文章分類： 射頻

采用氮化鎵，中科半導體發(fā)布首顆具身機器人動力系統芯片

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 28 日 14:25 |
| 分類: 射頻 , 氮化鎵GaN
近期，中科半導體團隊推出首顆基于氮化鎵（GaN）可編程具身機器人動力系統芯片。 芯片采用SIP封裝技術，內置硬件加速引擎、高速接口、PWM信號陣列可編程單元及邊緣圖像處理和各類傳感器及生物信息采集的高速接口。 應用領域 該芯片主要應用于多關節(jié)具身機器人及智能裝備領域，根據推理大模...  [詳內文]

深圳/香港，碳化硅技術研究迎來新進展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 14:30 |
| 分類: 射頻 , 碳化硅SiC
近年來，碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的代表，憑借其卓越的高溫、高頻、高電壓性能，在新能源汽車、5G通信、智能電網等多個領域展現出巨大的應用潛力和市場價值。隨著全球科技產業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅技術不斷取得突破。近期，深圳與香港碳化硅研究新進展曝光。 深圳平湖實驗室SiC襯底激...  [詳內文]

120億元化合物半導體基地項目正在加速崛起！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 19 日 10:29 | | 分類: 光電 , 射頻 , 碳化硅SiC
據長江日報消息，近日，先導化合物半導體研發(fā)生產基地項目四座生產廠房中，兩座已封頂，另兩座正加緊澆筑。 source：先導科技集團 消息稱，該項目位于高新六路以南、光谷五路以東，建筑面積26萬平方米，共19棟建筑，包括研發(fā)中心、生產調度中心、辦公大樓等，整個項目力爭2025年年底...  [詳內文]

估值30億，武漢射頻芯片龍頭慈星股份股權擬被收購

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 16 日 17:26 |
| 分類: 射頻
1月14日，針織機械廠商寧波慈星股份有限公司（下文簡稱“慈星股份”）宣布，公司擬發(fā)行A股股票及支付現金購買武漢敏聲新技術有限公司（下文簡稱“武漢敏聲”）控股權。 資料顯示，武漢敏聲公司專注于射頻前端濾波器的設計與生產，產品廣泛應用于智能手機、平板電腦、無線路由器等現代電子設備中。...  [詳內文]

30億，武漢敏聲高端射頻濾波器項目主體封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 27 日 18:00 |
| 分類: 射頻
12月26日，據武漢敏聲官微消息，武漢敏聲位于武漢光谷的高端射頻濾波器生產線項目廠房主體封頂，并于當日舉辦封頂儀式。 source：武漢敏聲 資料顯示，武漢敏聲成立于2019年1月，在武漢、蘇州、北京、新加坡等四地布局設立研發(fā)設計中心、產品中試平臺及大規(guī)模量產基地，在國內率先實...  [詳內文]

7.5億，星曜半導體5G射頻濾波器芯片晶圓項目投產

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 25 日 18:00 |
| 分類: 射頻
12月24日，據“星曜半導體”消息，星曜半導體在溫州灣新區(qū)、龍灣區(qū)舉行了5G射頻濾波器芯片晶圓產線項目投產儀式。該項目總投資7.5億元，預計投產后將實現年產12萬片高性能射頻濾波器晶圓片。 source：星曜半導體 官網資料顯示，星曜半導體成立于2020年11月（前身是浙江信唐...  [詳內文]

廣州、無錫兩個射頻芯片項目同時封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 03 日 18:00 | | 分類: 射頻
射頻芯片的主要用途是在無線電波和數字信號之間進行轉換，以便設備進行處理和傳輸，作為5G網絡設備中的關鍵器件，射頻芯片在通信系統中起著至關重要的作用，被廣泛應用于各種通信設備中，如5G基站和微基站。 近日，位于廣州和無錫的兩個射頻芯片項目同時披露了最新進展。 廣州艾佛光通項目主體結...  [詳內文]

總投資30億！南京國博電子射頻項目二期封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 20 日 17:28 |
| 分類: 射頻
11月15日，據中鐵建工集團消息，國博射頻集成電路產業(yè)化（二期）項目主體結構已全面封頂，全面轉入二次結構、機電安裝及裝飾裝修施工階段。 source：中鐵建工集團 據悉，國博射頻集成電路產業(yè)化項目由南京國博電子有限公司投資建設，占地面積約203畝，總投資30億元，新建廠房及附屬...  [詳內文]

華芯微電子6英寸砷化鎵晶圓生產線正式通線

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 19 日 18:00 | | 分類: 企業(yè) , 射頻
11月18日，據“珠海高新區(qū)”官微消息，珠海華芯微電子有限公司（以下簡稱：華芯微電子）首條6英寸砷化鎵晶圓生產線近日正式調通，并生產出第一片6英寸2um砷化鎵HBT晶圓，預計將于2025年上半年實現大規(guī)模量產。 圖片來源：拍信網正版圖庫 據介紹，該晶圓具備高增益、高效能的特性...  [詳內文]