文章分類： 企業(yè)

獨家對話方正微電子彭建華：碳化硅領(lǐng)域的突破與展望

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 15 日 13:05 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
Q1：近期貴公司在碳化硅芯片領(lǐng)域取得了哪些突破？ 彭建華：方正微電子從2023年底實現(xiàn)車規(guī)主驅(qū)SiC MOS芯片量產(chǎn)，2024年進(jìn)一步提升生產(chǎn)制造質(zhì)量與良率，夯實基礎(chǔ)。 在關(guān)鍵的新能源汽車市場，無論是產(chǎn)品性能質(zhì)量，還是出貨量，方正微電子均處于國內(nèi)領(lǐng)先地位。另外在光儲充UPS等工規(guī)...  [詳內(nèi)文]

上海成立一家芯片公司，或發(fā)力功率半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 15 日 13:01 |
| 分類: 企業(yè) , 功率
企查查官網(wǎng)顯示，近期，海馭能科半導(dǎo)體（上海）有限公司成立，注冊資本為1億元，該公司主營半導(dǎo)體分立器件制造、電力電子元器件制造、電子專用材料制造等業(yè)務(wù)。 股權(quán)穿透顯示，海馭能科半導(dǎo)體（上海）有限公司由華域汽車旗下華域汽車系統(tǒng)（上海）有限公司、上海國策綠色科技制造私募投資基金合伙企業(yè)...  [詳內(nèi)文]

亞洲氧化鎵技術(shù)迎新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 14 日 13:44 |
| 分類: 企業(yè) , 氧化鎵
從硅（Si）到砷化鎵（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），半導(dǎo)體材料禁帶寬度的拓寬始終驅(qū)動著性能邊界的拓展。如今，氧化鎵（Ga?O?）作為第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，正以其顛覆性的物理特性與成本優(yōu)勢，掀起一場新的半導(dǎo)體革命。 氧化鎵熔點高達(dá)1900℃，不溶于水...  [詳內(nèi)文]

12英寸碳化硅設(shè)備，三家企業(yè)實現(xiàn)突破！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 14 日 13:41 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期我國多家企業(yè)在碳化硅設(shè)備領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，推動了我國在第三代半導(dǎo)體材料裝備制造方面的自主創(chuàng)新能力。 其中，晶馳機(jī)電成功開發(fā)出電阻法12英寸碳化硅晶體生長設(shè)備，實現(xiàn)了同一爐臺8英寸和12英寸碳化硅單晶的穩(wěn)定量產(chǎn)；山西天成的12英寸碳化硅長晶爐也已進(jìn)入爐體組裝和工藝調(diào)試階段，計...  [詳內(nèi)文]

國際大廠擴(kuò)產(chǎn)碳化硅產(chǎn)能！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 14 日 13:35 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
4月10日，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布了一項全面戰(zhàn)略計劃，旨在通過重塑制造布局和優(yōu)化全球成本基礎(chǔ)，提升其在半導(dǎo)體行業(yè)的競爭力。該計劃涉及先進(jìn)制造技術(shù)的投資以及全球生產(chǎn)基地的整合，目標(biāo)是在快速變化的碳化硅市場中占據(jù)有利地位。 source：意法半導(dǎo)體 ...  [詳內(nèi)文]

營收與利潤雙增，三家化合物廠商財報最新披露

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 11 日 14:07 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，揚(yáng)杰科技、長電科技和英諾賽科等三家公司陸續(xù)公布財報。從財報數(shù)據(jù)來看，三家公司均實現(xiàn)了營收與利潤的雙增長，同時在技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)能擴(kuò)張及市場拓展方面展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展勢頭。 1、揚(yáng)杰科技 3月31日，揚(yáng)杰科技披露了其2024年度財務(wù)報告。報告顯示，該公司2024年實現(xiàn)營業(yè)收入60....  [詳內(nèi)文]

德州儀器宣布推出全新氮化鎵產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 11 日 14:03 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，德州儀器宣布推出全新集成式氮化鎵（GaN）功率級系列，包括LMG3650R035、LMG3650R025和LMG3650R070。 該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TOLL（晶體管外形無引線）封裝，結(jié)合高性能柵極驅(qū)動器與650V GaN場效應(yīng)晶體管（FET），可顯著提升電源設(shè)計的功率密度...  [詳內(nèi)文]

半導(dǎo)體大廠談8英寸碳化硅發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 10 日 13:50 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
過去一年，碳化硅在工藝技術(shù)和生產(chǎn)效率方面取得了重大進(jìn)展，全球8英寸碳化硅晶圓已進(jìn)入技術(shù)成熟與規(guī)模應(yīng)用階段。 近期，意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體中國區(qū)-功率分立和模擬產(chǎn)品器件部-市場及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI對外談及了8英寸碳化硅未來發(fā)展。 Francesco表示，邁向...  [詳內(nèi)文]

OPPO 將發(fā)布新款氮化鎵充電器

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 10 日 13:46 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月9日有消息稱，OPPO將發(fā)布 100W 小方瓶超級閃充氮化鎵充電器，支持 65W PD 保持長期功率不掉電。 source：OPPO 據(jù)介紹，OPPO 100W 小方瓶超級閃充氮化鎵充電器能夠在約 30 分鐘內(nèi)為 OPPO Find X8 Ultra 手機(jī)充入約 90% 的...  [詳內(nèi)文]

強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，納微與兆易創(chuàng)新達(dá)成戰(zhàn)略合作

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 09 日 16:11 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月8日，納微半導(dǎo)體與兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司正式達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。 source：兆易創(chuàng)新 此次合作將納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)與兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品進(jìn)行優(yōu)勢整合，打造智能、高效、高功率密度的數(shù)字電源產(chǎn)品，并配合兆易創(chuàng)新的全產(chǎn)業(yè)鏈的管理能力與...  [詳內(nèi)文]