相關資訊：SiC碳化硅

三個碳化硅項目披露最新進展！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 19 日 13:36 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，包括漢京半導體基地項目、重慶奕能碳化硅模組生產(chǎn)基地項目、賽美特碳化硅模組CIM項目 在內(nèi)的三個碳化硅項目披露最新進展。 1、漢京半導體基地項目今年10月試投產(chǎn) 6月19日，據(jù)遼寧日報消息，占地面積9.6萬平方米的遼寧漢京半導體材料有限公司（以下簡稱“漢京半導體”）產(chǎn)業(yè)基地已...  [詳內(nèi)文]

鈞聯(lián)電子碳化硅控制器應用于全球首款量產(chǎn)飛行汽車
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 19 日 13:36 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，據(jù)鈞聯(lián)電子官方消息，其與廣汽高域聯(lián)合開發(fā)的碳化硅（SiC）電動發(fā)動機控制器已成功應用于廣汽高域GOVY AirCab飛行汽車。該飛行器被定義為全球首款量產(chǎn)型無人駕駛多旋翼eVTOL（電動垂直起降）航空器，并于日前正式發(fā)布。 圖片來源：JLAE鈞聯(lián)電子 鈞聯(lián)電子自2023年...  [詳內(nèi)文]

AR眼鏡再添新馬達，中電化合物與甬江實驗室展開合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 18 日 13:54 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月16日，中電化合物半導體有限公司（以下簡稱“中電化合物”）與甬江實驗室正式簽署了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。此次合作標志著雙方將在AR眼鏡用光學碳化硅（SiC）晶片領域展開深度研發(fā)合作，共同推動SiC材料在增強現(xiàn)實（AR）領域的創(chuàng)新應用，為下一代智能穿戴設備提供更優(yōu)的光學解決方案。 ...  [詳內(nèi)文]

碳化硅IDM企業(yè)芯片，成功上車！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 17 日 14:08 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月13日，芯聚能半導體官微宣布，其在碳化硅功率半導體領域實現(xiàn)了關鍵性飛躍，公司自主設計的車規(guī)級SiC芯片已正式規(guī)?；瘜胫黩寗幽K產(chǎn)線，標志著國內(nèi)首次成功實現(xiàn)“芯片設計-模塊制造-整車驗證”全鏈條自主可控，并已批量上車應用。 圖片來源：芯粵能 這一成就的背后，是芯聚能與芯粵能...  [詳內(nèi)文]

復旦碳化硅器件新突破：成功制備兩種布局 1.7kV MOSFET
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 16 日 13:57 | 分類 碳化硅SiC
近日，在行業(yè)會議上，復旦大學研究團隊宣布，其基于電荷平衡理論，通過對離子注入工藝的深度優(yōu)化，成功設計并制備出正交結構和平行結構兩種不同布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。這一創(chuàng)新成果，相較于傳統(tǒng)超結結構，在保障器件性能的同時，不僅大幅降低了制造成本...  [詳內(nèi)文]

聚焦AI和HPC應用，Coherent發(fā)布突破性金剛石SiC材料
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 13 日 17:05 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
隨著人工智能（AI）和高性能計算（HPC）領域的快速發(fā)展，芯片功耗不斷攀升，散熱問題已成為限制性能和可靠性的關鍵瓶頸。6月13日，美國Coherent（高意）宣布，推出其突破性的金剛石-碳化硅（diamond-SiC）復合材料，旨在徹底改變?nèi)斯ぶ悄芎透咝阅苡嬎鉎PC應用中的熱管理...  [詳內(nèi)文]

納微半導體“朋友圈”+1，碳化硅助力重型農(nóng)業(yè)運輸
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 16:06 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，納微半導體正式宣布與BrightLoop達成戰(zhàn)略合作，雙方將圍繞新一代氫燃料電池充電系統(tǒng)，運用先進的第三代半導體技術，致力于推動高效、高可靠性的能源管理方案在農(nóng)業(yè)與重型運輸領域實現(xiàn)商業(yè)化落地。 圖片來源：納微半導體 此次合作中，納微將為BrightLoop最新系列的氫燃料...  [詳內(nèi)文]

又一批第三代半導體項目刷新進度：封頂、試運行、沖刺生產(chǎn)！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 15:20 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 砷化鎵
在全球科技競爭日益激烈的當下，第三代半導體憑借其卓越的性能，成為推動電子信息產(chǎn)業(yè)變革的關鍵力量。近期，第三代半導體領域多個項目取得重要進展，為該行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。 01奧通碳素半導體級等靜壓石墨項目：設備調(diào)試收官+試生產(chǎn)并行 6月9日，據(jù)“最內(nèi)江”公眾號消息，奧通碳素（內(nèi)...  [詳內(nèi)文]

格力電器：已建立SiC SBD和MOS芯片工藝平臺，董明珠卸任零邊界董事長
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 15:16 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，格力電器在芯片領域的戰(zhàn)略布局迎來關鍵性人事調(diào)整與技術突破。格力電器披露，已成功建立起#碳化硅（SiC）SBD和MOS芯片的完整工藝平臺，部分產(chǎn)品不僅實現(xiàn)內(nèi)部批量使用，更已為多家芯片設計公司提供晶圓流片制造服務，這標志著格力在第三代半導體戰(zhàn)略已正式進入量產(chǎn)階段。 與此同時，格...  [詳內(nèi)文]