進入12月，全球碳化硅（SiC）功率器件領域迎來密集技術落地，頭部企業(yè)紛紛加碼高壓、高可靠性產品布局。納微半導體與威世（Vishay）相繼發(fā)布重磅SiC新品，分別聚焦超高壓場景突破與中功率市場適配。
1、納微半導體發(fā)布3300V/2300V超高壓SiC全系產品組合
12月1日，納微半導體宣布，其全新3300V與 2300V超高壓（UHV）SiC產品已正式開始向市場提供樣品，覆蓋功率模塊、分立器件及裸片（KGD）等多種形態(tài)。該系列產品在超高壓功率電子器件領域樹立了全新的可靠性與性能標桿。
納微全新3300V和2300V SiC器件基于其第四代GeneSiC?平臺研發(fā)，采用TAP（溝槽輔助平面柵技術）架構，通過多級電場管理設計顯著降低電壓應力、提升耐壓能力，相較傳統(tǒng)trench或平面型SiC MOSFET展現(xiàn)更優(yōu)的電壓特性和可靠性。
此外，納微進一步擴展3300V/2300V UHV SiC產品組合，提供靈活多樣的封裝格式，以滿足客戶端不同應用的需求。針對高功率密度與高可靠性系統(tǒng)，推出了先進的SiCPAK? G+功率模塊，支持半橋與全橋拓撲。
據(jù)悉，SiCPAK? G+模塊采用獨特的環(huán)氧樹脂灌封技術，相比業(yè)內常見的硅膠灌封方案，可實現(xiàn) >60%的功率循環(huán)壽命提升，以及>10倍的熱沖擊可靠性改進。
資料顯示，納微半導體成立于2014年，是全球下一代功率半導體領域的領軍企業(yè)，核心技術聚焦氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）寬禁帶材料，產品覆蓋消費電子、AI數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等領域，氮化鎵芯片發(fā)貨超1.25億顆。
2、威世推出1200V SiC MOSFET功率模塊
12月4日，威世（Vishay ）正式推出兩款1200V SiC MOSFET功率模塊——VS-MPY038P120與VS-MPX075P120，兩款產品均基于威世新一代碳化硅技術打造，針對中高頻、高功率密度的功率轉換場景進行深度優(yōu)化，為能源、汽車、工業(yè)等領域提供高效可靠的解決方案。
圖片來源：Vishay威世科技
其中，VS-MPY038P120采用全橋逆變器拓撲，導通電阻低至38mΩ，在+80℃工況下可支持35A連續(xù)漏極電流；VS-MPX075P120 則采用三相逆變器拓撲，導通電阻為75mΩ，+80℃下連續(xù)漏極電流可達18A，兩款模塊均具備 1200V耐壓值與175℃最高工作結溫，能適配復雜工況下的長期穩(wěn)定運行。
目前，這兩款1200V SiC MOSFET功率模塊已正式進入量產階段，客戶可申請樣品測試，批量供貨周期約為13周，能夠快速響應行業(yè)對高性能碳化硅功率器件的批量需求。
資料顯示，威世是全球電子元器件領域的領軍企業(yè)，成立于1962年，專注無源與半導體器件研發(fā)制造。產品線覆蓋電阻、電容、電感等無源元件，以及二極管、傳感器等半導體與光電子產品，廣泛應用于汽車、工業(yè)、消費電子、航空航天等領域。
（集邦化合物半導體 Niko 整理）
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