文章分類： 碳化硅SiC

15億投建，這一8英寸碳化硅產(chǎn)線完成備案

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 25 日 14:03 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月20日，浙江省投資項目在線審批監(jiān)管平臺發(fā)布了浙江晶瑞電子材料有限公司年產(chǎn)60萬片8英寸碳化硅襯底片切磨拋產(chǎn)線項目的備案公示。該生產(chǎn)線規(guī)劃年產(chǎn)60萬片8英寸碳化硅襯底，預(yù)計投產(chǎn)后將提升國內(nèi)碳化硅材料的自給率，助力新能源汽車、光伏儲能等領(lǐng)域的快速發(fā)展。 圖片來源：備案公示截圖 ...  [詳內(nèi)文]

羅姆為英偉達800V HVDC架構(gòu)提供高性能電源解決方案

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 24 日 14:27 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
6月23日，羅姆宣布成為支持英偉達全新800V高壓直流（HVDC）架構(gòu)的主要硅供應(yīng)商之一。 羅姆介紹，公司不僅提供硅（Si）功率元器件，還擁有包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等#寬禁帶半導(dǎo)體?在內(nèi)的豐富產(chǎn)品陣容，可為數(shù)據(jù)中心的設(shè)計提供更優(yōu)解決方案。 羅姆的Si MOSFET...  [詳內(nèi)文]

韓國材料巨頭攜手日本百年陶瓷技術(shù)企業(yè)：聯(lián)合開發(fā)碳化硅新產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 23 日 14:23 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月16日，韓國LG化學(xué)與日本Noritake共同宣布，成功開發(fā)出專用于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的高性能銀漿。該產(chǎn)品可耐受300℃高溫環(huán)境，有助于解決電動車功率模塊長期面臨的芯片粘合技術(shù)瓶頸，為下一代800V高壓平臺及自動駕駛系統(tǒng)提供了關(guān)鍵材料支撐。 圖片來源：LG化學(xué) LG ...  [詳內(nèi)文]

三個碳化硅項目披露最新進展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 19 日 13:36 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，包括漢京半導(dǎo)體基地項目、重慶奕能碳化硅模組生產(chǎn)基地項目、賽美特碳化硅模組CIM項目 在內(nèi)的三個碳化硅項目披露最新進展。 1、漢京半導(dǎo)體基地項目今年10月試投產(chǎn) 6月19日，據(jù)遼寧日報消息，占地面積9.6萬平方米的遼寧漢京半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱“漢京半導(dǎo)體”）產(chǎn)業(yè)基地已...  [詳內(nèi)文]

鈞聯(lián)電子碳化硅控制器應(yīng)用于全球首款量產(chǎn)飛行汽車

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 19 日 13:36 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，據(jù)鈞聯(lián)電子官方消息，其與廣汽高域聯(lián)合開發(fā)的碳化硅（SiC）電動發(fā)動機控制器已成功應(yīng)用于廣汽高域GOVY AirCab飛行汽車。該飛行器被定義為全球首款量產(chǎn)型無人駕駛多旋翼eVTOL（電動垂直起降）航空器，并于日前正式發(fā)布。 圖片來源：JLAE鈞聯(lián)電子 鈞聯(lián)電子自2023年...  [詳內(nèi)文]

AR眼鏡再添新馬達，中電化合物與甬江實驗室展開合作

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 18 日 13:54 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月16日，中電化合物半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“中電化合物”）與甬江實驗室正式簽署了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。此次合作標(biāo)志著雙方將在AR眼鏡用光學(xué)碳化硅（SiC）晶片領(lǐng)域展開深度研發(fā)合作，共同推動SiC材料在增強現(xiàn)實（AR）領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用，為下一代智能穿戴設(shè)備提供更優(yōu)的光學(xué)解決方案。 ...  [詳內(nèi)文]

碳化硅IDM企業(yè)芯片，成功上車！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 17 日 14:08 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月13日，芯聚能半導(dǎo)體官微宣布，其在碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了關(guān)鍵性飛躍，公司自主設(shè)計的車規(guī)級SiC芯片已正式規(guī)?；瘜?dǎo)入主驅(qū)動模塊產(chǎn)線，標(biāo)志著國內(nèi)首次成功實現(xiàn)“芯片設(shè)計-模塊制造-整車驗證”全鏈條自主可控，并已批量上車應(yīng)用。 圖片來源：芯粵能 這一成就的背后，是芯聚能與芯粵能...  [詳內(nèi)文]

復(fù)旦碳化硅器件新突破：成功制備兩種布局 1.7kV MOSFET

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 16 日 13:57 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，在行業(yè)會議上，復(fù)旦大學(xué)研究團隊宣布，其基于電荷平衡理論，通過對離子注入工藝的深度優(yōu)化，成功設(shè)計并制備出正交結(jié)構(gòu)和平行結(jié)構(gòu)兩種不同布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。這一創(chuàng)新成果，相較于傳統(tǒng)超結(jié)結(jié)構(gòu)，在保障器件性能的同時，不僅大幅降低了制造成本...  [詳內(nèi)文]

聚焦AI和HPC應(yīng)用，Coherent發(fā)布突破性金剛石SiC材料

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 13 日 17:05 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
隨著人工智能（AI）和高性能計算（HPC）領(lǐng)域的快速發(fā)展，芯片功耗不斷攀升，散熱問題已成為限制性能和可靠性的關(guān)鍵瓶頸。6月13日，美國Coherent（高意）宣布，推出其突破性的金剛石-碳化硅（diamond-SiC）復(fù)合材料，旨在徹底改變?nèi)斯ぶ悄芎透咝阅苡嬎鉎PC應(yīng)用中的熱管理...  [詳內(nèi)文]