文章分類： 功率

英諾賽科重磅新品，大功率氮化鎵來(lái)襲

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 20 日 14:37 |
| 分類: 功率 , 射頻 , 氮化鎵GaN
英諾賽科宣布發(fā)布新品GaN 功率 IC： 采用TO-247-4L 封裝，集成柵極驅(qū)動(dòng)和短路保護(hù)的 GaN 功率 IC，適用于高功率密度和高效率的大功率應(yīng)用。 ISG612xTD SolidGaN IC ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功...  [詳內(nèi)文]

中國(guó)電科、三安光電、中瓷電子碳化硅產(chǎn)品順利供貨

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 19 日 10:33 |
| 分類: 功率 , 碳化硅SiC
近日，碳化硅領(lǐng)域喜訊頻傳，中國(guó)電科、三安光電和中瓷電子紛紛在業(yè)務(wù)上取得關(guān)鍵突破，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)力。 中國(guó)電科：30臺(tái)套SiC外延設(shè)備順利發(fā)貨 近日，據(jù)中國(guó)電科官微消息，其所屬的48所成功實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體SiC外延設(shè)備的首次大規(guī)模批量發(fā)貨，共計(jì)30臺(tái)套。截至目前，中...  [詳內(nèi)文]

江蘇再添一碳化硅項(xiàng)目！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 18 日 11:15 |
| 分類: 功率 , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，連云港市生態(tài)環(huán)境局公布了對(duì)“連云港鴻蒙硅材料有限公司年產(chǎn)1.5萬(wàn)噸碳化硅高級(jí)研磨材料及年產(chǎn)10萬(wàn)件碳化硅陶瓷制品項(xiàng)目”環(huán)評(píng)文件擬審批意見(jiàn)。 source：連云港市生態(tài)環(huán)境局 據(jù)介紹，本項(xiàng)目產(chǎn)品為碳化硅粉和碳化硅陶瓷。碳化硅粉可廣泛用于耐火材料、磨料、陶瓷、半導(dǎo)體、復(fù)合材料...  [詳內(nèi)文]

英飛凌官宣，首批8英寸SiC產(chǎn)品問(wèn)世

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 17 日 14:45 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 碳化硅SiC
2月14日，英飛凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圓工藝制造的碳化硅（SiC）產(chǎn)品。據(jù)悉，這些產(chǎn)品將在奧地利菲拉赫制造，為包括可再生能源、火車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)在內(nèi)的高壓應(yīng)用提供一流的碳化硅功率技術(shù)。 這一舉措標(biāo)志著英飛凌在碳化硅技術(shù)應(yīng)用上邁出了重要一步，有望進(jìn)一步提升相關(guān)領(lǐng)域的能...  [詳內(nèi)文]

晶導(dǎo)微電子功率半導(dǎo)體（IDM）內(nèi)江基地項(xiàng)目開(kāi)工

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 17 日 10:32 | | 分類: 功率
據(jù)最內(nèi)江消息，2月13日，四川省2025年第一季度重大項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)推進(jìn)活動(dòng)內(nèi)江分會(huì)場(chǎng)活動(dòng)在晶導(dǎo)微電子功率半導(dǎo)體（IDM）內(nèi)江基地項(xiàng)目開(kāi)工現(xiàn)場(chǎng)舉行。 據(jù)介紹，電子功率半導(dǎo)體內(nèi)江基地建設(shè)項(xiàng)目位于內(nèi)江高新區(qū)白馬園區(qū)，由山東晶導(dǎo)微電子股份有限公司投資建設(shè)，分兩期實(shí)施。 其中，一期項(xiàng)目將建設(shè)包...  [詳內(nèi)文]

兩大國(guó)際公司合作，聚焦鎵材料供應(yīng)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 08 日 18:48 |
| 分類: 功率
近日，西澳大利亞州珀斯的礦業(yè)公司Nimy Resources Ltd與總部位于內(nèi)華達(dá)州的M2i Global Inc（Minerals Metals Initiatives）簽署了一項(xiàng)不具約束力的合作協(xié)議，以確保鎵的供應(yīng)以支持美國(guó)國(guó)防部（DOD）。 此次合作不僅是國(guó)防戰(zhàn)略需求的體...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵（Ga?O?）：新興材料的無(wú)限潛力

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 31 日 17:59 |
| 分類: 功率
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸成為未來(lái)技術(shù)的關(guān)鍵，而氧化鎵（Ga?O?）正是其中的佼佼者。憑借其優(yōu)異的特性，氧化鎵正在改變功率電子器件和光電探測(cè)領(lǐng)域的格局。 氧化鎵的定義氧化鎵（Gallium Oxide，Ga?O?）是一種化學(xué)式為 Ga?O? 的無(wú)機(jī)化合物，是鎵...  [詳內(nèi)文]

中國(guó)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 22 日 17:19 |
| 分類: 功率
1月21日，中科院微電子研究所發(fā)布消息稱，我國(guó)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功。該所劉新宇、湯益丹團(tuán)隊(duì)和中國(guó)科學(xué)院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團(tuán)隊(duì)等開(kāi)展合作，成功研制出首款國(guó)產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅（SiC）功率器件及其電源系統(tǒng)。 這一突破標(biāo)志著我國(guó)在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域邁向新高度。...  [詳內(nèi)文]

2025開(kāi)年，一批碳化硅項(xiàng)目刷新進(jìn)度

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 22 日 17:14 |
| 分類: 功率
2025開(kāi)年，碳化硅產(chǎn)業(yè)仍然熱鬧，眾多億元級(jí)別的項(xiàng)目在各地紛紛取得重大進(jìn)展。 項(xiàng)目投資規(guī)模涵蓋范圍廣，建設(shè)內(nèi)容豐富多樣，應(yīng)用領(lǐng)域主要集中在半導(dǎo)體及相關(guān)產(chǎn)業(yè)，從材料生產(chǎn)到設(shè)備制造，再到全產(chǎn)業(yè)園區(qū)的建設(shè)，碳化硅產(chǎn)業(yè)正在形成一條具有高效協(xié)同效應(yīng)的產(chǎn)業(yè)鏈。 這些項(xiàng)目的推進(jìn)反映出碳化硅產(chǎn)業(yè)...  [詳內(nèi)文]