日本巨頭追加投資33億日元，InP襯底產能激增50%

作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 10 月 17 日 14:26 | 分類 企業(yè) , 磷化銦 | edit

日本半導體材料巨頭JX先進金屬公司（JXAdvancedMetalsCorp.，以下簡稱“JX金屬”）近日宣布，將對旗下磯原工廠的磷化銦（InP）襯底生產設施進行追加資本投資。 圖片來源：JX官網新聞稿截圖 此輪追加投資額與該公司7月份宣布的投資合并計算，總投資額約達33億日元...  [詳內文]

又有兩家碳化硅廠商完成A+輪融資

作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 10 月 17 日 14:20 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC | edit

在碳化硅市場前景廣闊、政策大力扶持以及國內廠商技術不斷突破的當下，資本對國內碳化硅廠商的關注度與投資熱情持續(xù)高漲。近期，又有兩家國內碳化硅廠商——卓遠半導體與科友半導體順利完成A+輪融資。 1、卓遠半導體：提速SiC研發(fā)與產能 近期，卓遠半導體完成A+輪融資交割，此次投資方為湖北...  [詳內文]

與中國廠商抗衡？羅姆將加速開發(fā)碳化硅產品

作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 10 月 17 日 10:43 | 分類 碳化硅SiC | edit

日經BP消息，羅姆取締役兼常務執(zhí)行董事、功率元器、件業(yè)務負責人伊野和英向外透露，羅姆正倍速開發(fā)碳化硅半導體產品，以增強競爭力，等待需求復蘇。 產品進展上，羅姆計劃從第5代開始生產口徑8英寸（約200毫米）的SiC基板，第6代產品的生產計劃從2027年啟動。羅姆將同時推進第7代、第...  [詳內文]

垂直GaN新秀獲1100萬美元融資

作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 10 月 17 日 10:40 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN | edit

硅谷AI硬件基礎設施迎來一家極具潛力的初創(chuàng)公司。由麻省理工學院（MIT）分拆成立的Vertical Semiconductor Inc.（以下簡稱“Vertical”）10月15日宣布，已成功完成1100萬美元種子輪融資。本輪融資由知名風投機構Playground Global領...  [詳內文]

頭部SiC企業(yè)二次遞表港交所

作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 10 月 17 日 10:32 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC | edit

近日，港交所官網披露了瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司(以下簡稱“瀚天天成”)在港交所提交的上市申請，公司上市材料被正式受理，獨家保薦人為中金公司。 圖片來源：瀚天天成上市申請書截圖 資料顯示，瀚天天成成立于2011年，由碳化硅行業(yè)知名科學家趙建輝博士創(chuàng)立，是全球碳化硅外延...  [詳內文]

鎵仁半導體實現(xiàn)6英寸氧化鎵同質外延生長

作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 10 月 16 日 18:27 | 分類 氧化鎵 | edit

近日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）宣布在氧化鎵同質外延技術上取得重大突破，成功實現(xiàn)了高質量6英寸氧化鎵同質外延生長。 此次鎵仁半導體 的6英寸氧化鎵同質外延片表現(xiàn)優(yōu)異。外延層厚度超過10微米，厚度均勻性優(yōu)異，方差σ小于1%。高分辨XRD搖擺曲線半高寬小于40弧...  [詳內文]

功率半導體大廠談氮化鎵前景

作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 10 月 16 日 18:27 | 分類 氮化鎵GaN | edit

10月13日，瑞薩電子官微發(fā)文，介紹了瑞薩及其GaN（氮化鎵）技術發(fā)展征程，氮化鎵應用情況，以及未來氮化鎵面臨的挑戰(zhàn)與機會。 2024年瑞薩電子收購GaN領域的先驅企業(yè)Transphorm，進而完成了布局氮化鎵的關鍵一步。此次收購，瑞薩獲得了Transphorm的GaN知識產權、...  [詳內文]

國產12英寸SiC再傳捷報

作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 10 月 16 日 18:27 | 分類 碳化硅SiC | edit

近日，天成半導體官微宣布，依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶設備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體?有效厚度突破35mm厚。 據(jù)悉，天成半導體現(xiàn)已掌握12英寸高純半絕緣和N型單晶生長雙成熟工藝，且自研的長晶設備可產出直徑達到350mm的單晶材...  [詳內文]

全碳化硅充電系統(tǒng)落地湖南，最快1秒1公里

作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 10 月 14 日 18:00 | 分類 碳化硅SiC | edit

近日，國網湖南電科院“全碳化硅構網型10千伏直掛超級充電系統(tǒng)”通過國家能源局能源領域首臺（套）重大技術裝備評審，并在湖南湘江新區(qū)一處超級充電站試運行，充電速度最快達1秒1公里。 該超級充電站配備了6個充電樁和11把充電槍，可同時滿足11輛車的充放電需求。其充電速度極快，最快可達1...  [詳內文]

納微半導體與兆易創(chuàng)新成立聯(lián)合實驗室，涉及碳化硅、氮化鎵領域

作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 10 月 14 日 17:57 | 分類 碳化硅SiC | edit

“納微芯球”官微消息，近期納微半導體與兆易創(chuàng)新GigaDevice共同設立的“數(shù)字能源聯(lián)合實驗室”在合肥揭牌。 圖片來源：納微芯球 該實驗室將納微半導體在高頻、高速、高集成度氮化鎵以及擁有溝槽輔助平面技術的GeneSiC碳化硅領域的產品優(yōu)勢與兆易創(chuàng)新在GD32 MCU領域的深厚...  [詳內文]