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Wolfspeed“申請(qǐng)破產(chǎn)”？真相并非如此
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 23 日 16:26 | 分類 企業(yè)
近期，關(guān)于“全球碳化硅巨頭Wolfspeed公司申請(qǐng)破產(chǎn)” 的消息甚囂塵上，引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注。這一波報(bào)道源于美國主流大媒體《華爾街日?qǐng)?bào)》連續(xù)發(fā)布的付費(fèi)報(bào)道，由于該報(bào)道處于《華爾街日?qǐng)?bào)》的付費(fèi)閱讀范圍內(nèi)，且在不同國家和語境下可能存在理解差異，導(dǎo)致部分讀者誤以為Wolfspeed ...  [詳內(nèi)文]

小米YU7強(qiáng)勢登陸，搭載800V碳化硅高壓平臺(tái)！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 23 日 16:21 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月22日，小米在其15周年戰(zhàn)略新品發(fā)布會(huì)上正式發(fā)布了旗下首款中大型豪華高性能SUV——小米YU7。 圖片來源：小米YU7 據(jù)悉，小米YU7有三個(gè)版型–標(biāo)準(zhǔn)版、Pro版和Max版，依舊全系長續(xù)航。作為小米汽車的第二款車型，YU7系列憑借其全系搭載的800V碳化硅高壓...  [詳內(nèi)文]

國科微擬收購特種工藝半導(dǎo)體晶圓代工廠，劍指IDM轉(zhuǎn)型
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 23 日 16:19 | 分類 企業(yè)
5月21日，湖南國科微電子股份有限公司（以下簡稱“國科微”）發(fā)布公告稱，公司正籌劃通過發(fā)行股份及支付現(xiàn)金等方式購買資產(chǎn)，并募集配套資金。交易標(biāo)的為一家從事特種工藝半導(dǎo)體晶圓代工及定制化芯片代工業(yè)務(wù)的企業(yè)。目前，標(biāo)的公司名稱、交易金額等細(xì)節(jié)尚未披露。 根據(jù)初步測算，本次交易預(yù)計(jì)構(gòu)成...  [詳內(nèi)文]

北京順義第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 23 日 16:17 | 分類 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近期，媒體報(bào)道#北京順義第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）目前正全力推進(jìn)中，整體項(xiàng)目進(jìn)度已完成86%，預(yù)計(jì)今年7月底完工。 該項(xiàng)目包括生產(chǎn)廠房、綜合樓、動(dòng)力中心等11棟單體建筑，總投資6.3億元，總占地面積4萬平方米，總建筑面積6.47萬平方米，由順義科創(chuàng)集團(tuán)投資建設(shè)。...  [詳內(nèi)文]

55億元碳化硅產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目落地內(nèi)蒙古
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 21 日 15:28 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，內(nèi)蒙古自治區(qū)通遼市庫倫旗迎來一項(xiàng)重大投資項(xiàng)目——總投資達(dá)55億元的#碳化硅產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目。該項(xiàng)目由通遼市政協(xié)積極推動(dòng)，并已于5月15日由庫倫旗人民政府與中科復(fù)材（吉林）科技有限公司正式簽署合作協(xié)議。 圖片來源：內(nèi)蒙古自治區(qū)政協(xié) 該碳化硅產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目規(guī)劃占地270畝，將分三期滾動(dòng)...  [詳內(nèi)文]

總投資11億，合肥芯谷微砷化鎵晶圓項(xiàng)目成功搬入設(shè)備
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 21 日 15:26 | 分類 企業(yè) , 砷化鎵
據(jù)合肥芯谷微電子官微消息，5月19日，合肥芯谷微電子有限公司（以下簡稱“芯谷微”）砷化鎵晶圓制造線項(xiàng)目迎來關(guān)鍵進(jìn)展，首臺(tái)核心設(shè)備高溫離子注入機(jī)順利搬入產(chǎn)線。此舉標(biāo)志著該產(chǎn)線正式進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試階段，全部設(shè)備計(jì)劃于5月底完成搬入，為后續(xù)通線達(dá)產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。 圖片來源：合肥芯谷微電子...  [詳內(nèi)文]

英飛凌宣布兩項(xiàng)合作，助力電能突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 21 日 15:24 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，媒體報(bào)道英飛凌兩項(xiàng)電源領(lǐng)域合作。 5月20日，英飛凌公司表示，將與英偉達(dá)合作開發(fā)下一代電源系統(tǒng)，以革新未來人工智能數(shù)據(jù)中心所需的電力傳輸架構(gòu)。英飛凌表示，該全新系統(tǒng)架構(gòu)能顯著提升數(shù)據(jù)中心內(nèi)電能分配效率，并支持在服務(wù)器主板內(nèi)直接為AI芯片（圖形處理器GPU）進(jìn)行電力轉(zhuǎn)換。 同...  [詳內(nèi)文]

晶馳機(jī)電：交付河北首臺(tái)12英寸碳化硅設(shè)備
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 20 日 15:46 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月18日，河北晶馳機(jī)電 有限公司（以下簡稱“晶馳機(jī)電”）舉行了河北省首臺(tái)（套）12寸電阻法高純碳化硅晶體生長爐交付儀式。 source：正定發(fā)布 據(jù)悉，晶馳機(jī)電此次交付的12寸電阻法高純碳化硅晶體生長爐采用了電阻式物理氣相傳輸（PVT）方法，通過創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)和熱場設(shè)計(jì)，結(jié)合先進(jìn)...  [詳內(nèi)文]

阿爾法推出氮化鎵機(jī)器人關(guān)節(jié)模組
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 20 日 15:42 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，氮化鎵（GaN）正以高電子遷移率、高耐壓、低損耗等特性，成為人形機(jī)器人核心部件升級(jí)的關(guān)鍵推手。近期，國內(nèi)公司傳出相關(guān)新動(dòng)態(tài)。 5月17日，中科阿爾法科技有限公司發(fā)布了一款基于氮化鎵（GaN）驅(qū)動(dòng)的機(jī)器人關(guān)節(jié)模組（型號(hào)：ZK-RI 0–PRO...  [詳內(nèi)文]

比亞迪、斯達(dá)半導(dǎo)等8家企業(yè)公布最新SiC專利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 20 日 15:36 | 分類 企業(yè)
近期，碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域迎來了諸多創(chuàng)新突破，眾多企業(yè)紛紛在專利方面取得顯著成果。這些專利不僅涵蓋了材料生長、器件制造、加工工藝等多個(gè)環(huán)節(jié)，還體現(xiàn)了碳化硅技術(shù)在新能源汽車、電力電子、半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用前景。 1、比亞迪：優(yōu)化外延生長工藝設(shè)計(jì) 5月13日，比亞迪 獲得了一項(xiàng)...  [詳內(nèi)文]