頭部SiC企業(yè)二次遞表港交所

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 10 月 17 日 10:32 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC

近日,港交所官網(wǎng)披露了瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“瀚天天成”)在港交所提交的上市申請(qǐng),公司上市材料被正式受理,獨(dú)家保薦人為中金公司。

圖片來(lái)源:瀚天天成上市申請(qǐng)書截圖

資料顯示,瀚天天成成立于2011年,由碳化硅行業(yè)知名科學(xué)家趙建輝博士創(chuàng)立,是全球碳化硅外延行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,主要從事碳化硅外延晶片的研發(fā)、量產(chǎn)及銷售。瀚天天成在全球率先實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延晶片大批量外供,也是國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)商業(yè)化3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片批量供應(yīng)的生產(chǎn)商。

二度遞表港交所,股東陣容“豪華”

這并非瀚天天成首次沖擊資本市場(chǎng)。2023年12月底,瀚天天成向上海證券交易所提交了 A 股上市申請(qǐng),擬在科創(chuàng)板上市,中金公司為其保薦人。2024年6月,因該公司及其保薦人中金公司申請(qǐng)撤回IPO文件,上交所終止了對(duì)其首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的審核。

之后,瀚天天成將目光轉(zhuǎn)向了港交所。2025年4月8日,瀚天天成首次向港交所遞交招股書。據(jù)港交所信息顯示,其招股書于10月8日失效。

隨后10月14日,瀚天天成再次向港交所遞交招股書,繼續(xù)沖刺港交所主板。瀚天天成在招股書中表示,選擇港交所上市,是因?yàn)楦劢凰転楣咎峁﹪?guó)際平臺(tái),有助于提升公司在全球的市場(chǎng)知名度,獲得國(guó)際資本以優(yōu)化資本結(jié)構(gòu),還有助于吸引國(guó)際人才等。

招股書顯示,此次募資主要用于擴(kuò)大碳化硅外延晶片產(chǎn)能,計(jì)劃在未來(lái)五年以嚴(yán)謹(jǐn)且審慎的方式擴(kuò)大碳化硅外延晶片的產(chǎn)能,以滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。還會(huì)將投入資金用于碳化硅外延晶片研發(fā),以提升技術(shù)能力并鞏固技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

在財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)方面,瀚天天成2022年、2023年、2024年和2025年前五個(gè)月的營(yíng)業(yè)收入分別為人民幣4.41億、11.43億、9.74億和2.66億元,相應(yīng)的凈利潤(rùn)分別為人民幣1.43億、1.22億、1.66億和0.14億元。其毛利率分別為 44.7%、39%、34.1% 及 18.7%。

股東結(jié)構(gòu)上,創(chuàng)始人趙建輝直接持股28.85%,為控股股東;華為旗下哈勃科技以4.03%持股位列第五大股東,與華潤(rùn)微電子(2.69%)、廈門國(guó)資等形成戰(zhàn)略股東陣營(yíng),目前企業(yè)估值約260億元。值得注意的是,前五大客戶貢獻(xiàn)了超80%的收入,且存在5家客戶與供應(yīng)商身份重疊的情況,主要源于外延片代工模式下的襯底供應(yīng)安排。

今年2月28日,瀚天天成董事長(zhǎng)趙建輝對(duì)外表示,該公司的8英寸碳化硅外延晶片廠房已完成建設(shè),其設(shè)備購(gòu)置預(yù)計(jì)在3月份完成。3月7日,據(jù)中國(guó)(福建)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)廈門片區(qū)管理委員會(huì)發(fā)文,瀚天天成的8英寸碳化硅外延晶片廠房已完成建設(shè),并啟動(dòng)設(shè)備采購(gòu)流程,計(jì)劃在3月底完成簽約。

碳化硅賽道迎爆發(fā)期

當(dāng)前國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)正處于快速增長(zhǎng)階段,新能源汽車是核心驅(qū)動(dòng)力,隨著車企對(duì)高效能、長(zhǎng)續(xù)航車型的需求提升,車用SiC器件的滲透率持續(xù)提高,成為拉動(dòng)行業(yè)增長(zhǎng)的關(guān)鍵引擎。根據(jù)TrendForce集邦咨詢分析,中國(guó)碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)2026年有望上升至14.82億美元。

從發(fā)展動(dòng)力來(lái)看,技術(shù)迭代與政策支持形成雙重助力。一方面,8英寸SiC外延晶片替代6英寸已成為行業(yè)明確趨勢(shì),國(guó)內(nèi)企業(yè)在襯底制備、外延生長(zhǎng)等核心環(huán)節(jié)不斷突破技術(shù)瓶頸,逐步縮小與國(guó)際領(lǐng)先水平的差距;另一方面,國(guó)家層面將第三代半導(dǎo)體納入重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域,通過(guò)研發(fā)資金扶持、地方設(shè)備補(bǔ)貼及稅收優(yōu)惠等政策,為產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)I造良好環(huán)境。

目前SiC行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)已進(jìn)入白熱化階段。國(guó)際巨頭憑借技術(shù)積累和規(guī)模優(yōu)勢(shì)加速擴(kuò)產(chǎn),鞏固市場(chǎng)地位;國(guó)內(nèi)企業(yè)則在產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)積極卡位,頭部廠商通過(guò)技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能布局爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額。從資本層面看,行業(yè)吸引大量資金涌入,未來(lái)市場(chǎng)集中度有望進(jìn)一步提升,頭部企業(yè)將占據(jù)更多競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

(集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理)

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