文章分類： 氮化鎵GaN

全球首個8英寸藍(lán)寶石基氮化鎵功率器件量產(chǎn)落地

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 05 日 16:17 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，廣東致能半導(dǎo)體官微宣布，于2025年11月攜手國際知名8英寸Fab完成全球首個8英寸藍(lán)寶石基氮化鎵功率器件量產(chǎn)落地。 圖片來源：廣東致能半導(dǎo)體官微 據(jù)介紹，致能半導(dǎo)體通過導(dǎo)入行業(yè)領(lǐng)先的制造工藝及創(chuàng)新的技術(shù)平臺，產(chǎn)品在芯片尺寸、生產(chǎn)成本、電學(xué)性能、制造一致性等核心指標(biāo)方面均...  [詳內(nèi)文]

1.14億港元，LED企業(yè)收購氮化鎵廠商

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 05 日 15:52 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
12月1日，宏光半導(dǎo)體發(fā)布公告，擬以約1.14億元港元收購深圳鎵宏半導(dǎo)體約12.98%的股權(quán)，加碼第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。 交易方式上，代價A將由宏光半導(dǎo)體通過向賣方A各自的代名人配發(fā)及發(fā)行合共14677萬股股份的方式支付，發(fā)行價為每股0.50港元。代價B將由公司通過向賣方B發(fā)行承兌票...  [詳內(nèi)文]

9mΩ車規(guī)級GaN FET：打破功率氮化鎵能效天花板？

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 17:58 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009系列650V 9mΩ車規(guī)級氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。這款符合汽車AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的650V氮化鎵分立器件，以全球最小的9mΩ導(dǎo)通電阻（Rds(on)），將為新能源汽車、工業(yè)電機(jī)、儲能系統(tǒng)、光伏逆變等多領(lǐng)域帶來更多技術(shù)突破的...  [詳內(nèi)文]

累計(jì)出貨1億顆！氮化鎵電源芯片廠商啟動IPO

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 17:53 |
| 分類: 氮化鎵GaN
11月21日，東科半導(dǎo)體在安徽證監(jiān)局辦理了IPO輔導(dǎo)備案登記，正式啟動了在A股市場的上市進(jìn)程，輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)為東方證券，隨后在同月23日被證監(jiān)會官網(wǎng)列入已啟動IPO的企業(yè)名單。此舉標(biāo)志著公司從高速成長的技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)向資本市場邁出關(guān)鍵一步。 圖片來源：中國證監(jiān)會官網(wǎng)截圖 資料顯示，#東...  [詳內(nèi)文]

Allegro與英諾賽科聯(lián)合，推出全GaN參考設(shè)計(jì)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 17:48 |
| 分類: 氮化鎵GaN
11月25日，全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵制造供應(yīng)商英諾賽科與全球運(yùn)動控制與節(jié)能系統(tǒng)電源及傳感解決方案領(lǐng)導(dǎo)者之一Allegro MicroSystems, Inc.（以下簡稱“Allegro”），宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作，推出了一款開創(chuàng)性的4.2kW全GaN參考設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)采用了Allegro的...  [詳內(nèi)文]

高瓴創(chuàng)投、紅杉中國等入股氮化鎵相關(guān)廠商

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 16:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，工商變更信息顯示，星鑰半導(dǎo)體（武漢）有限公司完成股權(quán)融資，新增投資方為高瓴創(chuàng)投、紅杉中國、柏睿資本。 資料顯示，星鑰半導(dǎo)體專注于硅基Micro-LED產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，核心是把第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵的發(fā)光單元微縮至微米級乃至納米級并高度集成陣列，主打高亮度Micro-...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵新突破，中國首個“負(fù)壓直驅(qū)”千瓦級GaN器件點(diǎn)亮

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 10:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，國內(nèi)氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)迎來新突破。鎵奧科技成功點(diǎn)亮國內(nèi)首個5000W-7000W級負(fù)壓直驅(qū)GaN封裝樣機(jī)，填補(bǔ)國內(nèi)千瓦級高壓直驅(qū)技術(shù)空白；南芯科技推出700V高壓GaN半橋功率芯片SC3610，以高集成、高精度驅(qū)動性能適配高端電源場景。 兩項(xiàng)成果分別聚焦大功率工業(yè)級應(yīng)用與...  [詳內(nèi)文]

6000萬元，氮化鎵相關(guān)廠商布局光刻機(jī)賽道

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 20 日 13:57 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
11月18日，北京賽微電子股份有限公司（簡稱“賽微電子”）發(fā)布公告，計(jì)劃以不超過6000萬元的交易總價收購北京芯東來半導(dǎo)體科技有限公司的部分股權(quán)。 賽微電子擬分別購買芯東來原股東海南依邁、智能傳感產(chǎn)業(yè)基金、潯元投資、海創(chuàng)智能裝備持有的4.11%、3.00%、2.80%和1.09%...  [詳內(nèi)文]

12英寸氮化鎵再傳新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 18 日 14:38 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，信越化學(xué)宣布，比利時微電子研究中心（imec）利用QST襯底[一種300mm氮化鎵(GaN)生長襯底]制造出厚度為5μm的GaN HEMT結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了超過650V的高擊穿電壓。 資料顯示，QST襯底是由美國公司Qromis開發(fā)的專用于GaN生長的復(fù)合材料襯底。信越化學(xué)于20...  [詳內(nèi)文]

三家企業(yè)推進(jìn) GaN/SiC 技術(shù)新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 18 日 14:33 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，功率半導(dǎo)體行業(yè)迎來重要技術(shù)進(jìn)展，英飛凌、GE Aerospace和SemiQ Inc三家企業(yè)分別在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領(lǐng)域取得新進(jìn)展。 01、英飛凌推出首款100V車規(guī)級GaN晶體管 11月6日，英飛凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車...  [詳內(nèi)文]