隨著電動車、新能源及AI服務器等領域對高功率、高可靠性半導體需求的持續(xù)攀升，第三代半導體的重要性凸顯。中國臺灣地區(qū)加速發(fā)力，積極布局。近日格棋化合物半導體宣布將加速布局12吋碳化硅。
格棋：進軍12吋碳化硅
據(jù)科技新報報道，9月2日，格棋化合物半導體宣布將往大尺寸碳化硅布局。董事長張忠杰表示，格棋目前的技術實力已經達到業(yè)界第一、第二的水準，同時積極布局更大尺寸的長晶爐，并在研發(fā)階段展開相關規(guī)劃。
格棋化合物半導體成立于2022年，是一家位于中國臺灣的碳化硅長晶廠商。主要產品包括6英寸及8英寸N型晶體，以及6英寸N型碳化硅襯底、晶錠等，應用于電動車及能源基礎建設等領域。
圖片來源：格棋化合物半導體 圖為6吋N型SiC單晶錠
張忠杰強調，6吋平臺現(xiàn)階段仍為公司量產主軸，具備規(guī)模效益與良率控制優(yōu)勢；同時，8吋晶種長晶與熱場模組設計已完成前期驗證，后續(xù)將依據(jù)客戶產品世代轉換與應用需求，適時導入8吋制程平臺，確保良率穩(wěn)定性與成本效益的最佳平衡。
在產能部署方面，格棋預計于2025年底將長晶爐數(shù)量擴增至百臺規(guī)模，搭配自主切割與檢測能力，建構可控交期、彈性擴產的完整量產體系。目前產品線已支援多項高功率應用，包括電動車主驅模組、光儲逆變器與AI高效伺服器，并陸續(xù)進入國際客戶驗證流程。
格棋也透露，目前6吋和8吋機臺已可以調控共用，隨著第四季日韓客戶放量，也跟兩、三間公司洽談LTA（Long Term Agreement），并積極布局12吋廠規(guī)劃，順利的話，明年上半年將分別擴充8吋和12吋產能，而8吋產能預期將翻倍。
目前，格棋已同步啟動北美、日本與歐洲等區(qū)域合作計劃，未來將依據(jù)業(yè)務拓展進程設立技術服務據(jù)點，提供貼近需求的材料建議與應用支援，加速碳化硅在全球高功率應用的落地進程。
據(jù)悉，2023年10月，格棋宣布成功完成了15億新臺幣（約3.33億人民幣）的A輪融資，用于推進6吋SiC生產線的小規(guī)模試量產，同時尋求更大的新廠房土地展開大量生產。
2024年10月，格棋位于桃園中壢區(qū)的新工廠落成，總投資金額達6億新臺幣（約合1.33億人民幣），規(guī)劃6英寸碳化硅襯底月產能5000片。2024年底前，新廠安裝了20臺8英寸長晶爐及100臺6英寸長晶爐。此外，格棋還計劃投資57億元新臺幣（約12.73億人民幣）于中壢工業(yè)區(qū)興建新廠房及擴建產線。
臺灣地區(qū)積極布局第三代半導體
憑借完善的產業(yè)鏈優(yōu)勢，中國臺灣地區(qū)積極布局第三代半導體，此前中國臺灣科學技術委員會（NSTC）宣布“下一代化合物半導體前瞻研發(fā)計劃”，重點發(fā)展GaN、SiC、Ga2O3、金剛石等寬禁帶半導體材料，并開發(fā)具有高工作電壓、低導通電阻的GaN、SiC元件，以取代傳統(tǒng)的硅功率器件。
除格棋化合物半導體外，還有多家第三代半導體企業(yè)，如臺灣應用晶體、漢磊先進投資控股股份有限公司 、鴻海科技集團、積亞半導體等。
臺灣應用晶體成立于2012年，是臺灣光學巨頭大立光電旗下的子公司，原本是主做晶體設備，后在2023年7月，與臺灣中山大學簽訂價值 5000萬新臺幣的技術轉移合同，正式跨入第三代半導體領域。臺灣應用晶體在6英寸及8英寸SiC襯底產品正式量產后，還計劃2026年量產 SiC外延產品。同時，公司正與成大一起合作開發(fā)第四代半導體材料氧化鎵，目前處于初步階段。
漢磊先進投資控股股份有限公司專注于GaN及SiC功率半導體元件的開發(fā)量產。2024年9月，臺積電旗下的世界先進宣布以5.5億元人民幣收購漢磊科技13%股權，估值超42億元，合作聚焦8英寸SiC晶圓技術開發(fā)，預計2026年下半年量產。有供應鏈消息稱，漢磊投控目標在2026年上半年將6英寸SiC月產能提升至目前的一倍以上，達到5000片晶圓的規(guī)模。
茂矽電子2025年6月底完成碳化硅制程產線建設，計劃于下半年開啟試量產，這一產線將使茂矽電子每月新增3000片的碳化硅晶圓產能。茂矽電子2025年第一季度（1月至3月）的營收達到5.51億新臺幣，與去年同期相比大幅增長44.87%。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
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