隨著電動車、新能源及AI服務(wù)器等領(lǐng)域?qū)Ω吖β省⒏呖煽啃园雽?dǎo)體需求的持續(xù)攀升，第三代半導(dǎo)體的重要性凸顯。中國臺灣地區(qū)加速發(fā)力，積極布局。近日格棋化合物半導(dǎo)體宣布將加速布局12吋碳化硅。
格棋：進(jìn)軍12吋碳化硅
據(jù)科技新報(bào)報(bào)道，9月2日，格棋化合物半導(dǎo)體宣布將往大尺寸碳化硅布局。董事長張忠杰表示，格棋目前的技術(shù)實(shí)力已經(jīng)達(dá)到業(yè)界第一、第二的水準(zhǔn)，同時(shí)積極布局更大尺寸的長晶爐，并在研發(fā)階段展開相關(guān)規(guī)劃。
格棋化合物半導(dǎo)體成立于2022年，是一家位于中國臺灣的碳化硅長晶廠商。主要產(chǎn)品包括6英寸及8英寸N型晶體，以及6英寸N型碳化硅襯底、晶錠等，應(yīng)用于電動車及能源基礎(chǔ)建設(shè)等領(lǐng)域。
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圖片來源：格棋化合物半導(dǎo)體 圖為6吋N型SiC單晶錠
張忠杰強(qiáng)調(diào)，6吋平臺現(xiàn)階段仍為公司量產(chǎn)主軸，具備規(guī)模效益與良率控制優(yōu)勢；同時(shí)，8吋晶種長晶與熱場模組設(shè)計(jì)已完成前期驗(yàn)證，后續(xù)將依據(jù)客戶產(chǎn)品世代轉(zhuǎn)換與應(yīng)用需求，適時(shí)導(dǎo)入8吋制程平臺，確保良率穩(wěn)定性與成本效益的最佳平衡。
在產(chǎn)能部署方面，格棋預(yù)計(jì)于2025年底將長晶爐數(shù)量擴(kuò)增至百臺規(guī)模，搭配自主切割與檢測能力，建構(gòu)可控交期、彈性擴(kuò)產(chǎn)的完整量產(chǎn)體系。目前產(chǎn)品線已支援多項(xiàng)高功率應(yīng)用，包括電動車主驅(qū)模組、光儲逆變器與AI高效伺服器，并陸續(xù)進(jìn)入國際客戶驗(yàn)證流程。
格棋也透露，目前6吋和8吋機(jī)臺已可以調(diào)控共用，隨著第四季日韓客戶放量，也跟兩、三間公司洽談LTA（Long Term Agreement），并積極布局12吋廠規(guī)劃，順利的話，明年上半年將分別擴(kuò)充8吋和12吋產(chǎn)能，而8吋產(chǎn)能預(yù)期將翻倍。
目前，格棋已同步啟動北美、日本與歐洲等區(qū)域合作計(jì)劃，未來將依據(jù)業(yè)務(wù)拓展進(jìn)程設(shè)立技術(shù)服務(wù)據(jù)點(diǎn)，提供貼近需求的材料建議與應(yīng)用支援，加速碳化硅在全球高功率應(yīng)用的落地進(jìn)程。
據(jù)悉，2023年10月，格棋宣布成功完成了15億新臺幣（約3.33億人民幣）的A輪融資，用于推進(jìn)6吋SiC生產(chǎn)線的小規(guī)模試量產(chǎn)，同時(shí)尋求更大的新廠房土地展開大量生產(chǎn)。
2024年10月，格棋位于桃園中壢區(qū)的新工廠落成，總投資金額達(dá)6億新臺幣（約合1.33億人民幣），規(guī)劃6英寸碳化硅襯底月產(chǎn)能5000片。2024年底前，新廠安裝了20臺8英寸長晶爐及100臺6英寸長晶爐。此外，格棋還計(jì)劃投資57億元新臺幣（約12.73億人民幣）于中壢工業(yè)區(qū)興建新廠房及擴(kuò)建產(chǎn)線。
臺灣地區(qū)積極布局第三代半導(dǎo)體
憑借完善的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，中國臺灣地區(qū)積極布局第三代半導(dǎo)體，此前中國臺灣科學(xué)技術(shù)委員會（NSTC）宣布“下一代化合物半導(dǎo)體前瞻研發(fā)計(jì)劃”，重點(diǎn)發(fā)展GaN、SiC、Ga2O3、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料，并開發(fā)具有高工作電壓、低導(dǎo)通電阻的GaN、SiC元件，以取代傳統(tǒng)的硅功率器件。
除格棋化合物半導(dǎo)體外，還有多家第三代半導(dǎo)體企業(yè)，如臺灣應(yīng)用晶體、漢磊先進(jìn)投資控股股份有限公司 、鴻?？萍技瘓F(tuán)、積亞半導(dǎo)體等。
臺灣應(yīng)用晶體成立于2012年，是臺灣光學(xué)巨頭大立光電旗下的子公司，原本是主做晶體設(shè)備，后在2023年7月，與臺灣中山大學(xué)簽訂價(jià)值 5000萬新臺幣的技術(shù)轉(zhuǎn)移合同，正式跨入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。臺灣應(yīng)用晶體在6英寸及8英寸SiC襯底產(chǎn)品正式量產(chǎn)后，還計(jì)劃2026年量產(chǎn) SiC外延產(chǎn)品。同時(shí)，公司正與成大一起合作開發(fā)第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵，目前處于初步階段。
漢磊先進(jìn)投資控股股份有限公司專注于GaN及SiC功率半導(dǎo)體元件的開發(fā)量產(chǎn)。2024年9月，臺積電旗下的世界先進(jìn)宣布以5.5億元人民幣收購漢磊科技13%股權(quán)，估值超42億元，合作聚焦8英寸SiC晶圓技術(shù)開發(fā)，預(yù)計(jì)2026年下半年量產(chǎn)。有供應(yīng)鏈消息稱，漢磊投控目標(biāo)在2026年上半年將6英寸SiC月產(chǎn)能提升至目前的一倍以上，達(dá)到5000片晶圓的規(guī)模。
茂矽電子2025年6月底完成碳化硅制程產(chǎn)線建設(shè)，計(jì)劃于下半年開啟試量產(chǎn)，這一產(chǎn)線將使茂矽電子每月新增3000片的碳化硅晶圓產(chǎn)能。茂矽電子2025年第一季度（1月至3月）的營收達(dá)到5.51億新臺幣，與去年同期相比大幅增長44.87%。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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