6月23日，羅姆宣布成為支持英偉達(dá)全新800V高壓直流（HVDC）架構(gòu)的主要硅供應(yīng)商之一。
羅姆介紹，公司不僅提供硅（Si）功率元器件，還擁有包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等#寬禁帶半導(dǎo)體?在內(nèi)的豐富產(chǎn)品陣容，可為數(shù)據(jù)中心的設(shè)計(jì)提供更優(yōu)解決方案。
羅姆的Si MOSFET代表產(chǎn)品“RY7P250BM”被全球云平臺(tái)企業(yè)認(rèn)證為推薦器件。該產(chǎn)品作為一款為AI服務(wù)器必備的熱插拔電路專門設(shè)計(jì)的48V電源系統(tǒng)用100V功率MOSFET，以8080的小型封裝實(shí)現(xiàn)業(yè)界超寬的SOA（安全工作區(qū)），并實(shí)現(xiàn)僅1.86mΩ的超低導(dǎo)通電阻。在要求高密度和高可用性的云平臺(tái)中，有助于降低電力損耗并提升系統(tǒng)的可靠性。
圖片來(lái)源：羅姆官網(wǎng)——圖為羅姆產(chǎn)品RY7P250BM
此外，羅姆介紹，SiC元器件的優(yōu)勢(shì)在于可降低工業(yè)等領(lǐng)域中高電壓、大電流應(yīng)用的損耗。英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)旨在為功率超過(guò)1MW的服務(wù)器機(jī)架供電，這對(duì)于推進(jìn)其大規(guī)模部署計(jì)劃也起著至關(guān)重要的作用。這一新型基礎(chǔ)設(shè)施的核心在于可將電網(wǎng)的13.8kV交流電直接轉(zhuǎn)換為800V的直流電。而傳統(tǒng)的54V機(jī)架電源系統(tǒng)除了受物理空間限制（要滿足小型化需求）外，還存在銅材使用量大、電力轉(zhuǎn)換損耗高等問(wèn)題。
羅姆的SiC MOSFET在高電壓、大功率環(huán)境下可發(fā)揮出卓越性能，不僅能通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗來(lái)提高效率，還以超小體積實(shí)現(xiàn)了滿足高密度系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求的高可靠性。這些特性恰好與英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)所追求“減少銅材使用量”、“將能量損耗最小化”以及“簡(jiǎn)化數(shù)據(jù)中心整體的電力轉(zhuǎn)換”等需求相契合。
作為對(duì)SiC產(chǎn)品的補(bǔ)充，羅姆同時(shí)還積極推進(jìn)GaN技術(shù)研發(fā)，現(xiàn)已推出EcoGaN?系列產(chǎn)品，包括150V和650V耐壓的GaN HEMT、柵極驅(qū)動(dòng)器以及集成了這些器件的Power Stage IC。SiC在高電壓、大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色，而GaN則在100V~650V電壓范圍內(nèi)性能優(yōu)異，具有出色的介電擊穿強(qiáng)度、低導(dǎo)通電阻以及超高速開(kāi)關(guān)特性。此外，在羅姆自有的Nano Pulse Control?技術(shù)的加持下，其開(kāi)關(guān)性能得到進(jìn)一步提升，脈沖寬度可縮短至最低2ns。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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