Transphorm 公布了2023財(cái)年第三季度（截至2022年12月31日）的財(cái)報(bào)，多項(xiàng)業(yè)務(wù)取得重要進(jìn)展，營(yíng)收表現(xiàn)良好。 上個(gè)季度，Transphorm 實(shí)現(xiàn)營(yíng)收450萬(wàn)美元（約合人民幣3125萬(wàn)元），環(huán)比增長(zhǎng)22%，同比微減2%。產(chǎn)品收入環(huán)比增長(zhǎng)...  [詳內(nèi)文]

總投資8億、年產(chǎn)能120萬(wàn)套，芯動(dòng)半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開(kāi)工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 27 日 16:37 | | 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據(jù)長(zhǎng)城汽車官網(wǎng)消息，2月26日，長(zhǎng)城無(wú)錫芯動(dòng)半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：芯動(dòng)半導(dǎo)體）“第三代半導(dǎo)體模組封測(cè)項(xiàng)目”奠基典禮在無(wú)錫舉行。 圖源：長(zhǎng)城汽車官網(wǎng) 該項(xiàng)目總投資8億元，建筑面積約30000㎡，規(guī)劃車規(guī)級(jí)模組年產(chǎn)能120萬(wàn)套，預(yù)計(jì)在2023年9月具備設(shè)備全面入廠條件，最...  [詳內(nèi)文]

高功率GaN收入占比超70%，這家廠商公布最新財(cái)報(bào)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 24 日 17:42 |
| 分類: 氮化鎵GaN
日前，高壓功率轉(zhuǎn)換GaN供應(yīng)商Transphorm 公布了2023財(cái)年第三季度（截至2022年12月31日）的財(cái)報(bào)，多項(xiàng)業(yè)務(wù)取得重要進(jìn)展，營(yíng)收表現(xiàn)良好。 上個(gè)季度，Transphorm 實(shí)現(xiàn)營(yíng)收450萬(wàn)美元（約合人民幣3125萬(wàn)元），環(huán)比增長(zhǎng)22%，同比微減2%。產(chǎn)品收入環(huán)比增長(zhǎng)...  [詳內(nèi)文]

華潤(rùn)集團(tuán)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約落地?zé)o錫

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 24 日 16:23 | | 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)無(wú)錫日?qǐng)?bào)報(bào)道，2月20日-22日，無(wú)錫市委書(shū)記杜小剛率無(wú)錫代表團(tuán)，拜訪華潤(rùn)集團(tuán)、光大控股、隆源控股、德昌電機(jī)、瑞東集團(tuán)等香港知名企業(yè)，考察香港貿(mào)易發(fā)展局、香港科學(xué)園等機(jī)構(gòu)，推進(jìn)錫港兩地在產(chǎn)業(yè)、科創(chuàng)、金融、教育、文旅等領(lǐng)域的對(duì)接合作。 本次活動(dòng)還舉辦簽約儀式。其中，華潤(rùn)集團(tuán)第三代...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子：國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)芯片IVCR1801A和1407A量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 17:23 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，瞻芯電子自主開(kāi)發(fā)的2款通用柵極驅(qū)動(dòng)芯片IVCR1801A、IVCR1407A啟動(dòng)了全國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈量產(chǎn)。 據(jù)了解，IVCR1801A和IVCR1407A均為單通道、高速、低側(cè)的柵極驅(qū)動(dòng)芯片（Gate-driver），已獲工規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（JEDEC)，且能兼容替代國(guó)際廠牌的成熟...  [詳內(nèi)文]

6.98億，國(guó)產(chǎn)射頻芯片龍頭國(guó)博電子擬開(kāi)展二期項(xiàng)目

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 17:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨（22）日，國(guó)產(chǎn)射頻芯片龍頭國(guó)博電子宣布，根據(jù)射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目整體規(guī)劃，擬使用自有或自籌資金購(gòu)買位于南京市江寧區(qū)金鑫西路以東、鳳礦路以西地塊的土地使用權(quán)（最終購(gòu)買金額和面積以實(shí)際出讓文件為準(zhǔn)），并開(kāi)展射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目二期建設(shè)。 項(xiàng)目與公司已建設(shè)的項(xiàng)目一期地塊為相鄰區(qū)...  [詳內(nèi)文]