近期，在第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會(CSE)期間，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）正式發(fā)布2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標準：
T/CASAS 036—2025《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構(gòu)件純度測定方法 輝光放電質(zhì)譜法》
T/CASAS 048—2025《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨》
上述兩份文件主要起草單位為：賽邁科先進材料股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、湖南三安半導體有限責任公司、山東天岳先進科技股份有限公司、山西爍科晶體有限公司、山東大學、中國科學院半導體研究所、中電化合物半導體有限公司、杭州海乾半導體有限公司、北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。
兩項標準旨在為碳化硅（SiC）單晶生長技術(shù)的規(guī)?；?、高質(zhì)量發(fā)展提供關(guān)鍵支撐。
據(jù)悉，等靜壓石墨是PVT法生長SiC單晶的重要耗材，占SiC襯底生產(chǎn)物料成本約30%，其國產(chǎn)化、產(chǎn)業(yè)化、規(guī)?；苿恿薙iC成本的持續(xù)降低，加快了SiC器件更廣泛的應(yīng)用于光伏、儲能、工業(yè)變頻，為我國的雙碳戰(zhàn)略貢獻力量。
未來，CASA聯(lián)盟將繼續(xù)圍繞第三代半導體材料、器件及應(yīng)用，加速關(guān)鍵標準研制與國際化布局，助力第三代半導體產(chǎn)業(yè)在全球價值鏈中占據(jù)更高位勢。（集邦化合物半導體整理）