為期三天的Semicon China 2025上海展會已經(jīng)落下帷幕，這場半導體盛會涵蓋芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、EDA/IP、半導體設(shè)備及材料等全產(chǎn)業(yè)鏈，吸引了1400多家知名企業(yè)參加。眾多創(chuàng)新產(chǎn)品與技術(shù)競相展示，第三代半導體表現(xiàn)極為亮眼。
全球半導體市場挑戰(zhàn)與機遇并存，第三代半導體領(lǐng)域，受益于全球新能源汽車、光伏儲能、軌道交通等應(yīng)用需求爆發(fā)，產(chǎn)業(yè)賽道正持續(xù)升溫，吸引國內(nèi)廠商持續(xù)布局碳化硅、氮化鎵。同時，廠商積極瞄準關(guān)鍵技術(shù)突破與量產(chǎn)，并不斷拓寬三代半的應(yīng)用范圍。本次展會上，多家三代半相關(guān)材料、設(shè)備、代工等廠商展出了最新技術(shù)成果，國產(chǎn)“芯”實力進一步凸顯。
天科合達展示光波導型碳化硅襯底等產(chǎn)品
source：集邦化合物半導體拍攝
天科合達主要從事第三代半導體碳化硅單晶襯底及相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，會上，該公司重點展示了8英寸光波導型碳化硅襯底、12英寸熱沉級碳化硅襯底以及液相法P型6英寸襯底三款產(chǎn)品。
其中，光波導型碳化硅襯底厚度為350/500/700μm，透光率>95%（鍍增透膜后），折射率為2.7（450nm波長下），能助力解決傳統(tǒng)AR眼鏡視場角窄、彩虹紋及散熱等難題。今年2月，天科合達與慕德微納簽署投資合同，天科合達將為慕德微納提供滿足AR衍射光波導需求的高質(zhì)量碳化硅襯底產(chǎn)品。
此外，天科合達開發(fā)出適配8-12英寸晶體的單晶生長爐，為12英寸產(chǎn)品的量產(chǎn)提供有力保障。天科合達于今年年初推出的液相法P型6英寸襯底產(chǎn)品，目前正在積極推進客戶端的驗證工作，為規(guī)?；瘧?yīng)用奠定堅實基礎(chǔ)。
天岳先進全面進軍12英寸新時代
source：集邦化合物半導體拍攝
SEMICON China 2025期間，天岳先進重磅發(fā)布全尺寸產(chǎn)品矩陣 —— 6英寸/8英寸/12英寸全系列碳化硅襯底集體亮相，包含12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導電P型及12英寸導電N型碳化硅襯底。
稍早之前的亞洲化合物半導體大會上，天岳先進分享了超大尺寸襯底量產(chǎn)經(jīng)驗、液相法制備工藝等前沿成果，與全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游共議碳化硅技術(shù)趨勢。
12英寸產(chǎn)品，在產(chǎn)品面積上較8英寸持續(xù)擴大，單片晶圓芯片產(chǎn)出量躍升2.5倍，尺寸擴大有效降低單位成本，是行業(yè)發(fā)展的必然趨勢。天岳先進認為，碳化硅行業(yè)已經(jīng)正式邁入“12英寸時代”，2025年將是大尺寸技術(shù)突破元年。
應(yīng)用領(lǐng)域方面，天岳先進表示碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)裂變也將助力新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)、5G基站等多種高壓應(yīng)用場景，催生AR眼鏡、衛(wèi)星通信及低空經(jīng)濟等多重新興領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，助力萬物互聯(lián)時代的算力革命。
漢高推出多款前沿產(chǎn)品
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漢高粘合劑電子事業(yè)部攜多款前沿產(chǎn)品與解決方案亮相SEMICON China 2025，聚焦先進封裝、車規(guī)級應(yīng)用及綠色可持續(xù)發(fā)展領(lǐng)域，從而助力半導體行業(yè)在AI時代更好地打造新質(zhì)生產(chǎn)力。
面對大算力芯片對先進封裝材料的要求，漢高推出了一款低應(yīng)力、超低翹曲的液態(tài)壓縮成型封裝材料LOCTITE?ECCOBOND LCM 1000AG-1，適用于晶圓級封裝（WLP）和扇出型晶圓級封裝（FO-WLP），為人工智能時代的“芯”動力提供保障。同時，漢高基于創(chuàng)新技術(shù)的液體模塑底部填充膠能夠通過合并底部填封和包封步驟，成功實現(xiàn)了工藝簡化，有效提升封裝的效率和可靠性。
