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納微半導體、CGD兩家公司氮化鎵新突破

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:28 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
第三代半導體產(chǎn)業(yè)中,氮化鎵憑借出色的電子遷移率和更高的開關(guān)速度,在高頻應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出優(yōu)勢,吸引業(yè)界關(guān)注。近期,市場傳來納微半導體、CGD兩家公司氮化鎵新動態(tài),涉及電動汽車、車載充電以及光伏逆變器等領(lǐng)域。 01 納微半導體全球首發(fā)雙向氮化鎵開關(guān) 3月12日,納微半導體發(fā)布全球首款...  [詳內(nèi)文]

兩條8英寸產(chǎn)線新進展:涉及碳化硅、氮化鎵

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:23 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杰立方8英寸碳化硅產(chǎn)線之后,香港再傳出兩條第三代半導體產(chǎn)線進展。 近期,明報新聞網(wǎng)報道,香港微電子研發(fā)院(MRDI)正在設(shè)立兩條8英寸第三代半導體中試線,分別負責碳化硅及氮化鎵研發(fā)和生產(chǎn),預計在今年內(nèi)完成安裝及調(diào)試。 2024年5月,香港立法會批準28.4億港元設(shè)立香港微電子研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

CGD官宣突破性技術(shù)

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 9:49 | 分類 氮化鎵GaN
近日,CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅(qū)逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化鎵(GaN)技術(shù),目標瞄準規(guī)模超百億美元的電動汽車市場。革命性的 Combo ICeGaN? 方案通過將智能化的ICeGaN? HEMT與傳統(tǒng)IGBT 組合并封裝于同...  [詳內(nèi)文]

東芝功率半導體后道生產(chǎn)新廠房竣工

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 9:46 | 分類 功率
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)近日在其位于日本西部兵庫縣姬路半導體工廠的車載功率半導體后道生產(chǎn)新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的產(chǎn)能將比2022財年的水平增加一倍以上,并將于2025財年上半年開始全面生產(chǎn)。 功率器件是提高各種電氣和電子設(shè)備能源效率的重要元件,在電力供應(yīng)和...  [詳內(nèi)文]

天域半導體等企業(yè)參加,碳化硅(CVD)領(lǐng)域團體標準啟動會召開

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:53 | 分類 企業(yè)
近日,由中國國際經(jīng)濟技術(shù)合作促進會標準化工作委員會(以下簡稱“國促會標委會”)聯(lián)合通標中研標準化技術(shù)研究院共同組織的《碳化硅外延片制備技術(shù)規(guī)范化學氣相沉積法(CVD)》團體標準啟動會順利召開。 包括廣東天域半導體股份有限公司、南京百識電子科技有限公司、藍河科技(紹興)有限公司、深...  [詳內(nèi)文]

三安光電披露:重慶8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能已達500片/周

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:51 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
3月12日,三安光電在投資者互動平臺披露,其位于重慶的8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線已正式投產(chǎn),當前周產(chǎn)能達500片。這一進展標志著國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)在規(guī)模化生產(chǎn)領(lǐng)域邁出重要一步,為新能源汽車、智能電網(wǎng)等新興市場提供關(guān)鍵材料支撐。 source:三安光電 公開資料顯示,重慶三安8英寸碳化硅...  [詳內(nèi)文]

功率半導體龍頭,開啟一筆重大并購

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:47 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
3月13日,揚杰科技發(fā)布公告稱,公司正籌劃通過發(fā)行股份及支付現(xiàn)金方式收購東莞市貝特電子科技股份有限公司(以下簡稱“貝特電子”)控股權(quán),并同步募集配套資金。 source:集邦化合物半導體截圖 受此影響,該公司股票自當日開市起停牌,預計3月27日前披露重組預案并申請復牌。這一動作...  [詳內(nèi)文]

納微助力長城電源打造超高功率密度模塊電源

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:16 | 分類 氮化鎵GaN
納微半導體宣布其搭載GaNSense?技術(shù)的GaNFast??氮化鎵功率芯片進入長城電源供應(yīng)鏈,成功助力其打造AI數(shù)據(jù)中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。 AI的迅猛發(fā)展對數(shù)據(jù)中心提出了更高的算力要求,為了容納更多的GPUs進行計算,400V獨立機柜的架構(gòu)將成為數(shù)據(jù)中心的全...  [詳內(nèi)文]

中微公司:刻蝕設(shè)備反應(yīng)臺全球出貨超5000臺

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:12 | 分類 企業(yè)
3月12日,中微公司宣布其等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)總臺數(shù)全球累計出貨超過5000臺,涉及CCP高能等離子體刻蝕機和ICP低能等離子體刻蝕機、單反應(yīng)臺反應(yīng)器和雙反應(yīng)臺反應(yīng)器共四種構(gòu)型的設(shè)備。 中微公司介紹,等離子體刻蝕機,是光刻機之外,最關(guān)鍵的、也是市場最大的微觀加工設(shè)備。由于微觀器件...  [詳內(nèi)文]

北方華創(chuàng):擬取得芯源微的控制權(quán)

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 12 日 16:24 | 分類 企業(yè)
3月10日晚間,北方華創(chuàng)發(fā)布的公告顯示,該公司計劃通過“兩步走”戰(zhàn)略取得芯源微的控制權(quán)。 北方華創(chuàng)首先擬從芯源微第二大股東沈陽先進制造技術(shù)產(chǎn)業(yè)有限公司(以下簡稱“先進制造”)收購1906.49萬股芯源微股份,每股作價88.48元,交易對價約16.87億元。 與此同時,芯源微的第三...  [詳內(nèi)文]