近日，天岳先進碳化硅（SiC）半導體材料項目和嘉興斯達微電子有限公司（以下簡稱嘉興斯達）高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產業(yè)化項目相繼傳出利好消息。
圖片來源：拍信網正版圖庫
天岳先進將投資5億元推進SiC材料項目
3月2日，天岳先進發(fā)布公告稱，將此前公司首次發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市募資凈額32億元的部分閑置資金，在不影響募集資金投資項目建設進度的前提下，使用不超過5億元投資“碳化硅半導體材料項目”。
公告顯示，根據募集資金投資項目的資金使用計劃及項目的建設進度，公司在確保不影響募集資金投資項目建設進度的前提下，為了提高募集資金使用效率，降低公司財務成本，公司擬使用不超過人民幣5億元（含本數）的閑置募集資金暫時補充流動資金，使用期限自公司董事會審議通過之日起不超過12個月，并且公司將隨時根據募集資金投資項目的進展及需求情況及時歸還至募集資金專用賬戶。
根據2022年募投計劃，公司將于上海臨港建設SiC襯底生產基地，擴大公司導電型SiC單晶襯底產能，原計劃于2022年試生產、2026年達產，實現年產能30萬片導電型SiC襯底。
上個月，天岳先進曾表示，上海臨港新工廠已于2023年5月開始交付6英寸導電型SiC襯底，目前產能和產量均在持續(xù)爬坡中。按照目前的進展來看，天岳先進預計將提前實現達產。
在此基礎上，天岳先進在2023年下半年已決定通過優(yōu)化生產工藝、調整生產設備等方式，將6英寸SiC襯底的生產規(guī)模擴大至96萬片/年，相當于產能比原計劃擴大220%。上海臨港工廠達產后，將成為天岳先進導電型SiC襯底主要生產基地。
此次加碼注資，天岳先進有望更加穩(wěn)健推進SiC材料項目實施。
嘉興斯達SiC芯片研發(fā)及產業(yè)化項目預計3月正式投產
3月4日，浙江嘉興南湖區(qū)發(fā)布消息稱，南湖區(qū)有14個項目入選浙江省“千項萬億”工程，其中披露了嘉興斯達高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產業(yè)化項目等3個項目將于今年投產。
具體來看，嘉興斯達高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產業(yè)化項目計劃于今年3月投入使用，總投資20億元，投產后可實現36萬片功率芯片年產能。
資料顯示，嘉興斯達成立于2021年2月，是斯達半導體股份有限公司（以下簡稱斯達半導體）全資子公司，后者成立于2005年4月，專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發(fā)、生產及銷售服務。
在SiC業(yè)務方面，斯達半導體于2021年6月募資35億元建設4個項目。其中，與SiC相關的2個項目——“SiC芯片研發(fā)及產業(yè)化”和“功率半導體模塊生產線自動化改造項目”落戶浙江嘉興南湖區(qū)。
2022年6月，嘉興斯達的SiC項目入選2022年浙江省重點建設和預安排項目計劃；2023年4月，上述2個SiC項目的兩幢廠房宣布開始調試設備，其他廠房正在等待驗收。
2023年上半年，斯達半導體表示應用于乘用車主電機控制器的SiC MOSFET模塊正在持續(xù)放量，同時公司使用自主SiC MOSFET芯片的車規(guī)級SiC MOSFET模塊在主電機控制器客戶完成驗證并小批量出貨。
隨著嘉興斯達SiC芯片項目投產，斯達半導體SiC業(yè)務有望獲得新的業(yè)績增量。（集邦化合物半導體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。