文章分類： 氮化鎵GaN

金剛石功率器件要來(lái)了！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 18 日 18:28 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
外媒15日消息，日本精密零部件制造商Orbray與車載半導(dǎo)體研究公司Mirise Technologies（日本電裝與豐田合成于2020年聯(lián)合成立的合資公司）已經(jīng)達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將聯(lián)合開發(fā)垂直結(jié)構(gòu)金剛石功率器件。 據(jù)悉，合作項(xiàng)目為期3年，Orbray和Mirise將利用各自在...  [詳內(nèi)文]

直擊深圳國(guó)際半導(dǎo)體展：30+三代半廠商亮相！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 18 日 11:36 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
5月16日，為期三天的SEMI-e第五屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）盛大開幕。 本屆展會(huì)以“芯機(jī)會(huì) 智未來(lái)〞為主題，涵蓋6大特色展區(qū)，包括電子元器件、IC設(shè)計(jì)&芯片、晶圓制造及封裝、半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料、第三代半導(dǎo)體，為各領(lǐng)域的行業(yè)人士...  [詳內(nèi)文]

【會(huì)議預(yù)告】華燦光電：GaN功率器件創(chuàng)新應(yīng)用市場(chǎng)前景分析

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 15 日 17:40 |
| 分類: 氮化鎵GaN
GaN功率器件具有良好的耐熱性、導(dǎo)電性和散熱性。與硅元件相比，GaN功率器件具有更高的電流密度和遷移率。 基于GaN功率器件的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等諸多領(lǐng)域，是推進(jìn)電能高效利用的關(guān)鍵技術(shù)，也是節(jié)能減排的重要技術(shù)。 華燦光電十五年...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體發(fā)布全新GeneSiC SiCPAK?模塊

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 12 日 11:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，納微半導(dǎo)體宣布其采用了全新SiCPAK?模塊和裸片的領(lǐng)先碳化硅功率產(chǎn)品已擴(kuò)展到更高功率市場(chǎng)，包括鐵路、電動(dòng)汽車、工業(yè)、太陽(yáng)能、風(fēng)能和能量?jī)?chǔ)存等領(lǐng)域。 Source：納微半導(dǎo)體 目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋集中式和組串式太陽(yáng)能逆變器、能量?jī)?chǔ)存系統(tǒng)（ESS）、工業(yè)運(yùn)動(dòng)控制，電動(dòng)汽車（EV...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科進(jìn)軍高壓高功率市場(chǎng)，最新成果發(fā)布！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 11 日 17:29 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，海內(nèi)外諸多SiC、GaN廠商發(fā)布新品新技術(shù)。據(jù)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)不完全統(tǒng)計(jì)，安森美、英飛凌、安世半導(dǎo)體、英諾賽科、納微半導(dǎo)體、Transphorm、EPC、CGD等都發(fā)布了GaN或SiC最新開發(fā)成果，性能升級(jí)，應(yīng)用范圍也進(jìn)一步拓寬。其中，英諾賽科便發(fā)布了聯(lián)合研究成果，為進(jìn)軍高...  [詳內(nèi)文]

三安、英諾賽科、納微等云集，PCIM 2023亮點(diǎn)搶先看！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 11 日 16:11 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
5月9日，聚焦電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源及能源管理的2023德國(guó)紐倫堡電力電子展PCIM Europe開幕（5/9-11），海內(nèi)外SiC/GaN第三代半導(dǎo)體廠商匯聚一堂，以最新的技術(shù)和產(chǎn)品，向市場(chǎng)展示了SiC、GaN在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏儲(chǔ)能、通信基站、工業(yè)自動(dòng)化等高壓高...  [詳內(nèi)文]

【英諾賽科】GaN芯片出貨量全球第一！助力綠色能源高速發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 09 日 17:50 |
| 分類: 氮化鎵GaN
GaN正由當(dāng)前的低功率消費(fèi)電子市場(chǎng)轉(zhuǎn)向高功率數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、通信電源等市場(chǎng)，這些應(yīng)用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源，而GaN正是降低功耗和提高效率的關(guān)鍵一步。 英諾賽科作為全球領(lǐng)先的GaN IDM企業(yè)，致力于GaN功率器件性能及應(yīng)...  [詳內(nèi)文]

GaN/SiC收入占64%！三代半設(shè)備廠商愛思強(qiáng)Q1業(yè)績(jī)出爐

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 09 日 17:50 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨日，國(guó)際MOCVD設(shè)備廠商愛思強(qiáng)公布了2023年第一季度業(yè)績(jī)報(bào)告，營(yíng)收為7720萬(wàn)歐元，環(huán)比下降58%，同比下降13%。 這主要是由于出口許可證發(fā)放的延遲，導(dǎo)致價(jià)值7000萬(wàn)歐元的成品設(shè)備出貨量無(wú)法在本季度完成。 據(jù)了解，在總收入中，73%的業(yè)績(jī)來(lái)自設(shè)備銷售，27%來(lái)自售后服務(wù)...  [詳內(nèi)文]

SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體有什么疑慮？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 06 日 17:40 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
關(guān)于第三代半導(dǎo)體的疑慮，這場(chǎng)研討會(huì)都有答案。 第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)，先天性能優(yōu)越，是新能源汽車、5G、光伏等領(lǐng)域的“香餑餑”。然而，現(xiàn)實(shí)與理想之間尚有較大差距，我們對(duì)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展仍存疑慮： 前途光明，但入局者眾多、行業(yè)...  [詳內(nèi)文]

年?duì)I收1.5億、毛利約80%，芯谷微募資8.5億沖刺科創(chuàng)板

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 06 日 16:32 |
| 分類: 氮化鎵GaN
5月5日，上交所正式受理了合肥芯谷微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：芯谷微）于科創(chuàng)板上市的申請(qǐng)。 2022年?duì)I收1.49億、主營(yíng)業(yè)務(wù)毛利近80% 據(jù)了解，芯谷微專注于半導(dǎo)體微波毫米波芯片、微波模塊和T/R組件的研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售，主要向市場(chǎng)提供基于GaAs、GaN化合物半導(dǎo)體工藝...  [詳內(nèi)文]