相關(guān)資訊：氮化鎵

政府工作報告提及具身智能，氮化鎵大有可為
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 06 日 15:01 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 射頻 , 氮化鎵GaN
3月5日，國務(wù)院總理李強作政府工作報告，提出因地制宜發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力，建立未來產(chǎn)業(yè)投入增長機制，培育生物制造、量子科技、具身智能、6G等未來產(chǎn)業(yè)。 資料顯示，具身智能（Embodied Intelligence）是指智能系統(tǒng)通過與環(huán)境的互動，利用身體的感知和運動能力來實現(xiàn)學(xué)習(xí)和推理...  [詳內(nèi)文]

忱芯儀器（廣州）有限公司揭牌營業(yè)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 03 日 11:33 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月27日，忱芯儀器（廣州）有限公司在廣州南沙留學(xué)創(chuàng)業(yè)園區(qū)正式揭牌營業(yè)。 在2月28日閉幕的南沙兩會上，區(qū)政府工作報告顯示，2024年南沙半導(dǎo)體與集成電路規(guī)上企業(yè)產(chǎn)值增長33.8%，而“做實化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)”則是2025年的重點工作之一。檢驗檢測設(shè)備這一核心環(huán)節(jié)的落地，意味...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵收入創(chuàng)歷史新高，這家廠商最新財報公布
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 28 日 14:28 | 分類 報告 , 數(shù)據(jù) , 氮化鎵GaN
近日，納微半導(dǎo)體公布了截至 2024 年 12 月 31 日的未經(jīng)審計的第四季度及全年財務(wù)業(yè)績。 納微半導(dǎo)體第四季度總收入為 1,800 萬美元，較 2023 年同期的 2,610 萬美元和第三季度的 2,170 萬美元有所下降。 2024 年納微半導(dǎo)體總收入達 8,330 萬美...  [詳內(nèi)文]

采用氮化鎵，中科半導(dǎo)體發(fā)布首顆具身機器人動力系統(tǒng)芯片
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 28 日 14:25 | 分類 射頻 , 氮化鎵GaN
近期，中科半導(dǎo)體團隊推出首顆基于氮化鎵（GaN）可編程具身機器人動力系統(tǒng)芯片。 芯片采用SIP封裝技術(shù)，內(nèi)置硬件加速引擎、高速接口、PWM信號陣列可編程單元及邊緣圖像處理和各類傳感器及生物信息采集的高速接口。 應(yīng)用領(lǐng)域 該芯片主要應(yīng)用于多關(guān)節(jié)具身機器人及智能裝備領(lǐng)域，根據(jù)推理大模...  [詳內(nèi)文]

HKC惠科微間距LED大屏技術(shù)取得突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 11:26 | 分類 氮化鎵GaN
近日，HKC惠科成功完成全球首款硅基GaN單芯集成全彩Micro-LED芯片 （SiMiP）在微間距LED大屏直顯領(lǐng)域的應(yīng)用的研發(fā)。 基于微間距LED大屏直顯領(lǐng)域迅速發(fā)展, 伴隨著像素間距的進一步微縮，縮小芯片在COB產(chǎn)品的需求急速提升。MiP方案成為微間距大屏直顯技術(shù)發(fā)展的不二...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵廠商獲得3200萬美元C輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 11:10 | 分類 氮化鎵GaN
近日，氮化鎵廠商Cambridge GaN Devices (CGD)宣布 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國企業(yè)發(fā)展基金（BGF）、劍橋創(chuàng)新資本公司（CIC）、英國展望集團（Foresi...  [詳內(nèi)文]

印度積極布局第三代半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 10:36 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近年，印度積極推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體正受到極大關(guān)注。 近期，外媒報道，印度信息技術(shù)部長阿什維尼·瓦伊什納透露，首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相，同時，印度也正在研發(fā)氮化鎵芯片。 據(jù)悉，印度已向位于班加羅爾的科學(xué)研究所 (IISc) ...  [詳內(nèi)文]

三家功率半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)獲得新一輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 18 日 10:52 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
功率半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的重要細分領(lǐng)域，近年隨著新能源、汽車電子等領(lǐng)域的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體需求與日俱增，也愈發(fā)受到資本市場關(guān)注。近期，市場傳出三家功率半導(dǎo)體相關(guān)公司獲得新一輪融資，涉及碳化硅、氮化鎵、IGBT等領(lǐng)域。 01瑞為新材完成新一輪股權(quán)融資 2月17日，“君聯(lián)資本”官...  [詳內(nèi)文]

國防氮化鎵訂單量產(chǎn)，韓國WAVICE營收增長73%
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 14 日 15:27 | 分類 氮化鎵GaN
近日，氮化鎵（GaN）射頻芯片廠商WAVICE宣布，2024年公司銷售額為293億韓元。隨著國防訂單的全面量產(chǎn)，銷售額同比增長73%。 WAVICE表示：“我們參與的開發(fā)項目已陸續(xù)轉(zhuǎn)為量產(chǎn)，包括2023年簽署了一份價值344 億韓元的船舶用多功能雷達氮化鎵射頻模塊的量產(chǎn)合同。 資...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed前任CEO加入氮化鎵公司
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 08 日 18:49 | 分類 功率
Power Integrations公司2月6日宣布，前Wolfspeed公司CEO Gregg Lowe將于2025年2月15日加入公司董事會。 source：Power Integrations 從2017年至2024年，Lowe擔任Wolfspeed公司的首席執(zhí)行官，領(lǐng)導(dǎo)...  [詳內(nèi)文]