漢高針對先進制程的芯片推出了應(yīng)用于系統(tǒng)級芯片的毛細底部填充膠，通過優(yōu)化高流變性能，實現(xiàn)了均勻流動性、精準沉積效果與快速填充的平衡，其卓越的噴射穩(wěn)定性和凸點保護功能可有效降低芯片封裝應(yīng)力損傷。此外，該系列產(chǎn)品在復雜的生產(chǎn)環(huán)境中能夠保障可靠性與工藝靈活性，有效幫助客戶提高生產(chǎn)效率，節(jié)約成本。
車規(guī)級領(lǐng)域，漢高用于芯片粘接的LOCTITE?ABLESTIK ABP 6395TC基于專利環(huán)氧化學技術(shù)，專為高可靠性、高導熱或?qū)щ娦枨蟮姆庋b場景設(shè)計，適配多種主流封裝形式，可廣泛應(yīng)用于功率器件、汽車電子及工業(yè)控制等領(lǐng)域。LOCTITE?ABLESTIK ABP 8068TH基于無壓銀燒結(jié)技術(shù)，其具備的優(yōu)異流變特性確保了點膠穩(wěn)定性與彎曲針頭的兼容性，低應(yīng)力、強附著力以及固化后的高導熱率，使其成為適配高導熱或?qū)щ娦枨蟀雽w封裝的理想選擇。此外，漢高還展示了其基于銀和銅燒結(jié)的有壓燒結(jié)解決方案，以全面的產(chǎn)品組合護航汽車半導體行業(yè)發(fā)展。
Tokyo Electron（TEL）展出創(chuàng)新設(shè)備
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TEL全方位展示了面向FEOL、BEOL和圖案化的設(shè)備組合方案，創(chuàng)新型設(shè)備首次亮相，包括激光玻璃設(shè)備Ulucus?LX與濺射設(shè)備LEXIA?-EX。
與此同時，TEL還對外介紹了自身設(shè)備領(lǐng)域地位以及業(yè)績情況。
TEL是全球唯一一家可以提供半導體圖案化加工中必不可少的四個連續(xù)關(guān)鍵工藝所需設(shè)備的公司，這四個連續(xù)關(guān)鍵工藝分別是，沉積、光刻、刻蝕和清洗；產(chǎn)品陣容豐富，核心產(chǎn)品涂膠顯影、清洗、等離子刻蝕、氣體化學刻蝕、熱處理成膜、批處理沉積、金屬沉積、探針設(shè)備等產(chǎn)品在全球名列前茅；TEL用于EUVL曝光工序的涂膠顯影設(shè)備擁有100%的市場份額。全球設(shè)備出貨數(shù)量第一。
2025財年TEL集團營收預計將達歷史新高的2.4萬億日元，其中AI相關(guān)的銷售額將超過6000億日元，在中國大陸營收占比接近45%；未來，在AI相關(guān)先進設(shè)備的需求帶動下，TEL的營收目標是在2027財年達到集團中長期目標的3萬億日元。
天域半導體展出高品質(zhì)8英寸碳化硅外延晶片
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天域半導體主要從事各類碳化硅外延片的設(shè)計、研發(fā)及制造，產(chǎn)品主要應(yīng)用于電動汽車、光伏、儲能、鐵路等領(lǐng)域。
本次展會，天域半導體展出了高品質(zhì)8英寸碳化硅外延晶片，展示了該公司在碳化硅半導體材料領(lǐng)域的技術(shù)水平和創(chuàng)新實力，以及在市場應(yīng)用等方面的卓越表現(xiàn)。
2024年末，天域半導體遞表港交所，尋求赴港上市。據(jù)悉，此次IPO，擬將所得資金用于擴張產(chǎn)能、提升研發(fā)與創(chuàng)新能力、戰(zhàn)略投資/收購、以及擴展市場等方面。隨著國內(nèi)第三代半導體市場需求的快速增長，天域半導體頻繁受到資本青睞，已經(jīng)完成多輪融資，投資方包括比亞迪、上汽尚頎、海爾資本等。
中機新材主推3款產(chǎn)品
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中機新材專注于高性能研磨拋光材料基礎(chǔ)研發(fā)與應(yīng)用研究，會上展出了3款自主研發(fā)的主推產(chǎn)品——團聚金剛石研磨液、二氧化硅精拋液、金剛石減薄砂輪。
其中，團聚金剛石研磨液采用原料自主研發(fā)，選擇優(yōu)質(zhì)金剛石原材料合成球形結(jié)構(gòu)金剛石，用于金剛石液。特殊配方、分散性好、粒度均勻、去除率高、低損傷層。產(chǎn)品研磨速率穩(wěn)定、使用率高、切削速率快、加工表面一致性好。
