相關資訊：第三代半導體

這家公司第三代半導體器件明年有望大量出貨

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 09 月 18 日 17:48 | 分類企業(yè)

9月15日，長電科技在互動平臺表示，公司封裝的第三代半導體器件，已經應用于汽車，工業(yè)儲能等領域并進入產能擴充階段。預計2024年起相關產品營收規(guī)模有望大幅增長，并在未來幾年顯著成長，將有利促進第三代半導體器件在全球應用市場上的快速上量。圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫根據(jù)Tren... [詳內文]

總投資8億、年產能120萬套！這個第三代半導體項目獲新進展

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 08 月 31 日 17:30 | 分類功率

近日，位于無錫錫山經濟技術開發(fā)區(qū)的芯動第三代半導體模組封測項目傳來新進展。錫山經濟技術開發(fā)區(qū)消息顯示，芯動第三代半導體模組封測項目主體封頂，計劃10月土建竣工，12月底投產。據(jù)悉，芯動第三代半導體模組封測項目總投資8億元，用地27畝，建筑面積3.1萬平方米，建設年產120萬塊... [詳內文]

這個化合物半導體生長設備廠獲投資

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 08 月 15 日 17:35 | 分類企業(yè)

今日，匯譽私募基金管理（湖州）有限公司（“匯譽投資”）在管基金完成對于楚赟科技(紹興)有限公司（“楚赟科技”）的投資。匯譽投資總經理胡寅斌表示，對楚赟科技的投資進一步完善了匯譽投資在第三代半導體材料領域的生態(tài)布局，特別是在SiC、GaN等領域實現(xiàn)了從設備、襯底到外延等環(huán)節(jié)的延伸... [詳內文]

直擊深圳國際半導體展：30+三代半廠商亮相

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 08 月 04 日 16:21 | 分類展會

5月16日，為期三天的SEMI-e第五屆深圳國際半導體技術暨應用展覽會在深圳國際會展中心（寶安新館）盛大開幕。本屆展會以“芯機會智未來〞為主題，涵蓋6大特色展區(qū)，包括電子元器件、IC設計&芯片、晶圓制造及封裝、半導體設備、半導體材料、第三代半導體，為各領域的行業(yè)人士... [詳內文]

【會議預告】集邦咨詢：2023全球第三代半導體市場機遇與挑戰(zhàn)

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 06 月 12 日 17:29 | 分類氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

第三代半導體碳化硅和氮化鎵被視為后摩爾時代材料創(chuàng)新的關鍵角色。近年來，汽車、光伏儲能等應用帶動碳化硅市場迅速擴大，氮化鎵功率元件于消費電子市場率先放量，工業(yè)、汽車應用潛力巨大。目前，全球能源技術革命已經開啟，并向材料領域滲透，第三代半導體將在實現(xiàn)碳達峰、碳中和的過程中發(fā)揮怎樣的... [詳內文]

33萬片/年！這個第三代半導體襯底項目封頂

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 06 月 06 日 17:24 | 分類碳化硅SiC

6月2日，青島華芯晶元第三代半導體化合物晶片襯底項目封頂。據(jù)悉，項目總投資7億元，位于青島高新區(qū)科海路以北、華貫路以西、茂源路以東，占地面積約50畝，建筑面積6200平方米。項目共有4座單體，包括1棟辦公樓和3座廠房，預計今年年底前投入使用。項目是青島市重點工程，將建設半導體... [詳內文]

總投資18億，6個第三代半導體項目簽約北京

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 05 月 29 日 17:27 | 分類碳化硅SiC

昨日，北京（國際）第三代半導體創(chuàng)新發(fā)展論壇舉辦?，F(xiàn)場，國聯(lián)萬眾碳化硅功率芯片二期、晶格領域液相法碳化硅襯底生產、特思迪減薄-拋光-CMP設備生產二期、銘鎵半導體氧化鎵襯底及外延片等6個簽約落地，預計總投資近18億元。據(jù)報道，順義區(qū)規(guī)劃建設總面積約20萬平米的三代半標廠，目前一期... [詳內文]

【會議預告】北京大學沈波教授：中國第三代半導體產業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與機遇

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 05 月 10 日 17:55 | 分類碳化硅SiC

寬禁帶半導體也稱第三代半導體，包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等，憑借其優(yōu)異的性能，成為世界范圍內的“兵家必爭之地”。近年來，我國也高度重視第三代半導體技術和產業(yè)研發(fā)。院校研發(fā)不斷突破，企業(yè)產線加速量產，國家政策持續(xù)加碼，產業(yè)進入成長期。與機遇一同迎來的是挑戰(zhàn)。如碳化硅... [詳內文]

2023集邦咨詢第三代半導體前沿趨勢研討會報名通道開啟

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 04 月 21 日 14:19 | 分類氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

關于第三代半導體的疑慮，這場研討會都有答案。第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點，先天性能優(yōu)越，是新能源汽車、5G、光伏等領域的“香餑餑”。然而，現(xiàn)實與理想之間尚有較大差距，我們對第三代半導體的發(fā)展仍存疑慮。為進一步剖析第三代半導體的現(xiàn)... [詳內文]