Author Archives: KikiWang

國(guó)內(nèi)兩項(xiàng)碳化硅技術(shù)迎突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 29 日 15:41 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的核心代表，正以其耐高壓、高頻、高效等特性重塑全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局，吸引各國(guó)爭(zhēng)相投入研發(fā)。中國(guó)碳化硅技術(shù)研發(fā)進(jìn)展順利，近期，兩項(xiàng)碳化硅技術(shù)迎來(lái)新突破。 1、連科半導(dǎo)體八吋硅區(qū)熔爐及碳化硅電阻爐成果鑒定達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平 “連城數(shù)控”官微消息，近期，中...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體大廠官宣新CEO
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 29 日 15:38 | 分類 企業(yè) , 功率
近期，恩智浦在最新財(cái)報(bào)中宣布了新任CEO，該公司指出：現(xiàn)任CEO庫(kù)爾特·西弗斯將于今年年底從公司退休?，F(xiàn)任恩智浦高管拉斐爾·索托馬約爾將立即擔(dān)任總裁一職，并將于10月28日成為新任首席執(zhí)行官。 恩智浦表示，拉斐爾在制定和塑造恩智浦戰(zhàn)略以及推動(dòng)公司成功方面發(fā)揮了不可或缺的作用。公司...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科多款氮化鎵產(chǎn)品集中亮相
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 29 日 15:35 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日， 英諾賽科在慕尼黑上海電子展（Electronica China）和武漢九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（CSE）上展出的氮化鎵產(chǎn)品及解決方案，引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。 其中在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，英諾賽科重點(diǎn)展示了雙面散熱 En-FCLGA 封裝 100V GaN、全球首款100V ...  [詳內(nèi)文]

甘肅天?？h：沖刺百億級(jí)碳硅基新材料產(chǎn)業(yè)集群！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 28 日 16:07 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，據(jù)中國(guó)甘肅網(wǎng)報(bào)道，甘肅省天?？h正全力推進(jìn)碳硅基新材料產(chǎn)業(yè)集群建設(shè)，并計(jì)劃到“十五五”末（2030年），建成國(guó)家級(jí)碳硅基新材料產(chǎn)業(yè)基地，形成百億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群，為西北地區(qū)新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展樹立標(biāo)桿。 天祝縣位于甘肅省武威市，地處祁連山下，擁有獨(dú)特地理位置和豐富資源，其工業(yè)主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)便是...  [詳內(nèi)文]

2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 28 日 16:06 | 分類 碳化硅SiC
近期，在第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)期間，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）正式發(fā)布2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)： T/CASAS 036—2025《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨構(gòu)件純度測(cè)定方法 輝光放電質(zhì)譜法》 T/CASAS 0...  [詳內(nèi)文]

兩家碳化硅大廠公布今年一季度財(cái)報(bào)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 28 日 16:01 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
2025年第一季度，全球半導(dǎo)體行業(yè)面臨著周期性波動(dòng)的挑戰(zhàn)，但碳化硅行業(yè)內(nèi)的兩大廠商——意法半導(dǎo)體（ST）和X-fab均在這一領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展。意法半導(dǎo)體通過(guò)優(yōu)化制造布局和推進(jìn)卡塔尼亞8英寸SiC工廠的建設(shè)，進(jìn)一步鞏固了其在碳化硅市場(chǎng)的領(lǐng)先地位；而X-fab則憑借其在碳化硅業(yè)務(wù)上...  [詳內(nèi)文]

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)展示自研產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 27 日 15:11 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
“深圳平湖實(shí)驗(yàn)室”官微消息，2025九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)期間，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)對(duì)外全面展示科研平臺(tái)、設(shè)計(jì)仿真平臺(tái)、中試平臺(tái)、分析檢測(cè)中心能力，同時(shí)帶來(lái)了8吋 SiC激光剝離襯底及復(fù)合襯底、1200V SiC外延及厚膜外延...  [詳內(nèi)文]

格力造芯新篇章，家用空調(diào)搭載SiC芯片突破100萬(wàn)臺(tái)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 27 日 14:59 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
4月22日下午，格力電器召開(kāi)2025年第一次臨時(shí)股東大會(huì)，相比過(guò)往歷次股東大會(huì)都被安排在格力地產(chǎn)總部辦公樓，本次股東大會(huì)首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠舉行。 據(jù)悉，該工廠自2024年投產(chǎn)以來(lái)，其碳化硅功率芯片在家用空調(diào)中的裝機(jī)量已經(jīng)突破100萬(wàn)臺(tái)。 SiC材料具有高耐壓、...  [詳內(nèi)文]

聞泰科技、三安光電財(cái)報(bào)出爐，聚焦SiC與GaN進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 27 日 14:53 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，聞泰科技與三安光電相繼發(fā)布最新財(cái)務(wù)報(bào)告，這兩家公司均在第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域展現(xiàn)出積極的布局和顯著的進(jìn)展。聞泰科技憑借其在半導(dǎo)體和通信技術(shù)領(lǐng)域的多元化優(yōu)勢(shì)，在車規(guī)級(jí)碳化硅應(yīng)用和氮化鎵高效能領(lǐng)域取得突破；而三安光電則依托其在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積累，在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的...  [詳內(nèi)文]

南京年產(chǎn)250萬(wàn)件IGBT/SiC功率器件項(xiàng)目正式投產(chǎn)！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 25 日 14:04 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
4月23日，丹佛斯動(dòng)力系統(tǒng)官方宣布，他們的南京功率模塊園區(qū)正式啟用。 source：丹佛斯動(dòng)力系統(tǒng) 結(jié)合官方和南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)消息，丹佛斯南京園區(qū)設(shè)有兩家工廠，分別隸屬于賽米控丹佛斯和丹佛斯Editron事業(yè)部，分別投資了不同的項(xiàng)目。 其中，IGBT半導(dǎo)體模塊項(xiàng)目總投資約1億...  [詳內(nèi)文]