近期，功率半導(dǎo)體行業(yè)迎來重要技術(shù)進(jìn)展，英飛凌、GE Aerospace和SemiQ Inc三家企業(yè)分別在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領(lǐng)域取得新進(jìn)展。
01、英飛凌推出首款100V車規(guī)級(jí)GaN晶體管
11月6日，英飛凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽車電子委員會(huì)(AEC)汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵(GaN)晶體管系列，正式進(jìn)軍車規(guī)級(jí)GaN市場(chǎng)。該系列命名為CoolGaN? 100V G1，已開始提供符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)量產(chǎn)樣品，包括CoolGaN?高壓(HV)車規(guī)級(jí)晶體管及多種雙向開關(guān)。
圖片來源：英飛凌
英飛凌科技GaN業(yè)務(wù)線負(fù)責(zé)人Johannes Schoiswohl表示：”通過將GaN功率技術(shù)引入快速發(fā)展的軟件定義汽車和電動(dòng)汽車市場(chǎng)，英飛凌將進(jìn)一步鞏固其在汽車半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。此次推出100V GaN車規(guī)級(jí)晶體管解決方案和即將擴(kuò)展的高壓產(chǎn)品組合，是我們開發(fā)高能效、高可靠性的車規(guī)級(jí)功率晶體管進(jìn)程中的重要里程碑。”
相比傳統(tǒng)硅基器件，GaN功率器件能實(shí)現(xiàn)更小的尺寸、提供更高的能效，同時(shí)降低系統(tǒng)成本。在軟件定義汽車從12V向48V系統(tǒng)轉(zhuǎn)型的過程中，基于GaN的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)不僅能提升性能，還可支持線控轉(zhuǎn)向、實(shí)時(shí)底盤控制等先進(jìn)功能，極大改善駕乘舒適性與操控性。
CoolGaN? 100V G1車規(guī)級(jí)晶體管主要適用于區(qū)域控制和主DC-DC轉(zhuǎn)換器、高性能輔助系統(tǒng)及D類音頻放大器等應(yīng)用場(chǎng)景，為車載信息娛樂系統(tǒng)、高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和新型氣候控制系統(tǒng)提供高效電源解決方案。
02、GE Aerospace發(fā)布第4代碳化硅MOSFET器件
11月12日，GE Aerospace宣布在紐約尼斯卡尤納的研究中心成功演示了第四代碳化硅（SiC）功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）芯片，這將提升切換速度、效率和耐用性。
圖片來源：GE Aerospace官網(wǎng)
據(jù)了解，這款最新一代的SiC功率器件芯片尺寸為5毫米×5毫米，提供1200V和11mΩ的電壓，擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的200°C溫度額定。 隨著各行業(yè)在混合動(dòng)力和純電動(dòng)車（HEV和BEV）平臺(tái)中采用先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)，以及更高效的電力解決方案，這些先進(jìn)電力設(shè)備將在效率和功率密度上帶來重大突破，以滿足日益增長(zhǎng)的能源和電力需求。
GE Aerospace 總裁兼總經(jīng)理Kris Shepherd表示：“我們最新的第四代SiC MOSFET在性能上帶來了飛躍性的變化，使其在汽車、可再生能源、人工智能數(shù)據(jù)中心和工業(yè)電力行業(yè)等多個(gè)行業(yè)中極具吸引力?！边@些行業(yè)有機(jī)會(huì)在所有這些應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)效率、可靠性和功率密度的顯著提升?！?/p>
03、SemiQ推出新型SOT-227封裝高性能碳化硅模塊
11月13日，SemiQ Inc宣布推出了五款提供R功能的SOT-227模塊DSon（DSon）分別是7.4、14.5和34 mΩ。SemiQ的GCMS模塊采用肖特基勢(shì)場(chǎng)二極管（SBD），在高溫下開關(guān)損耗更低，尤其與非SBD的GCMX模塊相比。
圖片來源：SemiQ Inc官網(wǎng)
該設(shè)備面向中壓高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，包括電池充電器、光伏逆變器、服務(wù)器電源和儲(chǔ)能系統(tǒng)。所有模塊均通過晶圓級(jí)柵極氧化層燒入測(cè)試進(jìn)行篩查，電壓超過1400伏，并進(jìn)行了800 mJ的雪崩測(cè)試（34 mΩ模塊為330 mJ），它們專為堅(jiān)固、易于安裝和熱性能而設(shè)計(jì)，具有隔離背板和直接安裝到散熱器的能力。
7.4mΩ GCMX007C120S1-E1模塊實(shí)現(xiàn)了4.66mJ（3.72mJ導(dǎo)通，0.94mJ關(guān)斷）的低開關(guān)損耗和593nC的體二極管反向恢復(fù)電荷。結(jié)到殼的熱阻范圍為0.23°C/W至0.70°C/W，具體取決于模塊。
資料顯示，SemiQ Inc是一家總部位于美國(guó)的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體專業(yè)企業(yè)，專注為高壓場(chǎng)景提供高性能碳化硅解決方案，產(chǎn)品包括分立、模塊和裸芯片格式的MOSFET和二極管等。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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