三家公司披露8英寸碳化硅最新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 05 月 08 日 13:59 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC

在半導(dǎo)體材料革命的浪潮中,碳化硅(SiC)以其耐高壓、高頻、高溫的卓越性能,正加速滲透各個(gè)領(lǐng)域。近年,我國(guó)積極發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè),在8英寸、12英寸取得了喜人成績(jī)。近期,國(guó)內(nèi)三家公司8英寸碳化硅領(lǐng)域傳出新進(jìn)展。

01、超芯星開啟8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)

近期,南京日?qǐng)?bào)深度對(duì)話超芯星聯(lián)合創(chuàng)始人袁振洲,揭秘我國(guó)8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)背后的“晶體種植術(shù)”。

袁振洲指出,“種”晶體的主要材料就是籽晶和高純度碳化硅粉料。籽晶是形成晶體的‘種子’,當(dāng)溫度升至2300℃以上時(shí),高純度碳化粉料升華,傳輸至籽晶附近,達(dá)到過(guò)飽和狀態(tài)后重新結(jié)晶,逐漸形成完美的晶體。隨后通過(guò)精細(xì)的切割、研磨和拋光工序,這些晶體被轉(zhuǎn)化為光滑的單晶襯底,襯底尺寸越大,所能產(chǎn)出的芯片數(shù)量越多。

隨著尺寸的增大,內(nèi)部晶體缺陷的風(fēng)險(xiǎn)也相應(yīng)增加。面對(duì)這些挑戰(zhàn),袁振洲帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)不斷攻克難關(guān),先后突破了低應(yīng)力晶體生長(zhǎng)、低缺陷晶體生長(zhǎng)及低損耗晶片加工技術(shù)等多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn),形成了一整套具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的工藝。如今,超芯星已成為國(guó)內(nèi)少數(shù)幾家能夠批量供應(yīng)碳化硅襯底片的企業(yè)之一,同時(shí)也是江蘇省內(nèi)唯一一家覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的碳化硅材料公司。

展望未來(lái),袁振洲表示公司近期目標(biāo)是推動(dòng)8英寸碳化硅襯底的大規(guī)模量產(chǎn),同時(shí),致力于打造品牌影響力,為南京的產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新貢獻(xiàn)力量。

02、重投天科6&8吋產(chǎn)品已推向市場(chǎng)

深圳特區(qū)報(bào)消息,深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“重投天科”)主要聚焦于碳化硅襯底和外延的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,是北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱:“北京天科合達(dá)”)和市屬國(guó)企深重投集團(tuán)兩家企業(yè)為主要股東合資成立的半導(dǎo)體企業(yè)。

該公司位于深圳市寶安區(qū)石巖街道,這里曾經(jīng)是一片荒蕪的土地,經(jīng)過(guò)五年的發(fā)展,如今已建起大片廠房,總建筑面積達(dá)到179045平方米,深圳市第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園從藍(lán)圖變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。

source:深圳市寶安區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)

報(bào)道指出,重投天科高質(zhì)量的6-8英寸碳化硅襯底和外延已推向市場(chǎng)。據(jù)悉,按照正常設(shè)計(jì)、施工工期,產(chǎn)業(yè)園建設(shè)工期需要約28個(gè)月,面對(duì)市場(chǎng)對(duì)于產(chǎn)能的迫切需求,重投天科最終僅用了19個(gè)月實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線順利投產(chǎn)。

03、晶升股份8英寸設(shè)備持續(xù)推進(jìn)

近期,晶升股份發(fā)布2024年報(bào)和2025年一季報(bào),公司2024年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入4.25億元,同比增長(zhǎng)4.78%;2025Q1實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入0.71億元,同比減少12.69%。

晶升股份是國(guó)內(nèi)晶體生長(zhǎng)設(shè)備領(lǐng)域龍頭企業(yè)之一,碳化硅單晶爐領(lǐng)域,晶升股份是國(guó)內(nèi)少數(shù)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅單晶爐量產(chǎn)的企業(yè)。

此外,該公司還前瞻性布局8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備,自主研發(fā)的SCMP系列單晶爐已實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng),為未來(lái)3年至5年碳化硅襯底向大尺寸迭代提供設(shè)備保障。(集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理)

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