相關(guān)資訊：氮化鎵

外延基地投產(chǎn)、氮化鎵芯片破億，華潤微雙線告捷
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 19 日 15:33 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月16日，華潤微電子功率器件事業(yè)群旗下潤新微電子（大連）有限公司在大連高新區(qū)黃泥川智能制造產(chǎn)業(yè)園舉行“氮化鎵億顆芯片慶典暨外延生產(chǎn)基地通線儀式”。活動(dòng)上正式宣告其氮化鎵外延生產(chǎn)基地建成投產(chǎn)，并同步慶祝氮化鎵芯片累計(jì)出貨量突破一億顆。 外延生產(chǎn)基地正式通線 據(jù)官方披露，該外延生產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 12 日 14:25 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月9日，電子科技大學(xué)教授、天府絳溪實(shí)驗(yàn)室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心主任周強(qiáng)，正式發(fā)布了全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片。這一突破性成果標(biāo)志著中國在量子科技領(lǐng)域邁出了重要一步，為量子互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展提供了關(guān)鍵硬件支撐。 source：成都市發(fā)展改革委 據(jù)悉，氮化鎵量子光源芯片的實(shí)際尺寸僅有0...  [詳內(nèi)文]

納微、天岳先進(jìn)發(fā)布Q1成績單：營收承壓，技術(shù)突圍
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 08 日 14:01 | 分類 企業(yè)
近期，全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)迎來財(cái)報(bào)季關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，納微半導(dǎo)體和天岳先進(jìn)分別交出第一季度成績單。兩家企業(yè)分別作為功率器件設(shè)計(jì)與碳化硅襯底制造領(lǐng)域的標(biāo)桿，在當(dāng)前復(fù)雜的宏觀環(huán)境下，營收規(guī)模雖呈現(xiàn)階段性收縮，但均通過核心技術(shù)深耕與戰(zhàn)略市場卡位，展現(xiàn)出穿越周期的產(chǎn)業(yè)韌性。 01、納微半導(dǎo)體：營...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科多款氮化鎵產(chǎn)品集中亮相
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 29 日 15:35 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日， 英諾賽科在慕尼黑上海電子展（Electronica China）和武漢九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會（CSE）上展出的氮化鎵產(chǎn)品及解決方案，引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。 其中在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，英諾賽科重點(diǎn)展示了雙面散熱 En-FCLGA 封裝 100V GaN、全球首款100V ...  [詳內(nèi)文]

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺展示自研產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 27 日 15:11 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
“深圳平湖實(shí)驗(yàn)室”官微消息，2025九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(CSE)期間，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺對外全面展示科研平臺、設(shè)計(jì)仿真平臺、中試平臺、分析檢測中心能力，同時(shí)帶來了8吋 SiC激光剝離襯底及復(fù)合襯底、1200V SiC外延及厚膜外延...  [詳內(nèi)文]

聞泰科技、三安光電財(cái)報(bào)出爐，聚焦SiC與GaN進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 27 日 14:53 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，聞泰科技與三安光電相繼發(fā)布最新財(cái)務(wù)報(bào)告，這兩家公司均在第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域展現(xiàn)出積極的布局和顯著的進(jìn)展。聞泰科技憑借其在半導(dǎo)體和通信技術(shù)領(lǐng)域的多元化優(yōu)勢，在車規(guī)級碳化硅應(yīng)用和氮化鎵高效能領(lǐng)域取得突破；而三安光電則依托其在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積累，在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的...  [詳內(nèi)文]

濟(jì)南打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)相關(guān)項(xiàng)目建設(shè)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 23 日 16:10 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，濟(jì)南發(fā)布《2025年國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展計(jì)劃》，提出要加快培育產(chǎn)業(yè)新動(dòng)能，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)山東中晶芯源碳化硅單晶和襯底項(xiàng)目、山東天岳碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)，加大碳化硅上下游領(lǐng)域布局力度，爭取集成電路關(guān)鍵材料和第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目獲得國家支持。 近年濟(jì)南市依托政...  [詳內(nèi)文]

Polar與瑞薩電子達(dá)成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 18 日 13:36 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月16日，美國Polar Semiconductor公司宣布與日本瑞薩電子株式會社（簡稱“瑞薩電子”）達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議，獲得其硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)授權(quán)。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 Polar Semiconductor 作為美國唯一一家專門從事傳感器、電...  [詳內(nèi)文]

實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)！英諾賽科發(fā)布氮化鎵新產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 16 日 12:56 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月14日，英諾賽科發(fā)布公告，宣布自主開發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 公告介紹，該款產(chǎn)品憑借寬禁帶特性，在高壓高頻場景優(yōu)勢顯著，具備零反向恢復(fù)電荷的核心優(yōu)勢，有助于進(jìn)一步推動(dòng)能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應(yīng)用于新能源...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)機(jī)器人“黑豹2.0”搭載GaN
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 15 日 13:07 | 分類 氮化鎵GaN
近日，中國“黑豹2.0”四足機(jī)器人搭載GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)上實(shí)現(xiàn)了革命性突破。該機(jī)器人由中國浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心人形機(jī)器人創(chuàng)新研究院聯(lián)合鏡識科技有限公司、杭州凱達(dá)爾焊接機(jī)器人股份有限公司共同發(fā)布，被稱為是全球速度最快的四足機(jī)器人。 核心技術(shù)突破：氮化鎵（GaN）...  [詳內(nèi)文]