二氧化硅精拋液，該產(chǎn)品采用高純度硅溶膠為主要原料，氧化硅粒徑分布均勻，懸浮體系穩(wěn)定，分散性好。適用于SiC精拋、藍寶石精拋、陶瓷精拋、鋁合金精拋、不銹鋼精拋的拋光工序。
金剛石減薄砂輪——使用日本住友工藝，可以做到其他金剛石磨料無法達到的表面質(zhì)量；金剛石砂輪硬度高、強度大、研削能力強。主要用于研削硬質(zhì)合金、非金屬材料等硬脆材料，尤其是碳化硅、單晶硅、藍寶石襯底材質(zhì)等。
萬業(yè)企業(yè)旗下凱世通展示全系列集成電路離子注入機產(chǎn)品矩陣
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本屆SEMICON China展會現(xiàn)場，萬業(yè)企業(yè)旗下凱世通帶來了全系列集成電路離子注入機產(chǎn)品矩陣。通過長期的技術(shù)攻關(guān)與量產(chǎn)應(yīng)用，凱世通離子注入機在離子源、光路系統(tǒng)、晶圓傳送、顆粒污染物控制、軟件自動化等關(guān)鍵技術(shù)方面進行了持續(xù)升級迭代，關(guān)鍵性能指標持續(xù)改進，獲得了晶圓廠客戶的廣泛認可。
自2020年首臺訂單突破以來，凱世通累計收獲12英寸集成電路離子注入機設(shè)備訂單近60臺，訂單總金額超14億，其中50%以上為重復訂單，完成產(chǎn)線交付超40臺并實現(xiàn)量產(chǎn)，服務(wù)了十余家重點芯片制造企業(yè)與國家工程。
先導科技集團董事長、萬業(yè)企業(yè)董事長兼總裁、凱世通董事長朱世會先生受邀出席大會開幕式，共話凱世通聚焦高端半導體裝備離子注入機的技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展戰(zhàn)略，以及在控股股東先導科技集團的賦能下，萬業(yè)企業(yè)未來業(yè)務(wù)的協(xié)同發(fā)展方向。
朱世會先生表示，先導科技集團歷經(jīng)30年發(fā)展，在材料科技、光電子、微電子、零部件、芯片設(shè)計和軟件算法等多個技術(shù)領(lǐng)域形成全產(chǎn)業(yè)鏈平臺優(yōu)勢，依托不斷深化客戶合作開發(fā)、完善的供應(yīng)鏈體系以及強大的零部件自主研發(fā)能力，將積極賦能萬業(yè)企業(yè)和旗下的凱世通在國產(chǎn)集成電路離子注入機技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造，不斷夯實零部件供應(yīng)鏈基礎(chǔ)，為國內(nèi)集成電路客戶高質(zhì)量發(fā)展貢獻更多卓越的解決方案。
晶盛機電半導體裝備全鏈布局
source：晶盛
晶盛機電展示了全面升級的大硅片拋光裝備、面向先進制程的薄膜沉積裝備、全系列精密減薄裝備、化合物半導體全系列工藝裝備和高精度量測裝備等解決方案。
以12英寸外延爐為首的薄膜沉積裝備，采用差異化的技術(shù)路線與不斷創(chuàng)新迭代的產(chǎn)品思維，為不同終端客戶提供國產(chǎn)化解決方案，產(chǎn)品指標達國際先進水平；以12英寸減薄拋光機領(lǐng)銜的先進封裝設(shè)備，實現(xiàn)30um超薄晶圓與5mm大翹曲晶圓穩(wěn)定加工，為高集成、低功耗的芯片制造提供全新的工藝路徑
其中，在功率半導體領(lǐng)域，晶盛機電8英寸SiC中束流離子注入機，可實現(xiàn)晶格損傷實時修復與摻雜劑高效激活；8英寸立式SiC氧化爐、激活爐，超高的均勻性控制技術(shù)，已實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。此外，升級后的SiC晶圓量測設(shè)備及SiC晶圓表面激光退火設(shè)備，為碳化硅功率器件的效率提升與成本控制開辟了新路徑。
納設(shè)智能展示8英寸碳化硅外延設(shè)備
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納設(shè)智能主要從事第三代半導體碳化硅、新型光伏材料、納米材料等先進材料領(lǐng)域所需的薄膜沉積設(shè)備等高端設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，該公司專注于工藝指標、耗材成本、維護效率等方面的持續(xù)優(yōu)化改進。
會上，納設(shè)智能展示了8英寸碳化硅外延設(shè)備，該設(shè)備獨創(chuàng)的反應(yīng)腔室設(shè)計配備可獨立控制的多區(qū)進氣系統(tǒng)，在厚度均勻性、濃度均勻性、缺陷密度等工藝指標上均達到行業(yè)先進水平。
