相關(guān)資訊：氧化鎵

金剛石基氧化鎵熱管理領(lǐng)域，西電研究團(tuán)隊(duì)傳來喜訊！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 04 日 14:17 | 分類 氧化鎵
近日，由西安電子科技大學(xué)集成電路學(xué)部郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、寧靜教授等在寬禁帶半導(dǎo)體材料集成領(lǐng)域取得取得突破性進(jìn)展，研究成果以“Van der Waals β-Ga?O?thin ?lms on polycrystalline diamond substrates”為題在線發(fā)表于...  [詳內(nèi)文]

國際領(lǐng)先，國內(nèi)8英寸氧化鎵襯底秀最新成績單
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 04 日 14:09 | 分類 氧化鎵
9月3日，“鎵仁半導(dǎo)體”官微透露，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”) 8英寸氧化鎵襯底今年7月通過了國內(nèi)/國外知名機(jī)構(gòu)的檢測(cè)，并聯(lián)合發(fā)布檢測(cè)結(jié)果。 深圳平湖實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)結(jié)果顯示，本次測(cè)試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點(diǎn)共計(jì)5個(gè)，XRD搖擺曲線半高寬測(cè)試結(jié)果：22~26 a...  [詳內(nèi)文]

16.8億元氧化鎵項(xiàng)目迎新進(jìn)展：預(yù)計(jì)8月入駐機(jī)電設(shè)備
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 25 日 15:06 | 分類 氧化鎵
近日，據(jù)上杭融媒公眾號(hào)消息，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司二期項(xiàng)目——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項(xiàng)目迎來新進(jìn)展。 目前最新進(jìn)展是該項(xiàng)目整個(gè)主體建筑已全部封頂；辦公大樓、研發(fā)樓、宿舍正在進(jìn)行內(nèi)部精裝修；主體廠房潔凈車間班組已入駐；動(dòng)力中心正在內(nèi)部調(diào)試，預(yù)計(jì)8月可進(jìn)行機(jī)...  [詳內(nèi)文]

封頂/投產(chǎn)，國內(nèi)兩個(gè)化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:18 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵 , 碳化硅SiC
從氮化鎵（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽車中的規(guī)?；瘧?yīng)用，化合物半導(dǎo)體正加速重構(gòu)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭格局，為5G通信、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域注入新動(dòng)能。隨著市場(chǎng)對(duì)高性能、高能效半導(dǎo)體器件需求的激增，國內(nèi)化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目層出不窮。近期，兩個(gè)相關(guān)項(xiàng)目傳出新進(jìn)展，...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵領(lǐng)域強(qiáng)強(qiáng)合作，國內(nèi)廠商發(fā)力！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 19 日 15:28 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵
5月16日，中國氧化鎵襯底領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)鎵仁半導(dǎo)體與德國氧化鎵外延頭部企業(yè) NextGO.Epi 簽署全球戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將依托技術(shù)優(yōu)勢(shì)協(xié)同攻關(guān)，聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合將共同推動(dòng)氧化鎵在新能源、電力電子等領(lǐng)域的應(yīng)用突破，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入新動(dòng)能...  [詳內(nèi)文]

亞洲氧化鎵技術(shù)迎新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 14 日 13:44 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵
從硅（Si）到砷化鎵（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），半導(dǎo)體材料禁帶寬度的拓寬始終驅(qū)動(dòng)著性能邊界的拓展。如今，氧化鎵（Ga?O?）作為第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，正以其顛覆性的物理特性與成本優(yōu)勢(shì)，掀起一場(chǎng)新的半導(dǎo)體革命。 氧化鎵熔點(diǎn)高達(dá)1900℃，不溶于水...  [詳內(nèi)文]

全球首發(fā)！杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 06 日 15:05 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。鎵仁半導(dǎo)體采用完全自主創(chuàng)新的鑄造法成功實(shí)現(xiàn)8英寸氧化鎵單晶生長，并可加工出相應(yīng)尺寸的晶圓襯底。據(jù)悉，這一成果，標(biāo)志著鎵仁半導(dǎo)體成為國際上首家掌握8英寸氧化鎵單晶生長技術(shù)的企業(yè)...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵（Ga?O?）：新興材料的無限潛力
作者 |發(fā)布日期 2025 年 01 月 31 日 17:59 | 分類 功率
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸成為未來技術(shù)的關(guān)鍵，而氧化鎵（Ga?O?）正是其中的佼佼者。憑借其優(yōu)異的特性，氧化鎵正在改變功率電子器件和光電探測(cè)領(lǐng)域的格局。 氧化鎵的定義氧化鎵（Gallium Oxide，Ga?O?）是一種化學(xué)式為 Ga?O? 的無機(jī)化合物，是鎵...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體生長出直拉法2英寸N型氧化鎵單晶
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 29 日 16:38 | 分類 企業(yè) , 功率
氧化鎵作為一種新興的半導(dǎo)體材料，受益于其優(yōu)良的物理特性，成為了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體的潛在競(jìng)爭者。目前，國內(nèi)外相關(guān)企業(yè)正在加速推進(jìn)氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化。近日，又有一家國內(nèi)企業(yè)披露其在氧化鎵領(lǐng)域取得新進(jìn)展。 source：鎵仁半導(dǎo)體 11月29日，據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，今年10月...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵二期工廠正式啟用
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)
11月15日，據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵二期工廠近日正式啟用。新工廠在晶體生長、晶圓加工和外延生長等關(guān)鍵環(huán)節(jié)引入了先進(jìn)的產(chǎn)業(yè)化設(shè)備，預(yù)計(jì)將顯著提升產(chǎn)能，以滿足全球市場(chǎng)對(duì)氧化鎵晶圓襯底和外延片的增長需求。 source：鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)介紹，在二期工廠中，鎵仁半導(dǎo)體自主...  [詳內(nèi)文]