近日，研微（江蘇）半導體科技有限公司（以下簡稱“研微半導體”）完成數億元A輪融資，投資方包括永鑫方舟、金圓資本、合肥產投等知名投資機構。該公司成立3年已有多臺設備通過Fab廠驗證，募集資金將用于未來研發(fā)投入及擴充團隊。
公開資料顯示，#研微半導體?成立于2022年，總部位于無錫，主要專注于高端原子層沉積（ALD）、等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）以及特色外延設備技術，涵蓋熱原子層沉積（tALD）、等離子體增強原子層沉積（PEALD）、硅外延（SI EPI）、碳化硅外延（SiC EPI）、等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）等核心技術，產品廣泛應用于高端集成電路、功率器件、射頻元件及先進封裝領域。
圖片來源：研微半導體官網
研微半導體目前重點突破的tALD、PEALD、低壓EPI等細分領域，市場份額主要由美日歐廠商占據，高端薄膜沉積設備進口受限。憑借在金屬柵極、高深寬比溝槽填充等細分工藝的突破，研微半導體在最前沿半導體技術競爭中建立優(yōu)勢，實現國產替代。
此前11月7日，研微半導體披露，其自主研發(fā)的Spritz系列首臺新材料原子層沉積（tALD）設備在無錫完成出廠交付，并同步實現“雙機”發(fā)運，成功交付國內邏輯與存儲芯片雙領域頭部企業(yè)。
圖片來源：研微半導體
該設備聚焦AI算力芯片制造需求，在HKMG金屬層沉積、NAND WL、DRAM bWL及SN區(qū)域薄膜填充等關鍵工藝實現突破，填補國內金屬原子層沉積空白，憑借先進進氣、混氣與勻流系統(tǒng)顯著提升薄膜均勻性和產能穩(wěn)定性，助力先進制程國產化。
研微半導體自2022年10月在無錫成立以來，短短三年內已完成多輪融資：當年12月獲天使輪，2023年7月再獲天使+輪，2024年1月完成數億元Pre-A輪，并于今年內連續(xù)完成三輪數億元融資。
隨著邏輯芯片制程的持續(xù)升級和3D存儲芯片對多層高深寬比結構要求的不斷提高，ALD技術憑借其原子層級沉積特點，具有薄膜厚度精確度高、均勻性好、極佳的臺階覆蓋率（Conformal Coverage）、溝槽填充性能極佳等優(yōu)勢。ALD/PEALD技術在高深寬比結構（如3D NAND閃存的多層堆疊、先進邏輯芯片的接觸孔）中的高保形性是傳統(tǒng)CVD難以比擬的，特別適合在對薄膜質量和臺階覆蓋率有較高要求的領域應用，在45nm以下節(jié)點、先進封裝、3D結構等半導體薄膜沉積環(huán)節(jié)有大量需求。
此外，研微半導體的SiC EPI設備，瞄準的是第三代半導體功率器件市場。這一特色外延設備與高端集成電路薄膜沉積設備同為國家重點鼓勵的國產替代方向。
2025年，除研微半導體外，微導納米、拓荊科技和中微公司等企業(yè)也在高端薄膜沉積設備領域加速突破：微導納米的ALD批量與單片設備已通過多家客戶驗證，在手訂單超23億元；拓荊科技完成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD全系列布局，核心指標達國際水平；中微公司LPCVD設備首臺銷售后半年收入達1.99億元，同比增長約6倍，共同推進國產設備進程。
（集邦化合物半導體 竹子 整理）
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