文章分類： 氮化鎵GaN

安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠正式通線

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 28 日 14:33 | | 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
證券時(shí)報(bào)消息，2月27日，三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠正式通線。 隨后，“意法半導(dǎo)體中國”官微發(fā)文確認(rèn)了該消息，并表示這一里程碑標(biāo)志著意法半導(dǎo)體和三安正朝著于2025年年底前實(shí)現(xiàn)在中國本地生產(chǎn)8英寸碳化硅這一目標(biāo)穩(wěn)步邁進(jìn)，屆時(shí)將更好地滿足中國新能源...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵收入創(chuàng)歷史新高，這家廠商最新財(cái)報(bào)公布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 28 日 14:28 |
| 分類: 報(bào)告 , 數(shù)據(jù) , 氮化鎵GaN
近日，納微半導(dǎo)體公布了截至 2024 年 12 月 31 日的未經(jīng)審計(jì)的第四季度及全年財(cái)務(wù)業(yè)績。 納微半導(dǎo)體第四季度總收入為 1,800 萬美元，較 2023 年同期的 2,610 萬美元和第三季度的 2,170 萬美元有所下降。 2024 年納微半導(dǎo)體總收入達(dá) 8,330 萬美...  [詳內(nèi)文]

采用氮化鎵，中科半導(dǎo)體發(fā)布首顆具身機(jī)器人動力系統(tǒng)芯片

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 28 日 14:25 |
| 分類: 射頻 , 氮化鎵GaN
近期，中科半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)推出首顆基于氮化鎵（GaN）可編程具身機(jī)器人動力系統(tǒng)芯片。 芯片采用SIP封裝技術(shù)，內(nèi)置硬件加速引擎、高速接口、PWM信號陣列可編程單元及邊緣圖像處理和各類傳感器及生物信息采集的高速接口。 應(yīng)用領(lǐng)域 該芯片主要應(yīng)用于多關(guān)節(jié)具身機(jī)器人及智能裝備領(lǐng)域，根據(jù)推理大模...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成、國博電子發(fā)布最新財(cái)報(bào)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 27 日 11:10 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新發(fā)展的浪潮中，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，正逐漸成為行業(yè)焦點(diǎn)。近期，芯聯(lián)集成與南京國博電子發(fā)布的最新財(cái)報(bào)，芯聯(lián)集成在碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)上實(shí)現(xiàn)高速增長，營收大幅提升且減虧明顯；南京國博電子雖業(yè)績承壓，但在氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)方...  [詳內(nèi)文]

英飛凌預(yù)測2025年GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用趨勢

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 27 日 10:16 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導(dǎo)體預(yù)測報(bào)告》，針對氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體在消費(fèi)電子、儲能、移動出行、電信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域的應(yīng)用以及未來前景展望做出了詳細(xì)解讀。 英飛凌指出，氮化鎵功率半導(dǎo)體正處于高速增長軌道，并在多個行業(yè)逐步邁向關(guān)鍵拐點(diǎn)。目前消費(fèi)類充電器和適配器已率先...  [詳內(nèi)文]

珂瑪科技：碳化硅等先進(jìn)材料生產(chǎn)基地項(xiàng)目將于2025年建成投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 21 日 15:55 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，珂瑪科技在投資者互動平臺表示，公司先進(jìn)陶瓷材料零部件在泛半導(dǎo)體等多個下游領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，客戶需求增長迅速，訂單資源充足。公司位于蘇州的募投項(xiàng)目“先進(jìn)材料生產(chǎn)基地項(xiàng)目”將于本年建成投產(chǎn)，預(yù)計(jì)投產(chǎn)后將大幅度增加模塊化產(chǎn)品的產(chǎn)能。 資料顯示，珂瑪科技于2024年8月16日登陸深...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體設(shè)備廠商思銳智能擬A股IPO

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 21 日 11:09 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月19日，青島思銳智能科技股份有限公司（以下簡稱“思銳智能”）擬沖擊A股IPO的消息引發(fā)市場廣泛關(guān)注。 官網(wǎng)顯示，思銳智能成立于2018年，總部位于青島，在北京、上海設(shè)有研發(fā)中心。公司主要聚焦關(guān)鍵半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，提供具有自主可控的核心關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)項(xiàng)目落地成都高新區(qū)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 21 日 11:04 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
成都高新區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)局官微消息，2月18日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）與成都高新區(qū)簽訂投資合作協(xié)議。 中微公司將設(shè)立全資子公司——中微半導(dǎo)體設(shè)備（四川）有限公司，專注于高端邏輯及存儲芯片相關(guān)設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)，涵蓋化學(xué)氣相沉積設(shè)備、原子層沉積設(shè)備及...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科重磅新品，大功率氮化鎵來襲

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 14:37 |
| 分類: 功率 , 射頻 , 氮化鎵GaN
英諾賽科宣布發(fā)布新品GaN 功率 IC： 采用TO-247-4L 封裝，集成柵極驅(qū)動和短路保護(hù)的 GaN 功率 IC，適用于高功率密度和高效率的大功率應(yīng)用。 ISG612xTD SolidGaN IC ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功...  [詳內(nèi)文]

HKC惠科微間距LED大屏技術(shù)取得突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 19 日 11:26 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，HKC惠科成功完成全球首款硅基GaN單芯集成全彩Micro-LED芯片 （SiMiP）在微間距LED大屏直顯領(lǐng)域的應(yīng)用的研發(fā)。 基于微間距LED大屏直顯領(lǐng)域迅速發(fā)展, 伴隨著像素間距的進(jìn)一步微縮，縮小芯片在COB產(chǎn)品的需求急速提升。MiP方案成為微間距大屏直顯技術(shù)發(fā)展的不二...  [詳內(nèi)文]