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意法半導(dǎo)體重磅官宣與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 03 日 18:15 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月1日，意法半導(dǎo)體重磅宣布與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議，雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應(yīng)鏈韌性。 source：意法半導(dǎo)體中國 技術(shù)方面，兩家廠商的合作致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車等領(lǐng)域打造面向未來的功率電子技術(shù)。...  [詳內(nèi)文]

又一筆GaN收購，三墾電氣13億日元收購 POWDEC
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 03 日 18:12 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近年來，氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體技術(shù)因其高效率、高功率密度和耐高溫特性，在電力電子、射頻通信及新能源領(lǐng)域的重要性日益凸顯。氮化鎵領(lǐng)域的企業(yè)間的技術(shù)合作與戰(zhàn)略并購也逐漸成為行業(yè)發(fā)展的新常態(tài)。 3月27日，日本三墾電氣株式會社（Sanken Electric）宣布，在董事會會議上決定以...  [詳內(nèi)文]

電科裝備介紹大尺寸SiC襯底制備整線解決方案
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 03 日 18:06 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
SEMICON China 2025期間，中國電科第二研究所胡北辰博士代表電科裝備作“大尺寸SiC襯底制備整線解決方案”的專題報告。 source：中國電科 胡北辰博士指出，SiC單晶生長與切磨拋加工是第三代半導(dǎo)體器件成本降低、良率提升的重要工藝環(huán)節(jié)。針對這一重點問題，2所以“...  [詳內(nèi)文]

兩家功率半導(dǎo)體大廠高層人事變動！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 03 日 17:59 | 分類 企業(yè) , 功率
復(fù)雜國際形勢以及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)挑戰(zhàn)與機遇并存大環(huán)境下，近年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層人事變動頻頻。近日，華潤微、Wolfspeed傳出新消息。 01 華潤微換帥 3月28日，華潤微發(fā)布關(guān)于選舉公司董事長的公告，公司2025年第二屆董事會第二十三次會議審議通過了《關(guān)于選舉公司第二屆...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵大爆發(fā)，英諾賽科、羅姆披露最新動態(tài)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 03 日 12:00 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
全球半導(dǎo)體競爭進入材料革命的新階段，第三代半導(dǎo)體重要性日益突出，其中，氮化鎵正成為冉冉升起的新星，應(yīng)用范圍不斷擴展，車規(guī)級氮化鎵隱隱有爆發(fā)的態(tài)勢，推動英諾賽科等廠商業(yè)績上漲，也吸引相關(guān)廠商持續(xù)布局。 英諾賽科最新業(yè)績出爐，車規(guī)級氮化鎵交付量增長986.7% 近日，氮化鎵龍頭企業(yè)英...  [詳內(nèi)文]

天岳先進，扭虧為盈
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 03 日 10:26 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
3月27日，天岳先進公布的2024年年度報告顯示，公司實現(xiàn)營業(yè)收入17.68億元，同比增長41.37%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.79億元，實現(xiàn)扭虧為盈。 source：天岳先進2024年度報告 天岳先進表示，2024年公司立足全球市場，全面提升核心產(chǎn)品的產(chǎn)能產(chǎn)量。全年濟...  [詳內(nèi)文]

AI、機器人、氮化鎵等浪潮來襲，英飛凌四大新品亮劍
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 31 日 15:35 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，英飛凌在2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會（ICIC 2025，以下同）上，就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應(yīng)用等話題展開了深度探討，其首次在國內(nèi)展示了英飛凌的兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，引起行業(yè)諸多關(guān)注。 英飛凌...  [詳內(nèi)文]

新凱來、電科裝備、高測股份大動作，瞄準(zhǔn)第三代半導(dǎo)體等發(fā)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 27 日 12:34 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
SEMICON China 2025正如火如荼在上海召開，半導(dǎo)體設(shè)備參展廠商活躍，吸引觀眾駐足。值得一提的是，本次展會上，圍繞第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域，包括新凱來、電科裝備、高測股份等在內(nèi)的多家半導(dǎo)體設(shè)備廠商拿出了最新產(chǎn)品與方案。 1、新凱來展示多款半導(dǎo)體設(shè)備，涉及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域！ ...  [詳內(nèi)文]

日本住友利用二英寸金剛石襯底制備出氮化鎵器件
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 27 日 12:02 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
日本住友電氣工業(yè)株式會社（Sumitomo Electric）近日宣布，其與大阪公立大學(xué)的研究團隊在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破——成功在直徑兩英寸的多晶金剛石（PCD）基板上研制出高性能氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管。 該創(chuàng)新成果通過革命性散熱架構(gòu)設(shè)計，將器件熱阻降至傳統(tǒng)硅基...  [詳內(nèi)文]

三家碳化硅廠商獲得新一輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 27 日 12:01 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，三家碳化硅相關(guān)公司獲得新一輪融資，分別是優(yōu)睿譜、科瑞爾與芯湛。 其中，優(yōu)睿譜新一輪融資由合肥產(chǎn)投獨家投資，該公司是一家半導(dǎo)體前道量測設(shè)備研發(fā)商，致力于打造高品質(zhì)的半導(dǎo)體前道量測設(shè)備。 碳化硅業(yè)務(wù)方面，優(yōu)睿譜SICD200設(shè)備已成功交付客戶，這是一款碳化硅襯底晶圓位錯及微管檢...  [詳內(nèi)文]