順應(yīng)市場降本增效的需求，納設(shè)智能8英寸碳化硅外延設(shè)備還做到了低成本易維護，在控制成本的同時提供規(guī)?；a(chǎn)能力。
芯三代展示大規(guī)模量產(chǎn)型碳化硅/氮化鎵外延生長設(shè)備
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芯三代公司聚焦碳化硅、氮化鎵等第三代半導體外延設(shè)備研發(fā)、制造、銷售和服務(wù)，未來將擴展多種半導體設(shè)備。
本次展會上，芯三代對外展示了大規(guī)模量產(chǎn)型碳化硅外延生長設(shè)備（垂直氣流SiC-CVD）：SICCESS系列單雙腔垂直流設(shè)備，產(chǎn)能大于等于1100片/月（雙腔），通過工藝優(yōu)化可以超過1200片/月，外延規(guī)格為8吋（兼容6吋），多區(qū)控溫，并在CoO成本、長時間多爐數(shù)連續(xù)自動生長控制、低缺陷率等方面具備優(yōu)勢。
此外，芯三代氮化鎵外延生長設(shè)備（GaN-CVD）SiCCESS系列雙腔設(shè)備同樣具備高產(chǎn)能、兼容8吋/6吋特點，同時還具有高外延均勻性、低外延缺陷等特性。
青禾晶元展示C2W&W2W雙模混合鍵合設(shè)備
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本次展會上，青禾晶元展示了其最新發(fā)布的C2W&W2W雙?；旌湘I合設(shè)備：SAB 82CWW系列，可應(yīng)用于存儲器、Micro-LED顯示、CMOS圖像傳感器、光電集成等多個領(lǐng)域。
該設(shè)備采用了全球先進的一體化設(shè)備架構(gòu)，將C2W和W2W兩種技術(shù)路線結(jié)合。這不僅提高了設(shè)備的通用性和靈活性，還為客戶提供了更大的選擇空間，滿足了不同應(yīng)用場景的需求。
青禾晶元介紹，SAB 82CWW系列通過鍵合方式創(chuàng)新，最大程度的減少顆粒污染的風險，實現(xiàn)高良率鍵合；可兼容8寸和12寸晶圓；能夠處理厚度最薄至35μm的超薄芯片，同時具備全尺寸兼容性；配備高精度高通量檢測模塊和內(nèi)置算法，實現(xiàn)負反饋偏移補償，確保鍵合精度的穩(wěn)定性和一致性。
山西天成提供6-12吋量產(chǎn)服務(wù)
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山西天成主要展出碳化硅單晶量產(chǎn)過程涉及到的設(shè)備，粉料，籽晶，熱場，工藝等配套產(chǎn)品及服務(wù)，可為客戶提供6-12吋導電/半絕緣/光學鏡片的一站式量產(chǎn)服務(wù)。
山西天成業(yè)務(wù)聚焦碳化硅晶片的生產(chǎn)和長晶裝備制造，具備完整的自主研發(fā)能力，從設(shè)備研制、粉料、籽晶、熱場設(shè)計到襯底制備全鏈條自主可控。
該公司現(xiàn)已完成6、8、12英寸碳化硅單晶襯底技術(shù)攻關(guān)，并掌握碳化硅生長裝備制造、碳化硅粉料制備，導電型及高純半絕緣碳化硅單晶襯底制備工藝，擁有碳化硅裝備制造、粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線。
新微半導體展出氮化鎵功率代工工藝平臺
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作為化合物半導體領(lǐng)域代工企業(yè)，新微半導體在本次展會上重點展示了其覆蓋低壓（30V-40V）、中壓（80V-200V）和高壓（650V-900V）的氮化鎵功率代工工藝平臺和解決方案。這些先進的技術(shù)和工藝能力，能夠為客戶提供更高效、更可靠和更節(jié)能的功率代工平臺。
此外，新微半導體還展示了其在3/4吋磷化銦（InP）與4/6吋砷化鎵（GaAs）材料的全系列光電工藝解決方案，進一步彰顯其在化合物半導體制造領(lǐng)域的技術(shù)實力。
稍早之前，新微半導體正式推出650V硅基氮化鎵增強型（E-mode）功率工藝代工平臺，憑借高頻運行效率、超低柵極電荷及低導通電阻等卓越特性，為新一代高速、高效功率器件應(yīng)用提供解決方案，可廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)自動化、數(shù)據(jù)中心及新能源汽車等領(lǐng)域。