文章分類： 碳化硅SiC

四部門重磅發(fā)文，加快高壓碳化硅模塊等核心器件國產(chǎn)化替代

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 08 日 14:10 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，國家發(fā)展改革委辦公廳等四部門發(fā)布《關(guān)于促進(jìn)大功率充電設(shè)施科學(xué)規(guī)劃建設(shè)的通知》。 上述通知提出，推動(dòng)大功率充電技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用。充電運(yùn)營企業(yè)要加強(qiáng)充電裝備技術(shù)升級(jí)，提高大功率充電設(shè)施的運(yùn)行效率和使用壽命。 鼓勵(lì)對分體式設(shè)備采用大功率充電優(yōu)先的功率分配策略。 加快高壓碳化硅模塊、主...  [詳內(nèi)文]

新品爆發(fā)，英諾賽科/wolfspeed/英飛凌/羅姆等企業(yè)加速競逐

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 08 日 14:05 |
| 分類: 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN
以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料持續(xù)推動(dòng)功率電子和通信領(lǐng)域的技術(shù)革新。從新能源汽車到5G基站，從工業(yè)設(shè)備到消費(fèi)電子，這些寬禁帶材料正憑借高頻、高效、高功率密度的特性重塑產(chǎn)業(yè)格局。 近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來一輪新品爆發(fā)期，英諾賽科、Wolfspeed、...  [詳內(nèi)文]

納設(shè)智能碳化硅設(shè)備新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 07 日 14:30 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
深圳特區(qū)報(bào)近日報(bào)道，深圳市納設(shè)智能裝備股份有限公司（以下簡稱“納設(shè)智能”）在碳化硅裝備技術(shù)上取得了突破。 當(dāng)前碳化硅憑借優(yōu)異性能在新能源汽車、智能電網(wǎng)等下游領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大應(yīng)用潛力，然而應(yīng)用于碳化硅材料生產(chǎn)核心環(huán)節(jié)的外延設(shè)備其國產(chǎn)化之路卻面臨諸多阻礙，高溫沉積均勻性設(shè)備穩(wěn)定性等核心...  [詳內(nèi)文]

年產(chǎn)24萬片8英寸碳化硅晶圓廠正式奠基！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 07 日 14:04 |
| 分類: 碳化硅SiC
7月4日，浙江晶盛機(jī)電股份有限公司（JSG）旗下子公司浙江晶瑞SuperSiC(Malaysia)SdnBhd在馬來西亞檳城柏淡（Bertam）科技園舉辦新廠房奠基儀式，項(xiàng)目聚焦填補(bǔ)馬來西亞半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)——先進(jìn)晶圓制造能力的空白。 圖片來源：晶盛機(jī)電 該新廠區(qū)占地面積...  [詳內(nèi)文]

天岳先進(jìn)10億碳化硅項(xiàng)目獲批

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 04 日 14:26 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月30日，濟(jì)南市生態(tài)環(huán)境局發(fā)布了山東天岳先科技股份有限公司碳化硅材料產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目（一期）的獲批公示。 圖片來源：公示截圖 公開資料顯示，該項(xiàng)目位于山東省濟(jì)南市槐蔭經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，占地約153畝，總投資10億元，環(huán)保投資600萬元。項(xiàng)目將購置碳化硅晶體生長爐、切割機(jī)、研磨機(jī)等設(shè)備，開...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed新推出1700V碳化硅MOSFET系列

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 03 日 17:09 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，如電動(dòng)汽車、快速充電器和可再生能源設(shè)備，低功耗輔助電源是確保系統(tǒng)高效運(yùn)行的關(guān)鍵。設(shè)計(jì)工程師面臨著在提高可靠性、縮小尺寸、降低成本的同時(shí)，應(yīng)對多源采購和風(fēng)險(xiǎn)最小化的挑戰(zhàn)。Wolfspeed新推出的1700V碳化硅MOSFET系列，為解決這些難題提供了強(qiáng)大的解決...  [詳內(nèi)文]

士蘭微8英寸碳化硅項(xiàng)目披露新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 03 日 16:55 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目（一期）迎來重大進(jìn)展，首臺(tái)設(shè)備提前搬入。該項(xiàng)目作為2025年福建省及廈門市重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目，同時(shí)也是廈門最大的碳化硅項(xiàng)目，其建設(shè)進(jìn)展備受關(guān)注。 圖片來源：中建三局一公司 項(xiàng)目位于福建省廈門市，規(guī)劃總建筑面積達(dá)23.45萬平方米，...  [詳內(nèi)文]

香港首座8英寸碳化硅晶圓廠獲批

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 26 日 13:59 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局轄下的創(chuàng)新科技署于6月25日宣布，#杰立方半導(dǎo)體（香港）有限公司（Jizcube Semiconductor (Hong Kong) Limited）（以下簡稱“杰立方半導(dǎo)體”）提交的“新型工業(yè)加速計(jì)劃”申請已獲評審委員會(huì)支持。該項(xiàng)目計(jì)劃在香港興建一座...  [詳內(nèi)文]

又一碳化硅合作達(dá)成，聚焦SiC晶圓加工環(huán)節(jié)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 26 日 13:57 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，國研院國儀中心與鼎極科技宣布達(dá)成合作，共同開發(fā)「紅外線奈秒雷射應(yīng)用于碳化硅晶圓研磨制程」關(guān)鍵技術(shù)，成功提升碳化硅晶圓研磨速率與品質(zhì)，降低制程成本與材料損耗，以應(yīng)對電動(dòng)車、5G、低軌衛(wèi)星等高效能電子元件日益增長需求。 碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，憑借其寬禁帶、高擊穿電場...  [詳內(nèi)文]

智新半導(dǎo)體1700V SiC MOSFET模塊正式下線

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 25 日 14:06 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月23日，智新半導(dǎo)體六周年暨第100萬只模塊下線儀式舉行。 圖片來源：智新科技 活動(dòng)現(xiàn)場，智新科技副總經(jīng)理曹永軍介紹，六年來，智新半導(dǎo)體體系能力持續(xù)增強(qiáng)，產(chǎn)品平臺(tái)不斷豐富，今年銷量同比大幅增長，兩條產(chǎn)線產(chǎn)能利用率逐步飽滿，開發(fā)的多款領(lǐng)先功率模塊產(chǎn)品填補(bǔ)了東風(fēng)空白，應(yīng)用于多款新...  [詳內(nèi)文]