文章分類: 碳化硅SiC

JIP將簽署貸款協(xié)議,東芝估值或達150億美元

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 22 日 17:26 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)日媒報道,收購東芝公司的首選競標者日本產業(yè)合作伙伴(JIP)本周將與貸方簽署約1.4萬億日元(約合106億美元)的貸款協(xié)議。 報道稱,這些貸款包括2000億日元的承諾額度。預計這筆交易將使東芝的估值達到2.2萬億日元(約合150億美元)左右。 圖片來源:拍信網正版圖庫 在這約...  [詳內文]

長春光機所4米量級大口徑碳化硅反射鏡成功通過驗收

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 22 日 17:24 |
| 分類: 碳化硅SiC
昨日,中科院長春光機所宣布研制的4米量級大口徑碳化硅反射鏡成功通過驗收。 中科院長春光機所副所長研究員張學軍表示,現(xiàn)在國際上公開報道的,最大的碳化硅可用的只有1.5米,而長春光機所研制成功了1.5米、2米、3米,4米的碳化硅材料,并且已應用在很多國家重大任務中。 據(jù)了解,大口徑望...  [詳內文]

卓勝微完成SAW濾波器產品的工藝研發(fā)平臺建設

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 21 日 16:54 |
| 分類: 產業(yè) , 碳化硅SiC
日前,卓勝微在投資者互動平臺表示,基于公司自建的濾波器產線的順利推進,目前SAW濾波器產品的工藝研發(fā)平臺建設已全部完成,同時SAW濾波器和高性能濾波器已具備量產能力,雙工器和四工器已通過產品級驗證,并開始向客戶送樣推廣。 圖片來源:拍信網正版圖庫 另外,卓勝微稱,基于公司多年在...  [詳內文]

碳化硅廠商瞻芯電子完成數(shù)億元Pre-B輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 21 日 16:52 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)報道,上海瞻芯電子科技有限公司(以下簡稱“瞻芯電子”)宣布完成數(shù)億元Pre-B輪融資。 本輪融資由上汽集團戰(zhàn)略直投基金、尚頎資本(上汽集團旗下私募股權投資平臺)在管基金聯(lián)合領投,星航資本持續(xù)加注,同時獲得陽光電源、愛士惟、錦浪科技、浙江創(chuàng)智、華強創(chuàng)投等戰(zhàn)略機構鼎力加入。 本輪融...  [詳內文]

化合物半導體企業(yè)源杰科技成功登陸科創(chuàng)板

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 21 日 16:51 |
| 分類: 碳化硅SiC
今日,光芯片企業(yè)陜西源杰半導體科技股份有限公司(以下簡稱:源杰科技)成功登陸科創(chuàng)板,發(fā)行價為100.66元/股,開盤價為123元/股,漲幅22.19%;截至成文,股價報121.1元/股,總市值約72.61億元。 源杰科技聚焦于光芯片行業(yè),主營業(yè)務為光芯片的研發(fā)、設計、生產與銷售...  [詳內文]

瑞薩電子北京工廠重啟生產

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 21 日 9:22 |
| 分類: 碳化硅SiC
此前,廠因員工陸續(xù)感染新冠病毒,已宣布全面停工。 今日,據(jù)路透社報道,瑞薩電子日前表示今日其在北京的工廠重啟生產,正在用現(xiàn)有庫存彌補產量損失,預計停產不會造成太大影響。 資料顯示,瑞薩電子在中國設有四大研發(fā)中心,分別在北京,蘇州、上海和成都,研發(fā)職能齊全,并且在生產上還設立了北京...  [詳內文]

民德電子碳化硅外延片、器件等產品陸續(xù)量產

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 21 日 9:20 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日,民德電子在接受機構調研時表示,目前公司所投資企業(yè)已覆蓋包括外延生產、晶圓加工、超薄片背道減薄、芯片設計等關鍵環(huán)節(jié),基本完成供應鏈核心環(huán)節(jié)布局,明年包括碳化硅外延片、碳化硅器件等產品都將陸續(xù)量產。 公司在功率半導體硅基器件和碳化硅器件領域均是基于供應鏈自主可控的戰(zhàn)略進行布局。...  [詳內文]

碳化硅襯底廠商南砂晶圓完成B+輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 21 日 9:19 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日,據(jù)消息,南砂晶圓完成B+輪融資,由渾璞投資領投。 廣州南砂晶圓半導體技術有限公司成立于2018年9月,是一家從事碳化硅單晶材料研發(fā)、生產和銷售三位一體的國家高新技術企業(yè),公司產品以6英寸半絕緣和N型碳化硅襯底為主。今年2月,廣州市發(fā)改委公布了“廣州市2022年重點項目計劃”...  [詳內文]

氧化鎵器件未來10年有望直接與碳化硅器件競爭

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 19 日 17:25 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日,中科大國家示范性微電子學院龍世兵教授課題組兩篇關于氧化鎵器件的研究論文(高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器)成功被大會接收。 中國科學院院士郝躍表示,氧化鎵材料是最有可能在未來大放異彩的材料之一,在未來的10年左右,氧化鎵器件有可能成為有競爭力的電力電子器件,會直接...  [詳內文]

背靠吉利,碳化硅公司晶能完成Pre-A輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 19 日 17:23 |
| 分類: 碳化硅SiC
12月15日,吉利科技集團旗下浙江晶能微電子有限公司(以下簡稱“晶能”)宣布完成Pre-A輪融資,由華登國際領投,嘉御資本、高榕資本、沃豐實業(yè)等機構跟投。 據(jù)悉,本輪融資主要用于功率半導體模塊的研發(fā)投入、產線建設以及技術團隊搭建等方面。 晶能CEO潘運濱表示,明年將有多款產品開始...  [詳內文]