文章分類： 碳化硅SiC

TrendForce集邦咨詢: 2025年新能源車銷量預(yù)估年增18%

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 24 日 16:35 |
| 分類: 企業(yè) , 報告 , 數(shù)據(jù)
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新統(tǒng)計，2024年全球純電動車（BEV）、插電混合式電動車（PHEV）和氫燃料電池車等新能源車合計銷量達1,629萬輛，年增25%，其中中國市場占比擴大至67%。 預(yù)估2025年全球新能源車銷量將年增18%，中國市場可望持續(xù)成長，但美國政策變化可...  [詳內(nèi)文]

長城汽車：子公司擬收購無錫芯動80%股權(quán)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 24 日 16:28 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，長城汽車發(fā)布公關(guān)稱，公司的間接全資子公司諾博汽車科技有限公司（以下簡稱“諾博科技”）與穩(wěn)晟科技（天津）有限公司（以下簡稱“穩(wěn)晟科技”）簽訂股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議，諾博科技擬使用自有資金379.22萬元收購穩(wěn)晟科技持有的無錫芯動半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“無錫芯動”或“芯動半導(dǎo)體”）...  [詳內(nèi)文]

珂瑪科技：碳化硅等先進材料生產(chǎn)基地項目將于2025年建成投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 21 日 15:55 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，珂瑪科技在投資者互動平臺表示，公司先進陶瓷材料零部件在泛半導(dǎo)體等多個下游領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，客戶需求增長迅速，訂單資源充足。公司位于蘇州的募投項目“先進材料生產(chǎn)基地項目”將于本年建成投產(chǎn)，預(yù)計投產(chǎn)后將大幅度增加模塊化產(chǎn)品的產(chǎn)能。 資料顯示，珂瑪科技于2024年8月16日登陸深...  [詳內(nèi)文]

江蘇集芯取得兩用碳化硅晶片倒角機專利

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 21 日 15:44 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，江蘇集芯先進材料有限公司成功獲得了一項名為”兩用碳化硅晶片倒角機”的專利，根據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局的消息顯示，該專利的申請日期為2024年5月，授權(quán)公告號為CN222493441U。 專利摘要顯示，本實用新型公開了一種兩用碳化硅晶片 倒角機，包括：轉(zhuǎn)軸，轉(zhuǎn)...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體設(shè)備廠商思銳智能擬A股IPO

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 21 日 11:09 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月19日，青島思銳智能科技股份有限公司（以下簡稱“思銳智能”）擬沖擊A股IPO的消息引發(fā)市場廣泛關(guān)注。 官網(wǎng)顯示，思銳智能成立于2018年，總部位于青島，在北京、上海設(shè)有研發(fā)中心。公司主要聚焦關(guān)鍵半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，提供具有自主可控的核心關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)項目落地成都高新區(qū)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 21 日 11:04 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
成都高新區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)局官微消息，2月18日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）與成都高新區(qū)簽訂投資合作協(xié)議。 中微公司將設(shè)立全資子公司——中微半導(dǎo)體設(shè)備（四川）有限公司，專注于高端邏輯及存儲芯片相關(guān)設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)，涵蓋化學(xué)氣相沉積設(shè)備、原子層沉積設(shè)備及...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)一第三代半導(dǎo)體項目簽約杭州

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 14:41 |
| 分類: 碳化硅SiC
2月14日，浙江杭州西湖區(qū)成功舉辦2025年一季度重大項目集中推進暨重點招商項目集中簽約活動。 本次活動中，19個重大項目集中推進，總投資規(guī)模達約107億元，年度計劃投資約23億元，涵蓋多個關(guān)鍵領(lǐng)域，為區(qū)域經(jīng)濟發(fā)展注入強大動力。 其中，杭州高裕電子科技股份有限公司的第三代半導(dǎo)體可...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科重磅新品，大功率氮化鎵來襲

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 14:37 |
| 分類: 功率 , 射頻 , 氮化鎵GaN
英諾賽科宣布發(fā)布新品GaN 功率 IC： 采用TO-247-4L 封裝，集成柵極驅(qū)動和短路保護的 GaN 功率 IC，適用于高功率密度和高效率的大功率應(yīng)用。 ISG612xTD SolidGaN IC ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功...  [詳內(nèi)文]

深圳/香港，碳化硅技術(shù)研究迎來新進展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 14:30 |
| 分類: 射頻 , 碳化硅SiC
近年來，碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，憑借其卓越的高溫、高頻、高電壓性能，在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力和市場價值。隨著全球科技產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅技術(shù)不斷取得突破。近期，深圳與香港碳化硅研究新進展曝光。 深圳平湖實驗室SiC襯底激...  [詳內(nèi)文]

晶升股份：公司現(xiàn)已解決了碳化硅盲盒生長的瓶頸

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 11:57 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，晶升股份在接待機構(gòu)投資者調(diào)研時表示，由于碳化硅盲盒生長的特點，晶體生長過程中無法進行實時觀測，因此也缺乏大量的數(shù)據(jù)積累供人工智能進行分析和學(xué)習(xí)。 晶升股份現(xiàn)已解決了碳化硅盲盒生長的瓶頸，通過引入可視化檢測系統(tǒng)可使長晶過程看得見，為數(shù)據(jù)采集提供了扎實的設(shè)備基礎(chǔ)，也意味著公司已...  [詳內(nèi)文]