碳化硅作為第三代半導體材料的核心代表,正以其耐高壓、高頻、高效等特性重塑全球功率半導體產業(yè)發(fā)展格局,吸引各國爭相投入研發(fā)。中國碳化硅技術研發(fā)進展順利,近期,兩項碳化硅技術迎來新突破。
1、連科半導體八吋硅區(qū)熔爐及碳化硅電阻爐成果鑒定達到國際領先水平
“連城數控”官微消息,近期,中...  [詳內文]
無錫:全力搶占“三代半”制高點 |
作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 05 月 06 日 11:54 | 分類 企業(yè) |