6月13日，芯聚能半導(dǎo)體官微宣布，其在碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了關(guān)鍵性飛躍，公司自主設(shè)計(jì)的車(chē)規(guī)級(jí)SiC芯片已正式規(guī)模化導(dǎo)入主驅(qū)動(dòng)模塊產(chǎn)線，標(biāo)志著國(guó)內(nèi)首次成功實(shí)現(xiàn)“芯片設(shè)計(jì)-模塊制造-整車(chē)驗(yàn)證”全鏈條自主可控，并已批量上車(chē)應(yīng)用。
圖片來(lái)源：芯粵能
這一成就的背后，是芯聚能與芯粵能的深度協(xié)同與長(zhǎng)期技術(shù)積累。芯聚能憑借其在新能源汽車(chē)主驅(qū)模塊領(lǐng)域累計(jì)超過(guò)45萬(wàn)個(gè)的豐富交付經(jīng)驗(yàn)，奠定了堅(jiān)實(shí)的芯片篩選測(cè)試與工藝質(zhì)量管控基礎(chǔ)。此次量產(chǎn)的主驅(qū)模塊，正是搭載了由芯粵能半導(dǎo)體制造的SiC芯片。這些芯片和模塊通過(guò)了從芯片、模塊、電驅(qū)系統(tǒng)到整車(chē)的全產(chǎn)業(yè)鏈車(chē)規(guī)級(jí)驗(yàn)證，不僅獲得了多個(gè)主驅(qū)項(xiàng)目定點(diǎn)，更已進(jìn)入大規(guī)模交付階段。
圖片來(lái)源：芯粵能
芯粵能強(qiáng)調(diào)，這一突破在激烈競(jìng)爭(zhēng)中實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵技術(shù)自主可控，構(gòu)建了碳化硅功率半導(dǎo)體的車(chē)規(guī)級(jí)保障體系，旨在通過(guò)技術(shù)整合優(yōu)化產(chǎn)品性能、可靠性和成本效益，為客戶(hù)提供強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。芯聚能也將以此為契機(jī)，深化SiC技術(shù)創(chuàng)新，提供高可靠性功率半導(dǎo)體解決方案。
芯粵能半導(dǎo)體研發(fā)副總裁相奇在2025年3月接受《廣州日?qǐng)?bào)》專(zhuān)訪時(shí)曾預(yù)言，2025年將是國(guó)產(chǎn)碳化硅芯片量產(chǎn)上車(chē)的“元年”，芯粵能的產(chǎn)品有望在上半年上車(chē)，這一規(guī)劃如今已成為現(xiàn)實(shí)。
芯粵能作為首個(gè)通過(guò)國(guó)家重大項(xiàng)目審批的大規(guī)模碳化硅芯片制造項(xiàng)目，規(guī)劃了一期6英寸、二期8英寸SiC芯片年產(chǎn)能各24萬(wàn)片，產(chǎn)能規(guī)模全球領(lǐng)先。公司自建廠伊始便對(duì)標(biāo)先進(jìn)硅基制造體系，配備全自動(dòng)化設(shè)備，確保了產(chǎn)品在可靠性、穩(wěn)定性方面的優(yōu)勢(shì)。
近年來(lái)，芯粵能持續(xù)加大研發(fā)投入，成功開(kāi)發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺(tái)，并已通過(guò)可靠性測(cè)試。該平臺(tái)采用自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，顯著降低了導(dǎo)通電阻、提高了電流密度，并在確?？煽啃缘耐瑫r(shí)突破了平面MOSFET的性能瓶頸，有效降低了成本并使性能接近國(guó)際先進(jìn)水平。
芯粵能半導(dǎo)體研發(fā)副總裁相奇表示，未來(lái)SiC芯片價(jià)格的下降將加速對(duì)IGBT的替代，尤其是在新能源汽車(chē)高壓快充技術(shù)（800V以上電壓系統(tǒng)）領(lǐng)域，SiC芯片將因其卓越的耐高溫和穩(wěn)定性而成為不可替代的選擇。
（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）
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