文章分類： 企業(yè)

湖南這家碳化硅設備廠商，1900℃高溫煉出“芯”材料

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 15 日 14:28 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日媒體報道，在湖南艾科威半導體裝備有限公司（以下簡稱“艾科威”）里，一臺制作半導體材料的碳化硅（SiC）高溫激活爐正在裝車，準備發(fā)往外地某芯片公司。 艾科威研發(fā)總監(jiān)尹昊介紹，碳化硅高溫激活爐，通過在高溫環(huán)境下對碳化硅材料進行表面改性處理，實現(xiàn)晶圓表面石墨層的制備，主要應用于碳化...  [詳內文]

11.2億，這家遼寧碳化硅企業(yè)正式被收購！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 15 日 14:21 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
8月13日，正帆科技宣布以11.2億元現(xiàn)金收購遼寧漢京半導體材料有限公司62.23%的股權，此次交易完成后，漢京半導體將成為正帆科技的控股子公司。 圖片來源：正帆科技公告 此次收購的定價基于#漢京半導體?100%股權估值18億元，資金來源包括#正帆科技?自有資金及銀行貸款。支付...  [詳內文]

英飛凌發(fā)布2025財年第三季度財報

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 14 日 14:00 |
| 分類: 企業(yè)
近日，英飛凌今日公布了其2025財年第三季度的業(yè)績，并對全年進行了最新展望。 根據(jù)財報數(shù)據(jù)，英飛凌第三季度（截至2025年6月30日）營收達到37.04億歐元，環(huán)比增長3%，略高于市場預期。在盈利能力方面，公司當季部門利潤為6.68億歐元，部門利潤率達到18.0%，較上一季度的1...  [詳內文]

擬向吉萊微電子增資2.2億，綜藝股份進軍功率半導體迎新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 14 日 13:55 |
| 分類: 企業(yè) , 功率
近期，綜藝股份披露重大資產購買報告書（草案），公司擬向江蘇吉萊微電子股份有限公司（簡稱“吉萊微電子”）增資2.2億元人民幣，取得吉萊微電子4323.3494萬股股份，占其增資后總股本的45.28%；同時吉萊微電子原實際控制人之一李大威同意將其直接持有的吉萊微電子828.71萬股股...  [詳內文]

臺積電宣布退出/調整6、8英寸產能，SiC、GaN受關注！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 13 日 14:09 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圓代工龍頭臺積電（TSMC）披露，董事會已決定在未來兩年內逐步退出6英寸晶圓制造業(yè)務，并持續(xù)整并8英寸晶圓產能。此舉對第三代半導體的碳化硅和氮化鎵產生了不同程度的影響。 臺積電在聲明中指出，此項決定不會影響公司先前公布的財務目標，即2025年美元營收將增長約30...  [詳內文]

天岳先進大力擴產，港股募約17.64億元！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 12 日 13:38 |
| 分類: 企業(yè)
8月11日，山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）正式開啟港股招股，計劃全球發(fā)售4774.57萬股H股，其中香港發(fā)售占5%，國際發(fā)售占95%，發(fā)售價將不高于42.8港元。此次IPO引入了國能環(huán)保、未來資產證券、山金資產、和而泰等5名基石投資者，合計認購約7.4億港元...  [詳內文]

Wolfspeed、英諾賽科動態(tài)，涉及碳化硅、氮化鎵新品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 17:05 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
第三代半導體領域，Wolfspeed與英諾賽科近日推出創(chuàng)新產品——Wolfspeed發(fā)布第四代1200V車規(guī)級碳化硅MOSFET，英諾賽科推出全球首款100V氮化鎵低邊驅動IC，雙雙發(fā)力，為新能源汽車動力系統(tǒng)與電池管理生態(tài)注入新動能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V車...  [詳內文]

中芯國際：未來將配合建立SiC、GaN等第三代半導體產能

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:42 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍在業(yè)績會上表示，公司未來將根據(jù)國際客戶的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）等第三代半導體產能。 這一戰(zhàn)略舉措標志著中芯國際在第三代半導體領域的進一步拓展，旨在滿足國內市場對高端半導體產品的需求，...  [詳內文]

國產射頻新篇章，歐益睿芯6英寸GaN工藝平臺開放

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:39 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
隨著5G/6G通信、雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星互連等高頻高功率應用場景的快速發(fā)展，碳化硅襯底氮化鎵（GaN on SiC）技術已成為全球半導體產業(yè)的競爭焦點。在國際廠商主導的市場格局下，國內產業(yè)鏈的自主化進程對高可靠性、高性能、低成本的本土工藝平臺需求日益迫切。 近日，合肥歐益睿芯科技有限公...  [詳內文]

英國這家初創(chuàng)公司，憑兩大新專利進軍GaN與SiC市場

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:01 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
隨著寬禁帶半導體領域部分核心專利陸續(xù)到期，一場技術創(chuàng)新的浪潮正悄然興起。英國初創(chuàng)公司#柵源漏半導體（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住這一歷史機遇，正專注于研發(fā)新一代的專利保護型寬禁帶半導體材料與器件。該公司計劃在未來2-3年內，推出垂直...  [詳內文]