9月12日，日本化學(xué)材料大廠Resonac在其山形縣東根市的工廠內(nèi)，舉行了全新的碳化硅（SiC）外延片生產(chǎn)大樓 竣工儀式。這座建筑面積達(dá)5832平方米的新設(shè)施是Resonac投資309億日元（約15.01億人民幣）升級旗下4個(gè)SiC工廠的重點(diǎn)項(xiàng)目之一。
圖片來源：Resonac
該廠房將專注于生產(chǎn)8英寸（200mm）SiC外延片，旨在通過更大尺寸的晶圓提高芯片產(chǎn)出量、降低成本，以滿足電動(dòng)汽車、可再生能源及工業(yè)設(shè)備市場日益增長的需求。根據(jù)規(guī)劃，新設(shè)施已于2024年9月動(dòng)工，并計(jì)劃于2026年正式投入運(yùn)營。
圖片來源：Resonac
據(jù)悉，該項(xiàng)目是日本政府依據(jù)《經(jīng)濟(jì)安全保障推進(jìn)法》所認(rèn)定的關(guān)鍵物資供應(yīng)保障計(jì)劃的一部分。早在2023年6月，#Resonac 就已通過政府補(bǔ)助認(rèn)證，最高可獲得約103億日元（約5億元人民幣）的補(bǔ)助金，用于擴(kuò)充SiC襯底和外延片的產(chǎn)能。
根據(jù)此前的計(jì)劃，Resonac預(yù)計(jì)在2027年4月實(shí)現(xiàn)SiC襯底的年產(chǎn)能達(dá)到11.7萬片（折合6英寸計(jì)算），并在2027年5月將SiC外延片的年產(chǎn)能提升至28.8萬片（折合6英寸計(jì)算）。
進(jìn)入2025年，Resonac的戰(zhàn)略布局遠(yuǎn)不止于產(chǎn)能擴(kuò)張。
今年9月3日，Resonac宣布，已聯(lián)合全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中的27家企業(yè)，成立了名為“JOINT3”的共創(chuàng)聯(lián)盟。該聯(lián)盟將專注于開發(fā)面板級有機(jī)中介層技術(shù)，以應(yīng)對生成式AI和自動(dòng)駕駛汽車對高性能半導(dǎo)體封裝日益增長的需求。作為聯(lián)盟領(lǐng)導(dǎo)者，Resonac將在位于茨城縣結(jié)城市的工廠設(shè)立“先進(jìn)面板級中介層中心（APLIC）”，該中心計(jì)劃于2026年開始運(yùn)營。
今年4月22日與橫濱國立大學(xué)簽署了全面合作協(xié)議，旨在共同研發(fā)下一代半導(dǎo)體材料、推進(jìn)先進(jìn)封裝技術(shù)（如3D封裝）以及可持續(xù)的制造工藝。此合作將加速其在半導(dǎo)體下游工藝的材料與技術(shù)開發(fā)。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。