文章分類： 氮化鎵GaN

EPC與瑞薩電子達(dá)成氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 02 月 14 日 13:57 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，全球增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN）功率器件企業(yè)宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布，已與瑞薩電子（Renesas）簽署一項(xiàng)全面的技術(shù)許可及第二來源（Second Sourcing）合作協(xié)議。 根據(jù)該協(xié)議，瑞薩將獲得EPC經(jīng)市場驗(yàn)證的低壓eGaN技術(shù)及其成熟供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的使用權(quán)，旨在通...  [詳內(nèi)文]

英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》：氮化鎵市場進(jìn)入高速增長爆發(fā)期

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 02 月 12 日 16:23 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN
全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌（Infineon）近日正式發(fā)布白皮書《2026年GaN技術(shù)展望》，深度揭示了氮化鎵（GaN）技術(shù)在未來幾年的發(fā)展趨勢、創(chuàng)新突破及其在塑造可持續(xù)未來中的關(guān)鍵作用 。 英飛凌指出，氮化鎵（GaN）正作為一種變革性創(chuàng)新技術(shù)脫穎而出，在AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科GaN產(chǎn)品打入谷歌供應(yīng)鏈

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 02 月 04 日 16:41 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
2月3日，英諾賽科在官網(wǎng)發(fā)布《有關(guān)與谷歌公司重大業(yè)務(wù)進(jìn)展的公告》：公司旗下氮化鎵相關(guān)產(chǎn)品已成功完成在谷歌公司相關(guān)AI硬件平臺的重要設(shè)計(jì)導(dǎo)入，并正式簽訂合規(guī)供貨協(xié)議。 圖片來源：英諾賽科公告截圖 作為全球氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)，英諾賽科此次與#谷歌 的合作，聚焦于AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中...  [詳內(nèi)文]

半導(dǎo)體大廠強(qiáng)強(qiáng)合作，氮化鎵產(chǎn)業(yè)迎變局

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 29 日 15:25 |
| 分類: 氮化鎵GaN
隨著全球AI浪潮洶涌而至以及綠色能源轉(zhuǎn)型的迫切需求，第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)正迎來關(guān)鍵的黃金發(fā)展期。根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)估，全球GaN功率元件市場規(guī)模將以高達(dá)44%的年復(fù)合增長率，從2024年的3.9億美元一路攀升至2030年的35.1億美元...  [詳內(nèi)文]

西電團(tuán)隊(duì)再次取得氮化鎵散熱突破

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 21 日 15:02 |
| 分類: 氮化鎵GaN
據(jù)西安電子科技大學(xué)官方消息，近日，郝躍院士張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)的最新研究在這一核心難題上實(shí)現(xiàn)了歷史性跨越——他們通過將材料間的“島狀”連接轉(zhuǎn)化為原子級平整的“薄膜”，使芯片的散熱效率與綜合性能獲得了飛躍性提升。 這個(gè)問題自2014年相關(guān)成核技術(shù)獲得諾貝爾獎(jiǎng)以來，一直未能徹底解決，成為制...  [詳內(nèi)文]

三家公司獲新一輪融資，涉及碳化硅、氮化鎵與射頻

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 19 日 15:17 | | 分類: 企業(yè) , 射頻 , 氮化鎵GaN
近日，半導(dǎo)體行業(yè)融資領(lǐng)域動(dòng)作不斷，上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司完成B+輪融資，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司完成D輪融資，北京序輪科技有限公司完成總額超億元的A3、A4輪戰(zhàn)略融資，這三家公司的融資涉及碳化硅、氮化鎵與射頻等熱門領(lǐng)域，在行業(yè)內(nèi)引發(fā)廣泛關(guān)注。 1、芯元基半導(dǎo)體B+輪融資 ...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科GaN芯片累計(jì)出貨破20億顆

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 09 日 17:29 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，英諾賽科通過官方微信公眾號宣布其氮化鎵（GaN）功率芯片累計(jì)出貨量已達(dá)20億顆。 圖片來源：英諾賽科 據(jù)公開數(shù)據(jù)顯示，英諾賽科的氮化鎵芯片出貨量實(shí)現(xiàn)了跨越式增長：2019年累計(jì)出貨量尚不足500萬顆，到2024年已突破12億顆，2025年便攀升至20億顆，較2024年同比...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵襯底材料廠商IPO申請獲受理

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 04 日 16:08 |
| 分類: 氮化鎵GaN
2025年12月31日，上海證券交易所官網(wǎng)公示信息顯示，廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司（簡稱“中圖科技”）首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的申請已正式獲受理，保薦機(jī)構(gòu)為國泰海通證券股份有限公司，審計(jì)機(jī)構(gòu)為天健會計(jì)師事務(wù)所(特殊普通合伙)，律師事務(wù)所為北京市中倫律師事務(wù)所。 圖片來...  [詳內(nèi)文]

小批量出貨+戰(zhàn)略合作，又一氮化鎵廠商沖刺機(jī)器人賽道！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 31 日 17:12 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，國內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)宏微科技在氮化鎵（GaN）領(lǐng)域動(dòng)作頻頻，先是披露自主研發(fā)的氮化鎵產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)小規(guī)模出貨，隨后又與國內(nèi)傳動(dòng)領(lǐng)域頭部企業(yè)達(dá)成戰(zhàn)略合作，聚焦氮化鎵器件聯(lián)合共研及多領(lǐng)域應(yīng)用拓展。 與國內(nèi)傳動(dòng)領(lǐng)域頭部企業(yè)達(dá)成戰(zhàn)略合作 12月29日，宏微科技公告稱，公司與一家國內(nèi)傳動(dòng)領(lǐng)...  [詳內(nèi)文]

兩家頭部大廠合作開發(fā)下一代氮化鎵功率器件

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 23 日 14:51 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，安森美（onsemi）正式宣布，已與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商格芯（GlobalFoundries，GF）簽署合作協(xié)定。雙方將基于格芯先進(jìn)的200毫米（8英寸）增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eMode GaN-on-silicon）制程技術(shù)，共同開發(fā)下一代氮化鎵功率元件。 圖片來源：安森...  [詳內(nèi)文]