7月1日，氮化鎵（GaN）功率半導體領域的領導者納微半導體（Navitas Semiconductor）宣布，與全球領先的晶圓代工廠力積電（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC）達成戰(zhàn)略合作。
此次合作的核心在于正式啟動并持續(xù)推進業(yè)內先進的200mm硅基氮化鎵技術生產。此舉旨在顯著提升供應鏈韌性、加速技術創(chuàng)新，并優(yōu)化成本效益，從而推動氮化鎵技術在人工智能（AI）數據中心、電動汽車（EV）、太陽能以及智能手機和家電等高增長市場的廣泛應用。
圖片來源：納微半導體
強強聯手，擴大GaN制造規(guī)模
納微半導體計劃利用力積電位于中國臺灣新竹竹南科學園區(qū)8B工廠的200毫米產線進行生產。該工廠自2019年投入運營以來，已展現出支持包括微型LED到射頻氮化鎵器件在內的多種高產能氮化鎵制造流程的強大實力。
力積電憑借其先進的180nm CMOS工藝能力，將為納微提供更小、更先進的工藝節(jié)點。納微寬禁帶技術平臺高級副總裁Sid Sundaresan博士表示，在180nm工藝節(jié)點上生產200mm硅基氮化鎵，將使公司能夠持續(xù)創(chuàng)新，實現更高功率密度、更快速度和更高效率的器件，同時大幅提升成本控制、規(guī)模化能力和制造良率。
此次合作中，力積電將為納微半導體生產100V至650V的氮化鎵產品組合，以滿足48V基礎設施對氮化鎵日益增長的需求，特別是針對超大規(guī)模AI數據中心和電動汽車。首批器件預計將于2025年第四季度完成認證。其中，100V系列計劃于2026年上半年在力積電率先投產，而650V器件將在未來12-24個月內從納微現有的供應商臺積電逐步轉由力積電代工。
行業(yè)背景顯示，納微半導體此前的GaN功率IC主要在臺積電的晶圓廠進行生產，早期報道指出納微可能利用的是臺積電的6英寸晶圓廠工藝，其GaN-on-Si生產利用成本效益高且廣泛可用的250-350納米設備，保持了較低的制造成本。此次向力積電的戰(zhàn)略轉移，不僅是產能的擴展，更是納微半導體在供應鏈多元化、風險分散及成本效益優(yōu)化方面的重要戰(zhàn)略部署，旨在充分利用200mm晶圓生產的規(guī)模優(yōu)勢。
技術與市場雙驅動，賦能多領域創(chuàng)新
納微半導體近期在全球多個關鍵市場取得了顯著進展，彰顯其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術領域的領先地位及其廣泛的應用潛力。
在AI數據中心與電動汽車領域，納微的氮化鎵與碳化硅（SiC）技術已成功助力NVIDIA 800V HVDC架構應用于1兆瓦以上IT機架，充分展現了其在大功率解決方案上的卓越能力。在太陽能方面，全球領先的太陽能能源解決方案公司Enphase已宣布其下一代IQ9產品將采用納微的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片，進一步推動清潔能源技術的發(fā)展。
圖片來源：納微半導體
特別是在車載應用領域，納微的高功率GaNSafe技術憑借其通過AEC-Q100和AEC-Q101車規(guī)認證的旗艦產品，正逐步深入商用車載充電機（OBC）和高壓轉低壓DC-DC變換器等電動汽車核心應用。此項技術已成功進入長安汽車的首款商用氮化鎵車載充電器，標志著納微車規(guī)級GaN解決方案的商業(yè)化進程邁出了重要一步。
而在核心技術布局方面，納微半導體推出了GaNSense?和GaNSlim?等先進技術。GaNSense?技術通過將氮化鎵器件與驅動、控制、感應及保護功能集成，實現了無損可編程電流采樣，有效提升了能效并降低了損耗，該技術已應用于Redmi K50冠軍版電競手機的120W氮化鎵充電器中。
而GaNSlim?氮化鎵功率芯片則采用納微專利的DPAK-4L封裝，集成了智能電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測功能，旨在打造業(yè)界最快、最小、最高效的解決方案。納微還推出了97.8%超高效的12kW超大規(guī)模AI數據中心電源，采用氮化鎵與碳化硅混合設計，符合開放計算項目（OCP）要求，以及第三代快速碳化硅MOSFETs，進一步提升AI數據中心功率并加快電動汽車充電速度。
（集邦化合物半導體 竹子 整理）
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