相關(guān)資訊：英飛凌

英飛凌汽車(chē)業(yè)務(wù)公布中國(guó)本土化戰(zhàn)略，涉及功率器件
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 03 日 18:21 | 分類(lèi) 企業(yè) , 功率
近期，英飛凌汽車(chē)業(yè)務(wù)正式發(fā)布中國(guó)本土化戰(zhàn)略，包括本土化產(chǎn)品定義，本土化生產(chǎn)和本土化生態(tài)圈。 本土化產(chǎn)品是指英飛凌將根據(jù)中國(guó)需求進(jìn)行產(chǎn)品定義。 本土化生產(chǎn)方面，英飛凌指出，公司汽車(chē)業(yè)務(wù)目前已有多種產(chǎn)品完成本土化量產(chǎn)并計(jì)劃于2027年覆蓋主流產(chǎn)品的本土化，將涵蓋微控制器、高低壓功率器...  [詳內(nèi)文]

AI、機(jī)器人、氮化鎵等浪潮來(lái)襲，英飛凌四大新品亮劍
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 31 日 15:35 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，英飛凌在2025英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)（ICIC 2025，以下同）上，就AI、機(jī)器人、邊緣計(jì)算、氮化鎵應(yīng)用等話題展開(kāi)了深度探討，其首次在國(guó)內(nèi)展示了英飛凌的兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，引起行業(yè)諸多關(guān)注。 英飛凌...  [詳內(nèi)文]

采用氮化鎵，中科半導(dǎo)體發(fā)布首顆具身機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 28 日 14:25 | 分類(lèi) 射頻 , 氮化鎵GaN
近期，中科半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)推出首顆基于氮化鎵（GaN）可編程具身機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片。 芯片采用SIP封裝技術(shù)，內(nèi)置硬件加速引擎、高速接口、PWM信號(hào)陣列可編程單元及邊緣圖像處理和各類(lèi)傳感器及生物信息采集的高速接口。 應(yīng)用領(lǐng)域 該芯片主要應(yīng)用于多關(guān)節(jié)具身機(jī)器人及智能裝備領(lǐng)域，根據(jù)推理大模...  [詳內(nèi)文]

英飛凌預(yù)測(cè)2025年GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用趨勢(shì)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 27 日 10:16 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
近期，英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導(dǎo)體預(yù)測(cè)報(bào)告》，針對(duì)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體在消費(fèi)電子、儲(chǔ)能、移動(dòng)出行、電信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域的應(yīng)用以及未來(lái)前景展望做出了詳細(xì)解讀。 英飛凌指出，氮化鎵功率半導(dǎo)體正處于高速增長(zhǎng)軌道，并在多個(gè)行業(yè)逐步邁向關(guān)鍵拐點(diǎn)。目前消費(fèi)類(lèi)充電器和適配器已率先...  [詳內(nèi)文]

泰瑞達(dá)收購(gòu)英飛凌業(yè)務(wù)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 05 日 19:53 | 分類(lèi) 企業(yè)
1月31日，英飛凌（Infineon）與自動(dòng)化測(cè)試解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商泰瑞達(dá)（Teradyne）共同宣布，雙方建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，旨在大力推進(jìn)功率半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的發(fā)展。作為合作的關(guān)鍵部分，泰瑞達(dá)將收購(gòu)英飛凌位于德國(guó)雷根斯堡的自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備團(tuán)隊(duì)（AET）的一部分。 據(jù)悉，泰瑞...  [詳內(nèi)文]

英飛凌官宣：在泰國(guó)建設(shè)功率半導(dǎo)體模塊工廠
作者 |發(fā)布日期 2025 年 01 月 15 日 18:17 | 分類(lèi) 企業(yè)
1月14日，英飛凌宣布在泰國(guó)曼谷南部的 Samut Prakan動(dòng)工建造高度自動(dòng)化后端生產(chǎn)基地，用于生產(chǎn)功率半導(dǎo)體模塊，該項(xiàng)目得到了泰國(guó)投資委員會(huì)（BOI）的支持。 據(jù)介紹，項(xiàng)目首棟建筑計(jì)劃于2026年初投入運(yùn)營(yíng)，后續(xù)的產(chǎn)能擴(kuò)張將根據(jù)市場(chǎng)需求靈活管理。英飛凌表示，隨著全球脫碳和氣...  [詳內(nèi)文]

機(jī)器人，氮化鎵下一個(gè)風(fēng)口？
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
氮化鎵（GaN）材料具有寬禁帶、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿電壓、化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，以及較強(qiáng)的抗輻射、抗高溫、抗高壓能力，這些特性使得氮化鎵在功率半導(dǎo)體器件、光電子器件以及射頻電子器件等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 目前，功率氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域應(yīng)用已漸入佳境，并正在逐步向各類(lèi)應(yīng)用...  [詳內(nèi)文]

為對(duì)抗英飛凌，三菱電機(jī)擬在日本組功率半導(dǎo)體聯(lián)盟
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 13 日 19:54 | 分類(lèi) 企業(yè)
日本三菱電機(jī)執(zhí)行長(zhǎng)漆間啟對(duì)彭博社表示，三菱電機(jī)正在與日本國(guó)內(nèi)的同業(yè)對(duì)手洽商共組功率半導(dǎo)體聯(lián)盟，促進(jìn)在這個(gè)驅(qū)動(dòng)全球各種電子裝置的關(guān)鍵半導(dǎo)體制造方面的合作。 漆間啟表示，日本相關(guān)公司管理層廣泛支持彼此合作，但在行政階層卻進(jìn)展不多。面對(duì)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者、德國(guó)的英飛凌科技（Infineon T...  [詳內(nèi)文]

電壓覆蓋700V，英飛凌發(fā)布全新一代氮化鎵產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 06 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)
據(jù)“江蘇姜堰”官微消息12月5日，據(jù)英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體消息，英飛凌發(fā)布了全新一代氮化鎵產(chǎn)品CoolGaN? G3和CoolGaN? G5系列，采用英飛凌自主研發(fā)的高性能8英寸晶圓工藝制造，將氮化鎵的應(yīng)用范圍擴(kuò)大到40V至700V。 source：江蘇姜堰 其中，CoolGaN? ...  [詳內(nèi)文]

AI人工智能，第三代半導(dǎo)體的下一個(gè)增量市場(chǎng)？
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 21 日 11:01 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè) , 功率
作為寬禁帶半導(dǎo)體兩大代表材料，氮化鎵目前在消費(fèi)電子快充領(lǐng)域如魚(yú)得水，碳化硅則在新能源汽車(chē)應(yīng)用場(chǎng)景漸入佳境，與此同時(shí)，二者都在向更廣闊的應(yīng)用邊界滲透，而AI的強(qiáng)勢(shì)崛起，為碳化硅和氮化鎵創(chuàng)造了新的增量市場(chǎng)。 在此背景下，英飛凌CoolSiC? MOSFET 400V系列、納微全新4....  [詳內(nèi)文]