近期，富加鎵業(yè)正式推出新型（011）晶面氧化鎵襯底產(chǎn)品，涵蓋小片及2英寸標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，并全面開放4英寸襯底與2-4英寸外延片定制服務(wù)。
圖片來源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司
富加鎵業(yè)成立于2019年，核心產(chǎn)品為氧化鎵單晶襯底、MOCVD/MBE外延片、布里奇曼法（VB法）及導(dǎo)模法(EFG法)晶體生長裝備、襯底研磨拋光裝備等。
設(shè)備領(lǐng)域，富加鎵業(yè)研制了國際上首臺具備“一鍵長晶”EFG設(shè)備，可以滿足2-6英寸晶體生長需求，可提供設(shè)備及配套工藝包。
同時，富加鎵業(yè)自行研制了全自動VB晶體生長設(shè)備，并在國內(nèi)率先突破了6英寸單晶生長技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)了大尺寸VB法單晶制備，可根據(jù)客戶需求提供VB設(shè)備及工藝包。此外，該公司還研發(fā)了2-6英寸氧化鎵單晶襯底研磨拋光設(shè)備，并根據(jù)客戶需要可提供成熟的研磨拋光及清洗工藝包。
單晶及外延片方面，富加鎵業(yè)已經(jīng)建立企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)2項(xiàng)，獲得ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證，向市場提供10mm至6英寸的多種晶向的氧化鎵單晶襯底10mm至6英寸的MOCVD氧化鎵外延片及10×15mm MBE氧化鎵外延片。
氧化鎵作為極具潛力的第四代半導(dǎo)體材料，能承受超高電壓、成本低，在電動汽車、軌道交通、5G/6G基站、智能電網(wǎng)、航空航天等系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛，被譽(yù)為下一代高功率電子器件的“明星材料”，陸續(xù)吸引眾多廠商進(jìn)行研發(fā)。
稍早之前，宣布在氧化鎵同質(zhì)外延技術(shù)上取得重大突破，成功實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長。
據(jù)悉，#鎵仁半導(dǎo)體 6英寸氧化鎵同質(zhì)外延片外延層厚度超過10微米，厚度均勻性優(yōu)異，方差σ小于1%。高分辨XRD搖擺曲線半高寬小于40弧秒，表明外延層結(jié)晶質(zhì)量高、晶格完整性良好。通過電容-電壓（C-V）法測試，外延層載流子濃度介于1.60E16cm?3至1.92E16cm?3之間，標(biāo)準(zhǔn)方差為6.08%，證實(shí)外延層電學(xué)均勻性良好。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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