2月3日，上海市第十六屆人大四次會議在世博中心開幕。上海市市長龔正作《政府工作報告》。報告表示，今年要推進臨港科創(chuàng)城建設(shè)，加快打造一批高水平科創(chuàng)社區(qū)，持續(xù)提升東方芯港、大飛機園等特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)能級，大力培育發(fā)展腦機接口、第四代半導(dǎo)體等未來產(chǎn)業(yè)。
第四代半導(dǎo)體是繼第一代硅基半導(dǎo)體、第二代化合物半導(dǎo)體（如砷化鎵、磷化銦）、第三代寬禁帶半導(dǎo)體（如碳化硅、氮化鎵）之后，面向極端環(huán)境與超高能效需求的新型半導(dǎo)體材料體系，核心特征是“超寬禁帶、超高熱導(dǎo)率、超強穩(wěn)定性”，目前以氧化鎵（Ga?O?）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）為代表，正逐步從實驗室走向產(chǎn)業(yè)化驗證。
相較于前三代產(chǎn)品，第四代半導(dǎo)體器件可實現(xiàn)更高能效、更小體積和更低能耗，能有效突破現(xiàn)有半導(dǎo)體的性能瓶頸，廣泛應(yīng)用于800V新能源汽車高壓平臺、智能電網(wǎng)、儲能變流器、太赫茲通信、量子芯片等高端領(lǐng)域，被視為下一代功率電子產(chǎn)業(yè)的核心突破口，也是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭的新焦點。目前，三星電子、英特爾等全球企業(yè)均在積極布局相關(guān)領(lǐng)域，爭奪產(chǎn)業(yè)發(fā)展先機。
上海方面，依托高能級科創(chuàng)平臺和科研院所，在第四代半導(dǎo)體核心技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)突破，多項成果達到國際領(lǐng)先水平。
其中，中國科學(xué)院上海光機所作為國內(nèi)較早從事氧化鎵晶體研究的單位，在上海市科委第四代半導(dǎo)體戰(zhàn)略前沿專項的支持下，聯(lián)合杭州富加鎵業(yè)科技有限公司，在國際上首次采用垂直布里奇曼法（VB法）制備出8英寸氧化鎵晶體，刷新了國際VB法制備氧化鎵晶體的最大尺寸紀錄，具有里程碑式意義——當前國內(nèi)功率器件產(chǎn)線以8英寸平臺為主流，該尺寸晶體可直接適配現(xiàn)有產(chǎn)線工藝，大幅降低產(chǎn)業(yè)鏈適配成本，加速氧化鎵從實驗室走向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的步伐。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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