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安徽格恩半導(dǎo)體申請氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器專利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:07 | 分類 氮化鎵GaN
近日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請一項名為“一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器”的專利。 專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光元件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器。該氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導(dǎo)層、有源層、上...  [詳內(nèi)文]

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:02 | 分類 功率
近日，安森美推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。與使用第7代場截止（FS7）IGBT技術(shù)相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而...  [詳內(nèi)文]

杭州第三代半導(dǎo)體相關(guān)項目迎新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 17:04 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杭州“臨安發(fā)布”消息，愛矽科技園項目已完成40%的施工進度。計劃今年年底，園區(qū)全部結(jié)頂竣工，爭取明年5月投入使用。 該產(chǎn)業(yè)園于2024年5月開工，項目計劃打造臨安首個集芯片設(shè)計研發(fā)、先進封裝封測、功率器件封裝封測等多元功能于一體的集成電路產(chǎn)業(yè)園，占地118畝，建筑面積約20萬平方...  [詳內(nèi)文]

180萬片，斯達半導(dǎo)重慶車規(guī)級功率模塊項目封頂
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 17:01 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)西部重慶科學(xué)城最新消息，3月17日，斯達半導(dǎo)體重慶車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地正式封頂，標志著國內(nèi)首條年產(chǎn)能達180萬片的車規(guī)級IGBT與碳化硅（SiC）模塊產(chǎn)線進入投產(chǎn)倒計時。 公開資料顯示，這一項目由長安汽車旗下深藍汽車與斯達半導(dǎo)體聯(lián)合打造。斯達半導(dǎo)體與深藍汽車的合作始于2023年，...  [詳內(nèi)文]

這家破產(chǎn)的GaN工廠，被全球三大公司競購
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 16:59 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，一場圍繞氮化鎵（GaN）技術(shù)的競購戰(zhàn)正在比利時奧德納爾德市悄然上演。曾被譽為歐洲GaN技術(shù)先驅(qū)的BelGaN工廠，因資金鏈斷裂于2024年8月申請破產(chǎn)，其440名員工的命運與價值1.3億歐元的資產(chǎn)標的，成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈爭奪的焦點。 從輝煌到隕落，BelGaN花落誰家 B...  [詳內(nèi)文]

芯粵能半導(dǎo)體成功開發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 9:02 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長三角國際半導(dǎo)體博覽會消息，近期，廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“芯粵能”）經(jīng)過近兩年時間的技術(shù)研發(fā)和測試，已成功開發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺。 該平臺采用芯粵能自主知識產(chǎn)權(quán)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，可顯著降低比導(dǎo)通電阻、提高電流密度，并在確保產(chǎn)品可靠性的同時，...  [詳內(nèi)文]

聚焦三代半等領(lǐng)域，江蘇首只高校科技成果轉(zhuǎn)化基金完成注冊
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 9:00 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
據(jù)江蘇金融湃消息，近日江蘇首只高?？萍汲晒D(zhuǎn)化基金——南京高?？萍汲晒D(zhuǎn)化天使基金完成工商注冊。這只總規(guī)模5億元的基金，將重點投向第三代半導(dǎo)體、前沿新材料等戰(zhàn)略領(lǐng)域，為高?？蒲谐晒D(zhuǎn)化注入”耐心資本”。 據(jù)悉，該基金由江蘇省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)母基金、南京市創(chuàng)新...  [詳內(nèi)文]

國家隊再投一家化合物半導(dǎo)體大廠
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 8:56 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
企查查最新消息顯示，3月13日，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期（以下簡稱“大基金二期”）投資入股了昂坤視覺（北京）科技有限公司。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 此前，昂坤視覺還獲得了中微公司、匯川技術(shù)、晶盛機電等知名產(chǎn)業(yè)方，金浦投資、招商致遠、海望資本、昌發(fā)展、馮源資本、清...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成獲聯(lián)合電子“卓越技術(shù)創(chuàng)新獎”
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 17 日 10:42 | 分類 碳化硅SiC
近日，聯(lián)合電子2025年供應(yīng)商大會隆重舉行，芯聯(lián)集成作為聯(lián)合電子的重要供應(yīng)鏈合作伙伴出席此次大會。會上，芯聯(lián)集成控股子公司芯聯(lián)動力，憑借高性能碳化硅（SiC）MOSFET等技術(shù)產(chǎn)品供應(yīng)，榮獲“2024年度供應(yīng)商卓越技術(shù)創(chuàng)新獎”。 作為一家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界的創(chuàng)新科技公司，芯聯(lián)集成致力于...  [詳內(nèi)文]

歐洲九國聯(lián)盟，第三代半導(dǎo)體劃重點
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:32 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，德國、荷蘭、法國、比利時、芬蘭、意大利、奧地利、波蘭和西班牙九個國家正式簽署協(xié)議，組建“半導(dǎo)體聯(lián)盟”（Semicon Coalition），旨在通過協(xié)同合作提升芯片自給能力，并強化自身在全球半導(dǎo)體版圖的地位。 上述聯(lián)盟主攻技術(shù)主權(quán)、供應(yīng)鏈韌性與創(chuàng)新競爭力三大核心方向，將重點...  [詳內(nèi)文]