基本半導體推出新SiC MOSFET產品

作者 | 發布日期 2023 年 10 月 30 日 17:36 | 分類 功率

在10月26-27日舉辦的2023基本創新日活動上,基本半導體正式發布了第二代碳化硅MOSFET芯片、汽車級及工業級碳化硅MOSFET功率模塊、功率器件門極驅動器及驅動芯片等系列新品。

據介紹,基本半導體第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發,比上一代產品在品質系數因子、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。同時,產品的封裝更為豐富,以更好滿足客戶需求,可廣泛應用于新能源汽車電機控制器、車載電源、光伏逆變器、光儲一體機、充電樁、UPS及PFC電源等領域。

今年基本半導體還將推出更大導通電流、更低導通電阻以及更高耐壓的1200V/18mΩ 和2000V/24mΩ碳化硅MOSFET芯片系列產品,并開發了2000V/40A碳化硅二極管芯片進行配合使用。

基本半導體專為新能源汽車主驅逆變器應用設計開發了高低壓系列汽車級碳化硅MOSFET功率模塊,并在此次發布會上整體亮相,包括PcoreTM6汽車級HPD模塊(6芯片并聯、8芯片并聯)、PcoreTM2汽車級DCM模塊、PcoreTM1汽車級TPAK模塊、PcellTM汽車級模塊等。

圖片來源:拍信網正版圖庫

該系列汽車級功率模塊采用先進的有壓型銀燒結工藝、高性能銅線鍵合技術、銅排互連技術以及直接水冷的PinFin結構,使得產品具有低動態損耗、低導通電阻、高阻斷電壓、高電流密度、高可靠性等特點。

為更好滿足工業客戶對于高功率密度的需求,基本半導體推出工業級全碳化硅MOSFET功率模塊PcoreTM2 E2B,該產品基于高性能6英寸晶圓平臺設計,在比導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現出色。產品可廣泛應用于大功率充電樁、燃料電池DCDC器、數據中心UPS、高頻DCDC變換器、高端電焊機、光伏逆變器等領域。

基本半導體針對多種應用場景研發推出碳化硅及IGBT門極驅動芯片,可適應不同的功率器件和終端應用,新產品包括單、雙通道隔離驅動芯片和低邊驅動芯片,絕緣最大浪涌耐壓可達8000V,驅動峰值電流高達正負15A,可支持耐壓1700V以內功率器件的門極驅動需求。產品可廣泛用于光伏儲能、新能源汽車、工業電源、商用空調等領域。

同時,基本半導體還推出6CP0215T12-B11、2CP0220T等系列即插即用碳化硅驅動器,以及2QP0535T、2QP/CP0225T等系列IGBT驅動器,產品集成軟關斷、隔離DC/DC電源、原副邊欠壓保護和VCE短路保護等功能,可適配功率器件最高電壓2300V,可廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、風電變流器、電機傳動、大功率開關電源等領域。

據TrendForce集邦咨詢新推出《2023中國SiC功率半導體市場分析報告》顯示,從產業結構來看,中國的SiC功率半導體產值以功率元件業(包含Fabless、IDM以及Foundry)占比最高,達42.4%。按2022年應用結構來看,光伏儲能為中國SiC市場最大應用場景,占比約38.9%,接續為汽車、工業以及充電樁等。汽車市場作為未來發展主軸,即將超越光伏儲能應用,其份額至2026年有望攀升至60.1%。

在此情況下,中國已有約70家廠商切入SiC功率元件業務,整體市場進入高度競爭階段。

作為一家專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化的公司,為了搶占更多市場,基本半導體在SiC功率器件的開發以及生產方面下了大功夫。

基本半導體在去年9月完成C4輪融資之后,就往迭代SiC MOSFET產品和擴大產能方向一路疾馳。
2022年12月,基本半導體無錫汽車級碳化硅功率模塊產線實現全面量產,年產能達25萬只模塊,2025年將提升至150萬只。

今年4月,基本半導體坐落在深圳的車規級碳化硅芯片產線正式通線,該產線廠區具備年產1.8萬片6英寸碳化硅MOSFET晶圓的能力,二期計劃擴產至7.2萬片。按照1片6英寸晶圓能夠滿足7輛新能源汽車的碳化硅功率芯片需求估算,產線每年可保障約50萬輛新能源汽車的需求。

基本半導體推出以上新品SiC MOSFET可以視為對逐漸白熱化的市場的亮劍,對進一步推進國內生產高質量SiC MOSFET起到了積極作用。(文:集邦化合物半導體)

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