文章分類： 功率

AI人工智能，第三代半導(dǎo)體的下一個(gè)增量市場(chǎng)？

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 21 日 11:01 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 功率
作為寬禁帶半導(dǎo)體兩大代表材料，氮化鎵目前在消費(fèi)電子快充領(lǐng)域如魚得水，碳化硅則在新能源汽車應(yīng)用場(chǎng)景漸入佳境，與此同時(shí)，二者都在向更廣闊的應(yīng)用邊界滲透，而AI的強(qiáng)勢(shì)崛起，為碳化硅和氮化鎵創(chuàng)造了新的增量市場(chǎng)。 在此背景下，英飛凌CoolSiC? MOSFET 400V系列、納微全新4....  [詳內(nèi)文]

氧化鎵初創(chuàng)公司拓諾稀科技獲數(shù)百萬(wàn)天使輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 20 日 17:30 |
| 分類: 功率
11月14日，香港科技大學(xué)（廣州）宣布，學(xué)校孵化企業(yè)“拓諾稀科技”于近日完成天使輪融資。該輪融資數(shù)百萬(wàn)元人民幣，由力合科創(chuàng)領(lǐng)投。 資料顯示，拓諾稀科技成立于2022年，公司專注于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導(dǎo)體器件的開發(fā)。 據(jù)介紹，拓諾稀科技提供的核心產(chǎn)品涵蓋高性能氧化鎵肖特基...  [詳內(nèi)文]

寶士曼功率半導(dǎo)體項(xiàng)目明年投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 19 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè) , 功率
11月13日，據(jù)“吳中發(fā)布”消息，江蘇省蘇州市吳中區(qū)近期全力沖刺第四季度加力提速重點(diǎn)項(xiàng)目建設(shè)，其中涉及一個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目——蘇州寶士曼半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（以下簡(jiǎn)稱：寶士曼）第三代半導(dǎo)體及集成電路專用設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 該項(xiàng)目占地面積50畝，建筑面積約...  [詳內(nèi)文]

碳化硅設(shè)備相關(guān)廠商科瑞爾獲投資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 19 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 功率
近日，碳化硅設(shè)備細(xì)分領(lǐng)域融資風(fēng)云再起，國(guó)內(nèi)又有一家碳化硅模塊封裝設(shè)備企業(yè)完成新一輪融資。 11月18日，據(jù)“中車資本”消息，由中車資本主發(fā)起的中車轉(zhuǎn)型升級(jí)基金，已在本月完成對(duì)功率半導(dǎo)體核心封裝設(shè)備制造商常州科瑞爾科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：科瑞爾）的投資。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)...  [詳內(nèi)文]

廣東珠海100億碳化硅相關(guān)項(xiàng)目投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 15 日 17:58 |
| 分類: 功率
據(jù)珠海網(wǎng)消息，11月14日，總投資約100億元的珠海奕源半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目在金灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園開工建設(shè)。 source：觀海融媒 據(jù)介紹，珠海奕源項(xiàng)目是北京奕斯偉集團(tuán)聚焦半導(dǎo)體行業(yè)上游先進(jìn)材料，在金灣區(qū)打造的集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地。該項(xiàng)目由華發(fā)集團(tuán)戰(zhàn)略...  [詳內(nèi)文]

深重投國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)亮相

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 15 日 17:57 | | 分類: 功率
11月15日，深重投集團(tuán)投建的國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)在中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)（簡(jiǎn)稱：高交會(huì)）上，召開建成發(fā)布會(huì)。 source：高交會(huì) 據(jù)介紹，建成發(fā)布的深圳綜合平臺(tái)具備碳化硅、氮化鎵及超寬禁帶功率材料與器件研發(fā)、集成設(shè)計(jì)及試制能力。 深圳綜合平臺(tái)主要由三...  [詳內(nèi)文]

印度開發(fā)出4英寸碳化硅晶圓工藝

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 13 日 15:56 |
| 分類: 功率
據(jù)外媒報(bào)道，11月11日，印度國(guó)防研究與發(fā)展組織（DRDO）下屬的固體物理實(shí)驗(yàn)室已成功開發(fā)出本土一種工藝，可以生長(zhǎng)和制造直徑為4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他們還已制造出功率高達(dá)150W的氮化鎵（GaN）HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路（MMIC），這些器件能夠在...  [詳內(nèi)文]

8英寸碳化硅，天科合達(dá)北京二期項(xiàng)目正式開工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 13 日 15:53 |
| 分類: 功率
11月12日，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“天科合達(dá)”）“第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目”開工儀式在北京順利舉行。 source：天科合達(dá) 據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體此前報(bào)道，二期項(xiàng)目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)0605-022C地塊為現(xiàn)有工程?hào)|側(cè)空地；項(xiàng)...  [詳內(nèi)文]

MACOM牽頭碳化硅基氮化鎵項(xiàng)目

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 06 日 16:11 |
| 分類: 功率
11月4日，美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)MACOM宣布，將引領(lǐng)一個(gè)碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目，主要針對(duì)于射頻（RF）和微波應(yīng)用領(lǐng)域。 項(xiàng)目專注于開發(fā)氮化鎵基材料和單片微波集成電路（MMIC）的半導(dǎo)體制造工藝，以實(shí)現(xiàn)在高壓和毫米波（mmW）頻率下的高效運(yùn)行。 圖片來(lái)源：...  [詳內(nèi)文]

長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢碳化硅基地將提前2個(gè)月量產(chǎn)通線

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 10 月 31 日 17:14 |
| 分類: 功率
10月30日，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地相關(guān)負(fù)責(zé)人對(duì)外介紹，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢碳化硅基地11月設(shè)備即將進(jìn)駐廠房，明年年初開始調(diào)試，預(yù)計(jì)2025年5月可以量產(chǎn)通線，隨后將開啟良率提升和產(chǎn)能爬坡。 source:光谷融媒體中心 據(jù)悉，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項(xiàng)目總...  [詳內(nèi)文]