近期，立昂微披露，控股子公司金瑞泓微電子（衢州）有限公司（以下簡稱“金瑞泓”）擬在現有廠房內建設“年產180萬片12英寸重摻襯底片項目”，計劃總投資22.62億元，其中固定資產投資21.96億元。
圖片來源：立昂微公告截圖
立昂微介紹，本次投建項目建設周期約60個月，將采取分階段建設、分階段投入、分階段產出的模式進行，預計每年投入金額約3.5億元，資金投入進度將結合公司資金狀況、市場供需狀況進行動態(tài)調節(jié)，預計投資收益率7.76%。
資料顯示，金瑞泓已掌握12英寸硅片成套工藝核心技術，可滿足高端功率器件需求，終端應用于AI服務器不間斷電源、儲能變流器、充電樁、工業(yè)電子、伺服驅動器以及消費類電子、汽車電子、家用電器、嵌入式系統(tǒng)和工業(yè)控制等領域。
本次投建項目將采用金瑞泓自主開發(fā)的重摻雜直拉硅單晶的制備技術、微量摻鍺直拉硅單晶技術和低缺陷摻氮直拉硅單晶技術等最重要的生產工藝。
金瑞泓現有重摻系列硅片產能爬坡迅速，目前已接近滿產，為進一步滿足市場需求，本次投建項目系在金瑞泓現有廠房內實施的擴產項目，可與現有“年產180萬片12英寸半導體硅外延片項目”形成上下游配套。
本次投建項目實施后，立昂微將實現新增年產180萬片12英寸重摻襯底片的產能規(guī)模，有利于開發(fā)和制備當前高端功率器件市場急需的重摻砷、重摻磷等系列的厚層、埋層等特殊規(guī)格的硅外延片產品，可顯著提高公司重摻系列硅片生產能力，優(yōu)化產品結構，提升產品豐富度，鞏固市場頭部地位，提升綜合競爭力。
（集邦化合物半導體整理）
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