文章分類： 企業(yè)

聚焦AI和HPC應用，Coherent發(fā)布突破性金剛石SiC材料

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 13 日 17:05 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
隨著人工智能（AI）和高性能計算（HPC）領域的快速發(fā)展，芯片功耗不斷攀升，散熱問題已成為限制性能和可靠性的關鍵瓶頸。6月13日，美國Coherent（高意）宣布，推出其突破性的金剛石-碳化硅（diamond-SiC）復合材料，旨在徹底改變人工智能和高性能計算HPC應用中的熱管理...  [詳內文]

GaN驅動電源革新，多款氮化鎵電源產品發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 13 日 17:00 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
在科技飛速發(fā)展的當下，氮化鎵（GaN）技術正以其卓越的性能，為電源領域帶來一場深刻變革。近期，MPS芯源系統和小米生態(tài)鏈企業(yè)酷態(tài)科，分別推出集成氮化鎵技術的新產品，引發(fā)行業(yè)廣泛關注。 1、MPS發(fā)布集成氮化鎵的高效電源方案 6月初，MPS芯源系統發(fā)布兩款新品——NovoOne開關...  [詳內文]

助力功率半導體，羅姆發(fā)布新SPICE模型

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 12 日 16:06 |
| 分類: 企業(yè) , 功率
6月10日，羅姆宣布推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。 圖片來源：羅姆——用戶可從第4代SiC MOSFET相應產品頁面的“設計模型”中下載 羅姆介紹，功率半導體的損耗對系統整體效率有重大影響，因此在設計階段的仿真驗證中，模...  [詳內文]

納微半導體“朋友圈”+1，碳化硅助力重型農業(yè)運輸

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 12 日 16:06 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，納微半導體正式宣布與BrightLoop達成戰(zhàn)略合作，雙方將圍繞新一代氫燃料電池充電系統，運用先進的第三代半導體技術，致力于推動高效、高可靠性的能源管理方案在農業(yè)與重型運輸領域實現商業(yè)化落地。 圖片來源：納微半導體 此次合作中，納微將為BrightLoop最新系列的氫燃料...  [詳內文]

又一批第三代半導體項目刷新進度：封頂、試運行、沖刺生產！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 12 日 15:20 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 砷化鎵
在全球科技競爭日益激烈的當下，第三代半導體憑借其卓越的性能，成為推動電子信息產業(yè)變革的關鍵力量。近期，第三代半導體領域多個項目取得重要進展，為該行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。 01奧通碳素半導體級等靜壓石墨項目：設備調試收官+試生產并行 6月9日，據“最內江”公眾號消息，奧通碳素（內...  [詳內文]

格力電器：已建立SiC SBD和MOS芯片工藝平臺，董明珠卸任零邊界董事長

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 12 日 15:16 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，格力電器在芯片領域的戰(zhàn)略布局迎來關鍵性人事調整與技術突破。格力電器披露，已成功建立起#碳化硅（SiC）SBD和MOS芯片的完整工藝平臺，部分產品不僅實現內部批量使用，更已為多家芯片設計公司提供晶圓流片制造服務，這標志著格力在第三代半導體戰(zhàn)略已正式進入量產階段。 與此同時，格...  [詳內文]

華為任正非：中國在中低端芯片有機會，特別是化合物半導體

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 12 日 15:09 |
| 分類: 企業(yè) , 半導體產業(yè)
“人民日報”官微消息，近期，在深圳華為總部，圍繞大眾關心的一些熱點話題，人民日報記者一行與華為首席執(zhí)行官任正非面對面交流。 談及中國芯片發(fā)展，任正非表示，中國在中低端芯片上是可以有機會的，中國數十、上百家芯片公司都很努力。特別是化合物半導體 機會更大 硅基芯片，我們用數學補物理、...  [詳內文]

華東理科大學氮化鎵晶圓檢測研究新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:11 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，華東理科大學上海市智能感知與檢測技術重點實驗室智能傳感團隊在氮化鎵晶圓檢測研究中取得重要進展。 圖片來源：華東理科大學 團隊利用開發(fā)的二維有機薄膜憶阻器實現了有圖案晶圓的缺陷檢測和無圖案晶圓的表面粗糙度分類。 相關研究成果以“Covalent organic framew...  [詳內文]

東芝公布碳化硅新技術

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:08 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，東芝發(fā)布公告表示，其基于自主研發(fā)的“小型芯片布局設計技術”和“基于AI設計優(yōu)化技術”，開發(fā)出了一種“樹脂絕緣型SiC功率半導體模塊”，能顯著提高使用“樹脂”作為絕緣基板的SiC功率模塊的功率密度（單位面積的功率處理能力）。 東芝介紹，無論何種絕緣類型（包括陶瓷）的功率模塊都...  [詳內文]

繼武漢碳化硅基地投產后，長飛先進再獲進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:03 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據長飛先進官微消息，近日，北京經緯恒潤科技股份有限公司（簡稱 “經緯恒潤”）與安徽長飛先進半導體股份有限公司（簡稱 “長飛先進”）順利完成戰(zhàn)略合作協議簽約。未來，雙方將充分發(fā)揮各自在汽車動力及碳化硅功率半導體領域的資源優(yōu)勢，共同推進國產碳化硅模塊的車規(guī)認證進程及批量生產、交付，助...  [詳內文]