第三代半導體產(chǎn)業(yè)中,氮化鎵憑借出色的電子遷移率和更高的開關(guān)速度,在高頻應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出優(yōu)勢,吸引業(yè)界關(guān)注。近期,市場傳來納微半導體、CGD兩家公司氮化鎵新動態(tài),涉及電動汽車、車載充電以及光伏逆變器等領(lǐng)域。
01 納微半導體全球首發(fā)雙向氮化鎵開關(guān)
3月12日,納微半導體發(fā)布全球首款...  [詳內(nèi)文]
納微半導體、CGD兩家公司氮化鎵新突破 |
作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:28 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN |