近期，碳化硅領(lǐng)域新進(jìn)展不斷。三安光電全資子公司湖南三安舉行碳化硅芯片上車儀式，與理想汽車合作邁入新階段，未來(lái)還將加大研發(fā)投入鞏固優(yōu)勢(shì)；晶盛機(jī)電在接受鵬華基金調(diào)研時(shí)，回應(yīng)了碳化硅產(chǎn)能、不同尺寸進(jìn)展等問(wèn)題，其業(yè)務(wù)成果顯著，并對(duì)碳化硅未來(lái)前景充滿信心。
01、三安光電碳化硅芯片成功上車
近期，三安光電全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“湖南三安”）在長(zhǎng)沙舉行三安碳化硅芯片上車儀式，標(biāo)志著三安與理想汽車自2022年開啟合作以來(lái)，戰(zhàn)略協(xié)同取得實(shí)質(zhì)性突破，雙方合作正式邁入規(guī)模化、深度化新階段。
圖片來(lái)源：三安半導(dǎo)體
湖南三安表示，未來(lái)湖南三安將繼續(xù)堅(jiān)定推進(jìn)以“車規(guī)化、平臺(tái)化、高效能、全鏈自主”為核心的發(fā)展戰(zhàn)略，致力于為理想汽車這樣的行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)提供更領(lǐng)先、更可靠的功率半導(dǎo)體解決方案，共同推動(dòng)新能源汽車產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步。
理想汽車指出，湖南三安在第三代半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局以及其新一代碳化硅芯片所展現(xiàn)出的卓越產(chǎn)品力，為理想汽車純電車型的研發(fā)落地和快速迭代提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐。我們期待與三安持續(xù)深化合作，共同探索前沿技術(shù)應(yīng)用，攜手推動(dòng)新能源汽車產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與變革。
在未來(lái)三至五年，三安將持續(xù)加大在車規(guī)級(jí)SiC MOSFET與GaN（氮化鎵）制造服務(wù)平臺(tái)領(lǐng)域的研發(fā)投入，全力加速8英寸產(chǎn)線的產(chǎn)能爬坡與良率提升，進(jìn)一步鞏固其在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的核心競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
02、晶盛機(jī)電回應(yīng)碳化硅新進(jìn)展
近期，晶盛機(jī)電接受鵬華基金調(diào)研，回應(yīng)了碳化硅產(chǎn)能，8寸、12寸碳化硅進(jìn)展等一系列問(wèn)題。
晶盛機(jī)電積極布局碳化硅產(chǎn)能，在上虞布局年產(chǎn)30萬(wàn)片碳化硅襯底項(xiàng)目；并基于全球碳化硅產(chǎn)業(yè)的良好發(fā)展前景和廣闊市場(chǎng)，在馬來(lái)西亞檳城投建8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，進(jìn)一步強(qiáng)化公司在全球市場(chǎng)的供應(yīng)能力；同時(shí)，在銀川投建年產(chǎn)60萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底片配套晶體項(xiàng)目，不斷強(qiáng)化公司在碳化硅襯底材料領(lǐng)域的技術(shù)和規(guī)模優(yōu)勢(shì)。
晶盛機(jī)電碳化硅襯底材料業(yè)務(wù)已實(shí)現(xiàn)6-8英寸碳化硅襯底規(guī)?；慨a(chǎn)與銷售，量產(chǎn)的碳化硅襯底核心參數(shù)指標(biāo)達(dá)到行業(yè)一流水平，8英寸碳化硅襯底技術(shù)和規(guī)模處于國(guó)內(nèi)前列，公司積極推進(jìn)碳化硅襯底在全球的客戶驗(yàn)證，送樣客戶范圍大幅提升，產(chǎn)品驗(yàn)證進(jìn)展順利，并成功獲取部分國(guó)際客戶批量訂單。
今年9月26日，晶盛機(jī)電首條12英寸碳化硅襯底加工中試線在子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通線，至此，子公司浙江晶瑞SuperSiC真正實(shí)現(xiàn)了從晶體生長(zhǎng)、加工到檢測(cè)環(huán)節(jié)的全線設(shè)備自主研發(fā)，100%國(guó)產(chǎn)化，標(biāo)志著晶盛在全球SiC襯底技術(shù)從并跑向領(lǐng)跑邁進(jìn)，邁入高效智造新階段。
圖片來(lái)源：晶盛機(jī)電
此外，晶盛機(jī)電還談及了碳化硅未來(lái)前景，其認(rèn)為SiC是第三代半導(dǎo)體材料的核心代表，因其耐高壓、高頻、高效等特性，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信等重點(diǎn)行業(yè)。同時(shí)，在AR設(shè)備、CoWoS先進(jìn)封裝中間基板等新興應(yīng)用領(lǐng)域，SiC也正逐步成為推動(dòng)技術(shù)突破的關(guān)鍵材料。
（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）
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