這家公司宣布進(jìn)軍12吋碳化硅!

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 09 月 03 日 14:26 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC

隨著電動(dòng)車(chē)、新能源及AI服務(wù)器等領(lǐng)域?qū)Ω吖β?、高可靠性半?dǎo)體需求的持續(xù)攀升,第三代半導(dǎo)體的重要性凸顯。中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)加速發(fā)力,積極布局。近日格棋化合物半導(dǎo)體宣布將加速布局12吋碳化硅。

格棋:進(jìn)軍12吋碳化硅

據(jù)科技新報(bào)報(bào)道,9月2日,格棋化合物半導(dǎo)體宣布將往大尺寸碳化硅布局。董事長(zhǎng)張忠杰表示,格棋目前的技術(shù)實(shí)力已經(jīng)達(dá)到業(yè)界第一、第二的水準(zhǔn),同時(shí)積極布局更大尺寸的長(zhǎng)晶爐,并在研發(fā)階段展開(kāi)相關(guān)規(guī)劃。

格棋化合物半導(dǎo)體成立于2022年,是一家位于中國(guó)臺(tái)灣的碳化硅長(zhǎng)晶廠商。主要產(chǎn)品包括6英寸及8英寸N型晶體,以及6英寸N型碳化硅襯底、晶錠等,應(yīng)用于電動(dòng)車(chē)及能源基礎(chǔ)建設(shè)等領(lǐng)域。

圖片來(lái)源:格棋化合物半導(dǎo)體 圖為6吋N型SiC單晶錠

張忠杰強(qiáng)調(diào),6吋平臺(tái)現(xiàn)階段仍為公司量產(chǎn)主軸,具備規(guī)模效益與良率控制優(yōu)勢(shì);同時(shí),8吋晶種長(zhǎng)晶與熱場(chǎng)模組設(shè)計(jì)已完成前期驗(yàn)證,后續(xù)將依據(jù)客戶產(chǎn)品世代轉(zhuǎn)換與應(yīng)用需求,適時(shí)導(dǎo)入8吋制程平臺(tái),確保良率穩(wěn)定性與成本效益的最佳平衡。

在產(chǎn)能部署方面,格棋預(yù)計(jì)于2025年底將長(zhǎng)晶爐數(shù)量擴(kuò)增至百臺(tái)規(guī)模,搭配自主切割與檢測(cè)能力,建構(gòu)可控交期、彈性擴(kuò)產(chǎn)的完整量產(chǎn)體系。目前產(chǎn)品線已支援多項(xiàng)高功率應(yīng)用,包括電動(dòng)車(chē)主驅(qū)模組、光儲(chǔ)逆變器與AI高效伺服器,并陸續(xù)進(jìn)入國(guó)際客戶驗(yàn)證流程。

格棋也透露,目前6吋和8吋機(jī)臺(tái)已可以調(diào)控共用,隨著第四季日韓客戶放量,也跟兩、三間公司洽談LTA(Long Term Agreement),并積極布局12吋廠規(guī)劃,順利的話,明年上半年將分別擴(kuò)充8吋和12吋產(chǎn)能,而8吋產(chǎn)能預(yù)期將翻倍。

目前,格棋已同步啟動(dòng)北美、日本與歐洲等區(qū)域合作計(jì)劃,未來(lái)將依據(jù)業(yè)務(wù)拓展進(jìn)程設(shè)立技術(shù)服務(wù)據(jù)點(diǎn),提供貼近需求的材料建議與應(yīng)用支援,加速碳化硅在全球高功率應(yīng)用的落地進(jìn)程。

據(jù)悉,2023年10月,格棋宣布成功完成了15億新臺(tái)幣(約3.33億人民幣)的A輪融資,用于推進(jìn)6吋SiC生產(chǎn)線的小規(guī)模試量產(chǎn),同時(shí)尋求更大的新廠房土地展開(kāi)大量生產(chǎn)。

2024年10月,格棋位于桃園中壢區(qū)的新工廠落成,總投資金額達(dá)6億新臺(tái)幣(約合1.33億人民幣),規(guī)劃6英寸碳化硅襯底月產(chǎn)能5000片。2024年底前,新廠安裝了20臺(tái)8英寸長(zhǎng)晶爐及100臺(tái)6英寸長(zhǎng)晶爐。此外,格棋還計(jì)劃投資57億元新臺(tái)幣(約12.73億人民幣)于中壢工業(yè)區(qū)興建新廠房及擴(kuò)建產(chǎn)線。

 

臺(tái)灣地區(qū)積極布局第三代半導(dǎo)體

憑借完善的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì),中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)積極布局第三代半導(dǎo)體,此前中國(guó)臺(tái)灣科學(xué)技術(shù)委員會(huì)(NSTC)宣布“下一代化合物半導(dǎo)體前瞻研發(fā)計(jì)劃”,重點(diǎn)發(fā)展GaN、SiC、Ga2O3、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料,并開(kāi)發(fā)具有高工作電壓、低導(dǎo)通電阻的GaN、SiC元件,以取代傳統(tǒng)的硅功率器件。

除格棋化合物半導(dǎo)體外,還有多家第三代半導(dǎo)體企業(yè),如臺(tái)灣應(yīng)用晶體、漢磊先進(jìn)投資控股股份有限公司 、鴻??萍技瘓F(tuán)、積亞半導(dǎo)體等。

臺(tái)灣應(yīng)用晶體成立于2012年,是臺(tái)灣光學(xué)巨頭大立光電旗下的子公司,原本是主做晶體設(shè)備,后在2023年7月,與臺(tái)灣中山大學(xué)簽訂價(jià)值 5000萬(wàn)新臺(tái)幣的技術(shù)轉(zhuǎn)移合同,正式跨入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。臺(tái)灣應(yīng)用晶體在6英寸及8英寸SiC襯底產(chǎn)品正式量產(chǎn)后,還計(jì)劃2026年量產(chǎn) SiC外延產(chǎn)品。同時(shí),公司正與成大一起合作開(kāi)發(fā)第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵,目前處于初步階段。

漢磊先進(jìn)投資控股股份有限公司專(zhuān)注于GaN及SiC功率半導(dǎo)體元件的開(kāi)發(fā)量產(chǎn)。2024年9月,臺(tái)積電旗下的世界先進(jìn)宣布以5.5億元人民幣收購(gòu)漢磊科技13%股權(quán),估值超42億元,合作聚焦8英寸SiC晶圓技術(shù)開(kāi)發(fā),預(yù)計(jì)2026年下半年量產(chǎn)。有供應(yīng)鏈消息稱(chēng),漢磊投控目標(biāo)在2026年上半年將6英寸SiC月產(chǎn)能提升至目前的一倍以上,達(dá)到5000片晶圓的規(guī)模。

茂矽電子2025年6月底完成碳化硅制程產(chǎn)線建設(shè),計(jì)劃于下半年開(kāi)啟試量產(chǎn),這一產(chǎn)線將使茂矽電子每月新增3000片的碳化硅晶圓產(chǎn)能。茂矽電子2025年第一季度(1月至3月)的營(yíng)收達(dá)到5.51億新臺(tái)幣,與去年同期相比大幅增長(zhǎng)44.87%。

 

(集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理)

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