近日，位于無錫錫山經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯動第三代半導體模組封測項目傳來新進展。 錫山經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)消息顯示，芯動第三代半導體模組封測項目主體封頂，計劃10月土建竣工，12月底投產(chǎn)。 據(jù)悉，芯動第三代半導體模組封測項目總投資8億元，用地27畝，建筑面積3.1萬平方米，建設(shè)年產(chǎn)120萬塊...  [詳內(nèi)文]

8月29日，三菱電機宣布，已在功率器件工廠福山工廠完成了該公司第一條300毫米（12英寸）晶圓生產(chǎn)線的安裝，該工廠負責功率半導體的晶圓工藝。 該生產(chǎn)線的安裝目標是到2025財年將公司硅功率半導體晶圓工藝的產(chǎn)能較2020財年翻一番。計劃于2024年開始量產(chǎn)，目前已確認使用同一生產(chǎn)線...  [詳內(nèi)文]

近日，蘇州晶湛半導體有限公司發(fā)生工商變更，新增合肥建晶股權(quán)投資合伙企業(yè)(有限合伙)、蔚來資本旗下合肥蔚來產(chǎn)業(yè)發(fā)展股權(quán)投資合伙企業(yè)(有限合伙)等為股東，同時公司注冊資本由約7459萬人民幣增至約7691萬人民幣。 晶湛半導體是一家提供GaN外延解決方案的專業(yè)外延代工商。在電力電子方...  [詳內(nèi)文]

8月25日，武漢東湖高新區(qū)管委會與長飛先進半導體簽署了第三代半導體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目合作協(xié)議。 長飛先進第三代半導體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資約100億元，可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計、晶圓制造、封裝等...  [詳內(nèi)文]

據(jù)捷佳偉創(chuàng)消息，近日，公司自主研制的碳化硅高溫熱處理工藝設(shè)備成功下線，試運行期間各項技術(shù)指標均滿足客戶需求，通過預驗收后順利發(fā)往國內(nèi)半導體IDM某頭部企業(yè)。 據(jù)悉，該設(shè)備主要用于制造碳化硅功率器件，能有效降低碳化硅晶體中的微觀應(yīng)力、消除組織缺陷和降低界面態(tài)密度、提高載流子遷移率以...  [詳內(nèi)文]

8月17日，珠海高新區(qū)2023年第三季度重點項目集中開工活動在高新區(qū)北沙三生產(chǎn)業(yè)園舉行。會上，珠海高新區(qū)25個重點項目集中開工建設(shè)，總投資451.6億元，其中包括由格力集團投資打造的華芯（珠海）半導體砷化鎵總部研產(chǎn)基地。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 格力集團消息顯示，今年3月，格...  [詳內(nèi)文]

近日，杭州鎵仁半導體有限公司聯(lián)合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心（簡稱科創(chuàng)中心）先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室使用鑄造法成功制備了高質(zhì)量4英寸氧化鎵單晶，并完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破。 鑄造法是科創(chuàng)中心首席科學家楊德仁院士團隊自主研發(fā)的、適用于氧化鎵單晶生長的...  [詳內(nèi)文]